用于低压EEPROM的字线电压切换电路制造技术

本发明专利技术公开了一种用于低压ＥＥＰＲＯＭ的字线电压切换电路，由低压至中压的电平转换电路、高压本征ＮＭＯＳ晶体管和高电压反馈上拉电路组成；该电路采用通用的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压本征ＮＭＯＳ晶体管传至字线输出端，实现ＥＥＰＲＯＭ读取时低压至中压的切换；编程时，通过高电压反馈上拉电路又实现了低压至高压的切换。本发明专利技术的电路结构简单，有利于节约版图面积，生产成本低。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成电路中的字线电压切换电路，尤其涉及一种用于 低压EEPR0M (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory, 电可擦写只读存储器)的字线电压切换电路。
技术介绍
在低压EEPROM设计中，为了提高读取速度，在读取数据时需要抬高 字线上的电压，该电压可以通过电荷泵实现，称之为中压；在进行擦除或 写入数据时则需要字线上的电压抬升至十几伏，称之为高压。为了实现在 不同操作下字线上的中压和高压的切换，就需要通过复杂的切换电路，这 就增加了版图面积，会提高生产成本。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种用于低压EEPROM的字线电压切 换电路，其结构简单，有利于节约版图面积，生产成本低。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种用于低压EEPROM的字线电压 切换电路，包括低压至中压的电平转换电路，还包括高压本征NMOS晶体 管和高电压反馈上拉电路；所述的高电压反馈上拉电路即中压至高压的电平转换电路，包括一个 高压反相器和一个高压PMOS晶体管，高压反相器的输入端为字线，其输 出端和高压PMOS晶体管的栅本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于低压ＥＥＰＲＯＭ的字线电压切换电路，包括低压至中压的电平转换电路，其特征在于，还包括高压本征ＮＭＯＳ晶体管和高电压反馈上拉电路；所述的高电压反馈上拉电路即中压至高压的电平转换电路，包括一个高压反相器和一个高压ＰＭＯＳ晶体管， 高压反相器的输入端为字线，其输出端和高压ＰＭＯＳ晶体管的栅极相连，该高压ＰＭＯＳ晶体管的源极接高压电源，其漏极与字线相连；所述的高压本征ＮＭＯＳ晶体管的漏极也和字线相连，其源极与所述的低压至中压的电平转换电路的输出端相连，其栅极接中压电源；所述的低压至中压的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压本征ＮＭＯＳ晶体管传至字线输出端，使ＥＥＰＲＯＭ读...

【技术特征摘要】
1、一种用于低压EEPROM的字线电压切换电路，包括低压至中压的电平转换电路，其特征在于，还包括高压本征NMOS晶体管和高电压反馈上拉电路；所述的高电压反馈上拉电路即中压至高压的电平转换电路，包括一个高压反相器和一个高压PMOS晶体管，高压反相器的输入端为字线，其输出端和高压PMOS晶体管的栅极相连，该高压PMOS晶体管的源极接高压电源，其漏极与字线相连；所述的高压本征NMOS晶体管的漏极也和字线相连，其源极与所述的低压至中压的电平转换电路的输出端相连，其栅极接中压电源；所述的低压至中压的电平转换电路实现低压至中压的切换，再通过高压...

【专利技术属性】
技术研发人员：姚翔，王楠，
申请(专利权)人：上海华虹NEC电子有限公司，
类型：发明
国别省市：31[中国|上海]