使用双位线作电流读出的低功率非易失性存储单元制造技术

一种可于低压工作的非易失性存储单元，其通过碰撞电离进行编程。碰撞电离通过一在一浮栅电荷存储晶体管（１１）的衬底（２０）中限定一虚拟二极管（３０）的电荷注入器（２５）而产生。通过施加于电荷存储晶体管的推挽电压（－Ｖ，＋Ｖ）（４１，４５）可对电荷源加偏压，而另一浮栅晶体管（１３）则有助于所述电荷存储晶体管的电荷状态的读出。其它的晶体管可切换自一与一读出线（５９）相关的读出晶体管（５１）的电流，根据所述电荷存储晶体管的电荷状态可在两个位线（４１，４３）之间进行电流切换。换句话说，所切换的电流可出现于两个位线的其中之一，一个位线表示有存储电荷，而另一位线表示没有存储电荷，即数字０和数字１可在两个位线中明确地表示。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及非易失性存储晶体管，尤其涉及于低压工作的非易失性存储单元。
技术介绍
碰撞电离为人所知已有多年。授予B.Eitan的美国专利No.4,432,075和授予Hayashi等人的美国专利No.4,821,236都叙述了一种与一电荷发生器邻接的EEPROM晶体管，其在EEPROM附近形成一衬底电流，在EEPROM的表面下的电极附近产生过剩电荷或空穴，类似于空间电荷。假定空穴被产生并向着EEPROM的其中一个电极加速，所产生的二次电子的能量足以穿透在衬底上的栅极氧化层并且注入到一导电浮栅中。对于EEPROM来说，浮栅可通过带带隧穿而带电，在这种情况下就无需一在浮栅上的控制栅。众所周知，与要用12伏或更高伏作编程的常规EEPROM相比较，使用碰撞电离的EEPROM只要求较低的电压就可进行编程和擦除。美国专利No.4,334,292揭示了一种采用至少两条位线作单元编程和读出的非易失性存储单元。其中采用电荷注入区以降低存储单元的电源电压电平。美国专利No.4,821,236示出了一种表面下的注入区，其可在一非易失性存储单元的一浮栅上产生存储电荷。此外还可参阅涉及碰撞电离的美国专利本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种低压、非易失性存储单元，包括：用于表示所述存储单元的输出的第一和第二位线装置，其包括一表示一第一存储状态的第一位线和一表示一第二存储状态的第二位线；一浮栅电荷存储晶体管，其可将电流传递到所述第一和第二位线；以及一 开关，其在所述浮栅电荷存储晶体管和所述第一和第二位线之间连接；由此在所述浮栅电荷存储晶体管上的电荷会促使所述开关将电流导向所述第一和第二位线的其中之一，而在所述浮栅电荷存储晶体管不带电荷时则会促使所述开关将电流导向所述第一和第二位线 中的另一。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 2004-9-21 10/946,7281.一种低压、非易失性存储单元，包括用于表示所述存储单元的输出的第一和第二位线装置，其包括一表示一第一存储状态的第一位线和一表示一第二存储状态的第二位线；一浮栅电荷存储晶体管，其可将电流传递到所述第一和第二位线；以及一开关，其在所述浮栅电荷存储晶体管和所述第一和第二位线之间连接；由此在所述浮栅电荷存储晶体管上的电荷会促使所述开关将电流导向所述第一和第二位线的其中之一，而在所述浮栅电荷存储晶体管不带电荷时则会促使所述开关将电流导向所述第一和第二位线中的另一。2.如权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述开关为一浮栅晶体管且与所述浮栅电荷存储晶体管共用迭置的条状的浮动多晶硅一以及多晶硅二。3.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，还具有一字线装置以将一第一低压施加于开关晶体管和电荷存储晶体管的控制栅。4.如权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述开关为...

【专利技术属性】
技术研发人员：B洛耶克，
申请(专利权)人：爱特梅尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]