本发明专利技术提供滤波器、天线模块以及通信装置。滤波器(1)具备：多层基板(2)、以及设置于多层基板(2)并与下一级耦合的三级谐振器(8)、(11)、(14)。在多层基板(2)设置有浮动电极(16)，该浮动电极(16)使输入级的谐振器(8)的线状导体(9)的开放端部(9A2)与输出级的谐振器(11)的线状导体(12)的开放端部(12B2)耦合。在多层基板(2)设置有浮动电极(17)，该浮动电极(17)使输入级的谐振器(8)的线状导体(9)的开放端部(9B2)与输出级的谐振器(11)的线状导体(12)的开放端部(12A2)耦合。体(12)的开放端部(12A2)耦合。体(12)的开放端部(12A2)耦合。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】滤波器、天线模块以及通信装置
[0001]本公开涉及适合应用于例如微波、毫米波等高频电磁波(高频信号)的滤波器、天线模块以及通信装置。
技术介绍
[0002]已知有具备由线状导体构成的三级谐振器的滤波器(非专利文献1)。非专利文献1所记载的滤波器的相邻的2个谐振器相互耦合。
[0003]非专利文献1：H.Nam,B.Jeon,T.Yun,H.Lee,Y.Kim,B.Jeon and J.Lee,“An Edge
‑
Coupled Bandpass Filter with Sharp Skirt Characteristics Using Tapped
‑
line Method”,2009Asia Pacific Microwave Conference,Singapore7
‑
10December 2009.
[0004]然而，在非专利文献1所记载的滤波器中，为了调整衰减量，需要变更谐振器间的距离。然而，为了改变谐振器间的距离，需要大幅度地变更谐振器的配置、形状、相邻的谐振器的耦合状态，存在设计自由度较低这样的问题。
技术实现思路
[0005]本专利技术的一实施方式的目的在于提供能够进行所希望的衰减极设计的滤波器、天线模块以及通信装置。
[0006]本专利技术的一实施方式是具备电介质基板、和设置于上述电介质基板并与下一级耦合的至少三级以上的谐振器的滤波器，其特征在于，输入级的上述谐振器由俯视时呈C字形状的线状导体形成，直接耦合到设置于上述电介质基板的输入侧的传输线路，输出级的上述谐振器由俯视时呈C字形状的线状导体形成，直接耦合到设置于上述电介质基板的输出侧的传输线路，在上述电介质基板设置有使输入级的上述谐振器的线状导体的端部与输出级的上述谐振器的线状导体的端部耦合的跳跃耦合电极。
[0007]根据本专利技术的一实施方式，能够不使谐振器的形状复杂，就得到所希望的衰减量。
附图说明
[0008]图1是表示本专利技术的第一实施方式所提供的滤波器的立体图。
[0009]图2是表示图1中的滤波器的俯视图。
[0010]图3是从图2中的箭头III－III方向观察滤波器的剖视图。
[0011]图4是表示第一实施方式所提供的滤波器的等效电路图。
[0012]图5是表示第一实施方式所提供的滤波器的透过系数的频率特性的特性线图。
[0013]图6是表示缝隙的大小不同的情况下的滤波器的透过系数的频率特性的特性线图。
[0014]图7是表示在25GHz的频率下缝隙的大小与透过系数的关系的特性线图。
[0015]图8是表示本专利技术的第二实施方式所提供的滤波器的立体图。
[0016]图9是表示图8中的滤波器的俯视图。
[0017]图10是从图9中的箭头X－X方向观察滤波器的剖视图。
[0018]图11是表示第二实施方式所提供的滤波器的透过系数的频率特性的特性线图。
[0019]图12是表示本专利技术的第三实施方式所提供的滤波器的立体图。
[0020]图13是表示图12中的滤波器的俯视图。
[0021]图14是从图13中的箭头XIV－XIV方向观察滤波器的剖视图。
[0022]图15是表示第一变形例所提供的滤波器的立体图。
[0023]图16是表示本专利技术的第四实施方式所提供的滤波器的立体图。
[0024]图17是表示第二变形例所提供的滤波器的立体图。
[0025]图18是表示第三变形例所提供的滤波器的立体图。
[0026]图19是表示本专利技术的第五实施方式所提供的滤波器的立体图。
[0027]图20是表示图19中的滤波器的俯视图。
[0028]图21是从图20中的箭头XXI－XXI方向观察滤波器的剖视图。
[0029]图22是表示第五实施方式所提供的滤波器的透过系数的频率特性的特性线图。
[0030]图23是表示本专利技术的第六实施方式所提供的通信装置的框图。
[0031]图24是表示本专利技术的第七实施方式所提供的天线模块的立体图。
[0032]图25是表示图24中的天线模块的侧面图。
[0033]图26是表示本专利技术的第八实施方式所提供的通信装置的框图。
[0034]图27是表示图26中的天线模块的侧面图。
[0035]图28是表示第四变形例所提供的滤波器的等效电路图。
具体实施方式
[0036]以下，参照附图对本专利技术的实施方式所提供的滤波器、天线模块以及通信装置进行详细说明。
[0037]图1以及图4示出本专利技术的第一实施方式所提供的滤波器1。滤波器1具备多层基板2、接地电极6、7、谐振器8、11、14、传输线路10、13、以及浮动电极16、17。滤波器1为使谐振器8、11、14的谐振频率附近的频带的信号通过并阻止其他频带的信号的带通滤波器。
[0038]多层基板2是电介质基板。多层基板2被形成为相对于相互正交的X轴向、Y轴向以及Z轴向中的例如X轴向以及Y轴向平行地扩展的平板状。多层基板2例如由低温共烧陶瓷多层基板(LTCC多层基板)形成。多层基板2具有从第一主面2A(表面)朝向第二主面2B(背面)沿Z轴向层叠的3层的绝缘层3～5(参照图3)。各绝缘层3～5由能够在1000℃以下的低温烧制的绝缘性陶瓷材料构成，形成为较薄的层状。此外，多层基板2并不局限于LTCC多层基板，也可以是例如层叠了由树脂材料构成的绝缘层的多层基板。多层基板2也可以是层叠多层由具有较低的介电常数的液晶聚合物(Liquid Crystal Polymer：LCP)构成的树脂层而形成的多层树脂基板。多层基板2也可以是层叠多层由氟类树脂构成的树脂层而形成的多层树脂基板。多层基板2也可以是LTCC多层基板以外的陶瓷多层基板。并且，多层基板2也可以是具有挠性的软性基板，也可以是具有热塑性的刚性基板。
[0039]接地电极6、7例如使用铜、银等导电性金属材料而形成。此外，接地电极6、7也可以由将铝、金或者这些合金作为主成分的金属材料形成。接地电极6设置于多层基板2的第一主面2A。接地电极7设置于多层基板2的第二主面2B。接地电极6、7连接于外部的接地。接地
电极6覆盖多层基板2的第一主面2A的整体。接地电极7覆盖多层基板2的第二主面2B的整体。
[0040]输入级的谐振器8设置于多层基板2的内部(参照图1～图3)。谐振器8由在俯视时呈C字形状的线状导体9形成。如图3所示，线状导体9位于绝缘层4与绝缘层5之间，由细长的带状的导体图案形成。线状导体9的长度尺寸例如被设定为与谐振频率对应的多层基板2内的波长的1/2。线状导体9的两端开放。因此，线状导体9构成两端开放的半波长谐振器。
[0041]如图1以及图2所示，线状导体9具备第一开放部9A以及第二开放部9B。线状导体9的第一开放部9A形成为俯视时呈L字状。第一开放部9A具有连接部9A1和开放端部9A2。第一开本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种滤波器，其特征在于，具备：电介质基板；以及至少三级以上的谐振器，设置于上述电介质基板，且与下一级耦合，输入级的上述谐振器由在俯视时呈C字形状的线状导体形成，直接耦合到设置于上述电介质基板的输入侧的传输线路，输出级的上述谐振器由在俯视时呈C字形状的线状导体形成，直接耦合到设置于上述电介质基板的输出侧的传输线路，在上述电介质基板设置有跳跃耦合电极，该跳跃耦合电极使输入级的上述谐振器的线状导体的端部与输出级的上述谐振器的线状导体的端部耦合。2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，上述电介质基板是多层基板，输入级的上述谐振器的线状导体以及输出级的上述谐振器的线状导体配置于上述多层基板的相同的层，在上述多层基板设置有中间级的上述谐振器，该中间级的上述谐振器位于与输入级的上述谐振器的线状导体以及输出级的上述谐振器的线状导体不同的层，并且，第一端部与输入级的上述谐振器电容耦合，第二端部与输出级的上述谐振器电容耦合。3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，上述电介质基板是多层基板，三级以上的上述谐振器的线状导体配置于上述多层基板的相同的层，在上述多层基板设置有浮动电极，该浮动电极位于与上述谐振器的线状导体不同的层，并使相邻的2个上述谐振器电容耦合。4.根据权利要求3所述的滤波器，其特征在于，上述跳跃耦合电极是其他的浮动电极...
【专利技术属性】
技术研发人员：田口义规，平塚敏朗，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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