一种晶体管输出回路制造技术

本实用新型专利技术属于电路技术领域，尤其是一种晶体管输出回路，现提出如下方案，包括由前级控制部分和后级部分组成的用于NPN和PNP的输出电路，其特征在于，所述前级控制部分包括电阻R1、电阻R3、电阻R6、电阻R7、三极管Q1，所述后级部分包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R8、三极管Q2、二极管D1、瞬态电压抑制二极管TV1、瞬态电压抑制二极管TV2、熔断器F1。本实用新型专利技术能够通过MCU端口的小电流电压就能控制电路输出，使得输出端口能够驱动大电流的作用；整体输出电路还具备各种保护功能；能够具备两种输出方式的同时降低了PCB布板的空间。出方式的同时降低了PCB布板的空间。出方式的同时降低了PCB布板的空间。

【技术实现步骤摘要】
一种晶体管输出回路


[0001]本技术涉及电路
，尤其涉及一种晶体管输出回路。

技术介绍

[0002]在工业传感器领域中，传感器的晶体管输出方式一般有NPN和 PNP两种输出方式，为了满足不同工业应用时对输出信号的不同要求，同型号的传感器一般都会有NPN和PNP两种，常规的设计中，传感器 NPN和PNP电路采用独立控制回路，有时不同的输出方式采用不同的电路板，使得生产中电路板种类较多，如果将两个回路信号放到同一块PCB中进行布局，占用空间较大，很多时候传感器空间有限，不能满足需要，为此需要一种晶体管输出回路。

技术实现思路

[0003]本技术提出的一种晶体管输出回路，解决了现有技术中存在的问题。
[0004]为了实现上述目的，本技术采用了如下技术方案：
[0005]一种晶体管输出回路，包括由前级控制部分和后级部分组成的用于NPN和PNP的输出电路，其特征在于，所述前级控制部分包括电阻 R1、电阻R3、电阻R6、电阻R7、三极管Q1，所述后级部分包括电阻 R2、电阻R4、电阻R5、电阻R8、三极管Q2、二极管D1、瞬态电压抑制二极管TV1、瞬态电压抑制二极管TV2、熔断器F1。
[0006]优选的，所述前级控制部分的MCU_IO为MCU控制端口，与MCU 的控制端口进行连接，后级部分的OUT为电路输出的端口，与外界的控制PLC端口、继电器回路进行连接。
[0007]优选的，所述前级控制部分的电阻R6、电阻R7均与后级部分的瞬态电压抑制二极管TV1连接，所述前级控制部分的电阻R1与后级部分的瞬态电压抑制二极管TV2连接。
[0008]优选的，所述后级部分的电阻R4均与电阻R7和三极管Q1的发射极连接、后级部分的电阻R8均与前级控制部分的电阻R6和电阻 R7连接、后级部分的电阻R2不与前级控制部分的电阻R1和三极管 Q1的集电极连接、后级部分的电阻R5不与电阻R8和三极管Q2的发射极连接从而形成NPN输出回路。
[0009]优选的，所述后级部分的电阻R4均不与电阻R7和三极管Q1的发射极连接、后级部分的电阻R8均不与三极管Q2的发射极和前级控制部分的电阻R6和电阻R7连接、后级部分的电阻R2均与前级控制部分的电阻R1和三极管Q1的集电极连接、后级部分的电阻R5与三极管Q2的发射极连接从而形成PNP输出回路。
[0010]本技术中，
[0011]该输出回路，能够通过MCU端口的小电流电压就能控制电路输出，使得输出端口能够驱动大电流的作用；整体输出电路还具备各种保护功能；能够具备两种输出方式的同时降低了PCB布板的空间。
附图说明
[0012]图1为本技术提出的一种晶体管输出回路的结构示意图；
[0013]图2为本技术提出的一种晶体管输出回路NPN输出时的结构示意图；
[0014]图3为本技术提出的一种晶体管输出回路PNP输出时的结构示意图。
具体实施方式
[0015]下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。
[0016]参照图1
‑
3，一种晶体管输出回路，包括由前级控制部分和后级部分组成的用于NPN和PNP的输出电路，其特征在于，前级控制部分包括电阻R1、电阻R3、电阻R6、电阻R7、三极管Q1，后级部分包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R8、三极管Q2、二极管D1、瞬态电压抑制二极管TV1、瞬态电压抑制二极管TV2、熔断器F1。
[0017]进一步的，前级控制部分的MCU_IO为MCU控制端口，与MCU的控制端口进行连接，后级部分的OUT为电路输出的端口，与外界的控制PLC端口、继电器回路进行连接。
[0018]尤其是，前级控制部分的电阻R6、电阻R7均与后级部分的瞬态电压抑制二极管TV1连接，前级控制部分的电阻R1与后级部分的瞬态电压抑制二极管TV2连接。
[0019]值得说明的，后级部分的电阻R4均与电阻R7和三极管Q1的发射极连接、后级部分的电阻R8均与前级控制部分的电阻R6和电阻R7连接、后级部分的电阻R2不与前级控制部分的电阻R1和三极管 Q1的集电极连接、后级部分的电阻R5不与电阻R8和三极管Q2的发射极连接从而形成NPN输出回路。
[0020]此外，后级部分的电阻R4均不与电阻R7和三极管Q1的发射极连接、后级部分的电阻R8均不与三极管Q2的发射极和前级控制部分的电阻R6和电阻R7连接、后级部分的电阻R2均与前级控制部分的电阻R1和三极管Q1的集电极连接、后级部分的电阻R5与三极管Q2 的发射极连接从而形成PNP输出回路；
[0021]如图2为NPN输出回路的示意图，其中：在电路中PCB板上将 R2和R5不焊接，然后将Q2焊接上NPN晶体管，输出端输出信号为 NPN信号，当MCU_IO输出为低电平时，Q1处于截止状态，Q2处于截止状态；当MCU_IO输出为高电平时，Q1导通，Q2导通，最终输出 NPN低电平信号；
[0022]如图3为PNP输出回路的示意图，其中：在电路中PCB板上将 R4和R8不焊接，将D1在PCB上反向焊接，然后将Q2焊接上PNP晶体管，输出端输出PNP信号，当MCU_IO输出为低电平时，Q1处于截止状态，Q1的集电极处于高电平，Q2处于截止状态；当MCU_IO输出为高电平时，Q1导通，Q1的集电极处于低电平，Q2导通，最终输出 PNP高电平信号，
[0023]该设计的输出回路，能够通过MCU端口的小电流电压就能控制电路输出，使得输出端口能够驱动大电流的作用；整体输出电路还具备各种保护功能；能够具备两种输出方式的同时降低了PCB布板的空间。
[0024]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”、“顺时针”、“逆时针”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为
了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的设备或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。
[0025]此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
[0026]以上所述，仅为本技术较佳的具体实施方式，但本技术的保护范围并不局限于此，任何熟悉本
的技术人员在本技术揭露的技术范围内，根据本技术的技术方案及其技术构思加以等同替换或改变，都应涵盖在本技术的保护范围之内。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶体管输出回路，包括由前级控制部分和后级部分组成的用于NPN和PNP的输出电路，其特征在于，所述前级控制部分包括电阻R1、电阻R3、电阻R6、电阻R7、三极管Q1，所述后级部分包括电阻R2、电阻R4、电阻R5、电阻R8、三极管Q2、二极管D1、瞬态电压抑制二极管TV1、瞬态电压抑制二极管TV2、熔断器F1；所述前级控制部分的MCU_IO为MCU控制端口，与MCU的控制端口进行连接，后级部分的OUT为电路输出的端口，与外界的控制PLC端口、继电器回路进行连接；所述前级控制部分的电阻R6、电阻R7均与后级部分的瞬态电压抑制二极管TV1连接，所述前级控制部分的电阻R1与后级部分的瞬...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨勇，梁邦世，张道伟，杨木林，刘伟，
申请(专利权)人：深圳市意普兴科技有限公司，
类型：新型
国别省市：