一种基片集成波导双通带功分滤波器制造技术

技术编号:30783011 阅读:15 留言:0更新日期:2021-11-16 07:44
本发明专利技术公开了一种基片集成波导双通带功分滤波器,包括介质基板、接线板和接地板,接线板、介质基板和接地板形成的多层结构设有第一通孔和多个第二通孔,多个第二通孔围绕第一通孔设置以形成谐振腔;接地板设有互补开口谐振环;第一通孔和第二通孔使TE101谐振模式向TE102谐振模式偏移以形成第一通带,互补开口谐振环形成第二通带;具有良好的频率选择性和滤波响应;结构紧凑、简单,有利于小型化;提高了性能调整便利性。了性能调整便利性。了性能调整便利性。

【技术实现步骤摘要】
一种基片集成波导双通带功分滤波器


[0001]本专利技术涉及滤波器领域,特别是一种基片集成波导双通带功分滤波器。

技术介绍

[0002]基片集成波导(Substrate integrated waveguide,SIW)技术是一种平面波导技术,它继承了波导的损耗低、品质因数高、功率容量大等优点,同时也集合了微带的低剖面、尺寸小、易于与其他平面电路集成等优点。
[0003]部分功分滤波器通过采用基片集成波导三角形腔,实现灵活控制中心频率和带宽,但由于简单的级联拓扑结构,其频率选择性较差。部分功分滤波器为了提高频率选择性,采用了交叉耦合,但整体尺寸较大,滤波响应也相对较差。部分功分滤波器的隔离效果差。

技术实现思路

[0004]本专利技术的目的在于至少解决现有技术中存在的技术问题之一,提供一种基片集成波导双通带功分滤波器。
[0005]本专利技术解决其问题所采用的技术方案是:
[0006]一种基片集成波导双通带功分滤波器,包括介质基板、接线板和接地板,所述接线板、所述介质基板和所述接地板依次叠合形成多层结构;所述多层结构设有第一通孔和多个第二通孔,所述第一通孔位于所述多层结构的中部,多个所述第二通孔围绕所述第一通孔设置以形成基片集成波导谐振腔;所述接地板设有互补开口谐振环,所述互补开口谐振环位于所述第一通孔的两侧;所述第一通孔和所述第二通孔用于使TE101谐振模式向TE102谐振模式偏移以形成第一通带,所述互补开口谐振环用于形成第二通带。
[0007]进一步,所述介质基板包括依次首尾连接的第一边缘、第二边缘、第三边缘、第四边缘、第五边缘和第六边缘;所述第一边缘和所述第三边缘平行设置,所述第二边缘和所述第五边缘平行设置,所述第一边缘和所述第二边缘垂直设置;所述第一边缘、所述第三边缘和所述第五边缘长度相等;所述第四边缘和所述第六边缘长度相等;所述第四边缘与所述第三边缘的夹角角度为135度,所述第六边缘与所述第一边缘的夹角角度为135度。
[0008]进一步,所述接线板包括主板体、输入端口馈线、第一输出端口馈线和第二输出端口馈线;所述输入端口馈线的一端、所述第一输出端口馈线的一端以及所述第二输出端口馈线的一端均与所述主板体连接;所述输入端口馈线的另一端与所述第二边缘连接,所述第一输出端口馈线的一端与所述第四边缘连接,所述第二输出端口馈线的一端与所述第六边缘连接。
[0009]进一步,所述第一输出端口馈线和所述第二输出端口馈线之间设有连接微带线,所述连接微带线上设有第一隔离电阻。
[0010]进一步,多个所述第二通孔沿所述主板体的边缘设置。
[0011]进一步,所述输入端口馈线包括第一微带线导带,所述第一微带线导带的两侧均
设有第一共面波导转换槽,所述第一共面波导转换槽位于所述第一微带线导带与所述主板体之间。
[0012]进一步,所述第一输出端口馈线包括第二微带线导带,所述第二微带线导带的两侧均设有第二共面波导转换槽,所述第二共面波导转换槽位于所述第二微带线导带与所述主板体之间。
[0013]进一步,所述第二输出端口馈线包括第三微带线导带,所述第三微带线导带的两侧均设有第三共面波导转换槽,所述第三共面波导转换槽位于所述第三微带线导带与所述主板体之间。
[0014]进一步,所述接地板设有通槽,所述通槽位于所述第二通孔的外侧,所述通槽上设有横跨所述通槽两侧的第二隔离电阻。
[0015]进一步,所述互补开口谐振环包括第一谐振环和第二谐振环;所述第一谐振环和所述第二谐振环均为方形环,所述第二谐振环位于所述第一谐振环内,所述第一谐振环和所述第二谐振环同心;所述第一谐振环设有第一开口,所述第二谐振环设有第二开口,所述第一开口和所述第二开口分别位于环心的两侧。
[0016]上述基片集成波导双通带功分滤波器至少具有以下的有益效果:通过第一通孔和所述第二通孔的共同作用,扰乱引起基片集成波导谐振腔形成的TE101谐振模式向TE102谐振模式偏移,以形成第一通带;通过互补开口谐振环形成第二通带;具有良好的频率选择性和滤波响应。同时,通过在介质基板、接线板和接地板形成的多层结构上设置第一通孔、第二通孔以及互补开口谐振环,使得能在单个介质基板上形成基片集成波导通带功分滤波电路结构,使结构更紧凑、简单,使得产品尺寸更小,有利于小型化。第一通带和第二通带的中心频率和带宽以及两个传输零点之一可以通过改变互补开口谐振环的尺寸和位置以及改变第一通孔和第二通孔的尺寸和位置来有效地调整,提高频率选择性,适用于现代无线通信系统。
[0017]本专利技术的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出,部分将从下面的描述中变得明显,或通过本专利技术的实践了解到。
附图说明
[0018]下面结合附图和实例对本专利技术作进一步说明。
[0019]图1是本专利技术实施例一种基片集成波导双通带功分滤波器的正面结构示意图;
[0020]图2是本专利技术实施例一种基片集成波导双通带功分滤波器的俯视图;
[0021]图3是本专利技术实施例一种基片集成波导双通带功分滤波器的仰视图;
[0022]图4是互补开口谐振环的结构图;
[0023]图5是本专利技术实施例一种基片集成波导双通带功分滤波器的尺寸示意图;
[0024]图6是参数lx1长度改变时参数f
TE

mode
与参数f
CSRR
的曲线变化图;
[0025]图7是参数lx1长度改变时参数f
TZ
与中心频率的曲线变化图;
[0026]图8是参数lx4长度改变时基片集成波导双通带功分滤波器频率的曲线变化图;
[0027]图9是参数lx4长度改变时参数f
TZ
与中心频率的曲线变化图;
[0028]图10是第一通孔直径改变时参数f
TE

mode
与参数f
CSRR
的曲线变化图;
[0029]图11是第一通孔直径改变时参数f
TZ
与中心频率的曲线变化图;
[0030]图12是参数S
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与R1、R2的关系图;
[0031]图13是S参数的模拟曲线图和测量曲线图。
具体实施方式
[0032]本部分将详细描述本专利技术的具体实施例,本专利技术之较佳实施例在附图中示出,附图的作用在于用图形补充说明书文字部分的描述,使人能够直观地、形象地理解本专利技术的每个技术特征和整体技术方案,但其不能理解为对本专利技术保护范围的限制。
[0033]在本专利技术的描述中,需要理解的是,涉及到方位描述,例如上、下、前、后、左、右等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系,仅是为了便于描述本专利技术和简化描述,而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作,因此不能理解为对本专利技术的限制。
[0034]在本专利技术的描述中,若干的含义是一个或者多个,多个的含义是两个以上,大于、本文档来自技高网
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种基片集成波导双通带功分滤波器,其特征在于,包括介质基板、接线板和接地板,所述接线板、所述介质基板和所述接地板依次叠合形成多层结构;所述多层结构设有第一通孔和多个第二通孔,所述第一通孔位于所述多层结构的中部,多个所述第二通孔围绕所述第一通孔设置以形成基片集成波导谐振腔;所述接地板设有互补开口谐振环,所述互补开口谐振环位于所述第一通孔的两侧;所述第一通孔和所述第二通孔用于使TE101谐振模式向TE102谐振模式偏移以形成第一通带,所述互补开口谐振环用于形成第二通带。2.根据权利要求1所述的一种基片集成波导双通带功分滤波器,其特征在于,所述介质基板包括依次首尾连接的第一边缘、第二边缘、第三边缘、第四边缘、第五边缘和第六边缘;所述第一边缘和所述第三边缘平行设置,所述第二边缘和所述第五边缘平行设置,所述第一边缘和所述第二边缘垂直设置;所述第一边缘、所述第三边缘和所述第五边缘长度相等;所述第四边缘和所述第六边缘长度相等;所述第四边缘与所述第三边缘的夹角角度为135度,所述第六边缘与所述第一边缘的夹角角度为135度。3.根据权利要求2所述的一种基片集成波导双通带功分滤波器,其特征在于,所述接线板包括主板体、输入端口馈线、第一输出端口馈线和第二输出端口馈线;所述输入端口馈线的一端、所述第一输出端口馈线的一端以及所述第二输出端口馈线的一端均与所述主板体连接;所述输入端口馈线的另一端与所述第二边缘连接,所述第一输出端口馈线的一端与所述第四边缘连接,所述第二输出端口馈线的一端与所述第六边缘连接。4.根据权利要求3所述的一种基片集成波导双通带功分滤波器,其特征在于,所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:张钢郑健杨华章秀银平康谢楚昀张莹洁王曦瑞
申请(专利权)人:华南理工大学
类型:发明
国别省市:

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