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一种可于低压工作的非易失性存储单元，其通过碰撞电离进行编程。碰撞电离通过一在一浮栅电荷存储晶体管（１１）的衬底（２０）中限定一虚拟二极管（３０）的电荷注入器（２５）而产生。通过施加于电荷存储晶体管的推挽电压（－Ｖ，＋Ｖ）（４１，４５）可对电...
该专利属于爱特梅尔股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过爱特梅尔股份有限公司授权不得商用。

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