一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，包括第一组可控硅控制电路和第二组可控硅控制电路，第一组可控硅控制电路的一端与外接电源连接，另一端与单片机的其中一个端口连接，第二组可控硅控制电路的一端与第一组可控硅控制电路连接，另一端与单片机的另一个端口电连接，外接负载与第二组可控硅控制电路电连接。在使用时，可以通过单片机的两个端口分别控制两组可控硅，使得其中一组可控硅在失效时，另外一组可控硅也可受控，防止出现异常，实现保护功能；由此，该应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，可替代继电器或硬件开关，起有效降低可控硅失效与保护可控硅失效的作用，且电路简单，可以有效降低成本。降低成本。降低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路


[0001]本技术属于一种可控硅保护电路，尤其是涉及一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路。

技术介绍

[0002]本技术涉及可控硅保护电路，具体涉及驱动加热，驱动电机等家电类产品的一种可控硅双重防失效保护应用电路。
[0003]现有可控硅失效保护电路，具体的为涉及驱动加热和驱动电机等家电类产品的可控硅失效保护电路，大都是采用硬件开关与可控硅串接，或者继电器与可控硅结合的方式。但是，这两种方案整机结构复杂，且电路使用器件较多，造成整体方案，成本较高，影响了大面积的推广。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于提供一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，能够解决上述问题中的至少一个。
[0005]根据本技术的一个方面，提供了一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，包括第一组可控硅控制电路和第二组可控硅控制电路，第一组可控硅控制电路的一端与外接电源电连接，另一端与单片机的其中一个端口电连接，第二组可控硅控制电路的一端与第一组可控硅控制电路电连接，另一端与本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，其特征在于，包括第一组可控硅控制电路和第二组可控硅控制电路，所述第一组可控硅控制电路的一端与外接电源电连接，另一端与单片机的其中一个端口电连接，所述第二组可控硅控制电路的一端与第一组可控硅控制电路电连接，另一端与单片机的另一个端口电连接，外接负载与第二组可控硅控制电路电连接。2.根据权利要求1所述的一种应用于可控硅驱动负载的双重防失效保护电路，其特征在于，所述第一组可控硅控制电路包括第一电阻(R1)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)、第四电阻(R4)、第一三极管(Q1)和第一整流变压器(TR1)，所述第一电阻(R1)的一端和第一整流变压器(TR1)的一端均与外接电源连接，所述第一电阻(R1)的另一端和第一整流变压器(TR1)的另一端均与第二电阻(R2)的一端连接，所述第二电阻(R2)的另一端与第一三极管(Q1)的集电极连接，所述第三电阻(R3)的一端和第四电阻(R4)的一端均与第一三极管(Q1)的基极连接，所述第一三极管(Q1)的发射极和第四电阻(R4)的另一端均接地，所述第三电阻(R3)的另一端与单片机的其中一个端口电连接。3.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员：李久刚，郭友才，
申请(专利权)人：广东翰唐智控有限公司，
类型：新型
国别省市：