一种晶圆结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种晶圆结构，它包括衬底、生长在衬底上的氮化镓基外延结构、基于氮化镓基外延结构制备的具有横向沟道的器件和纵向沟道的器件，横向沟道器件和纵向沟道器件的栅长方向分别平行于氮化镓晶体晶系的两个等效晶向，横向沟道器件的栅长方向垂直纵向沟道器件的栅长方向。它具有如下优点：保持横向与纵向布局器件电学特性的一致性。与纵向布局器件电学特性的一致性。与纵向布局器件电学特性的一致性。

【技术实现步骤摘要】
一种晶圆结构


[0001]本技术涉及半导体领域，尤其涉及一种晶圆结构。

技术介绍

[0002]基于宽禁带半导体氮化镓基材料(GaN、AlGaN、InGaN等)的自发极化与压电极化效应，在AlGaN/GaN异质结沟道内产生高密度与高迁移率的二维电子气(2DEG)，使得GaN基HEMT器件成为高效、高功率密度功率器件的解决方案，它提供更大的击穿电压和功率密度。如图1至3所示，在进行器件制备时，为提升晶圆利用率，需要将GaN基多指栅分立器件2进行横向或纵向布局，与此同时，器件从源极流向漏极的电流方向(俗称器件导电沟道方向，以下同)也会存在横向或纵向分布。此外，对于GaN基材料的单片集成芯片，为了使器件布局更加灵活，紧凑，同一晶圆上，器件沟道也会存在横纵向分布。
[0003]目前GaN基材料生长分为同质外延和异质外延，常用作异质外延的衬底有硅，蓝宝石，碳化硅材料等。以硅衬底为例，在衬底1制备时，会使用V型槽11定位硅片结晶方向。该做法也可使得工艺过程中的定位更加方便，快速。由于GaN基材料为六方晶系，使用的硅衬底为(111)面，在该衬底1上外延本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶圆结构，其特征在于：包括衬底、生长在衬底上的氮化镓基外延结构、基于氮化镓基外延结构制备的具有横向沟道的器件和纵向沟道的器件，所述横向沟道器件和纵向沟道器件的栅长方向分别平行于氮化镓晶体晶系的两个等效晶向，所述横向沟道器件的栅长方向垂直纵向沟道器件的栅长方向。2.根据权利要求1所述的一种晶圆结构，其特征在于：所述器件沟道方向为器件栅长方向，即器件源极至漏极的方向。3.根据权利要求1所述的一种晶圆结构，其特征在于：所述器件为多指栅器件。4.根据权利要求1所述的一种晶圆结构，其特征在于：所述衬底外缘具有用于定位衬底晶向的定位结构，所述定位结构所在的衬底径向与氮化镓晶体晶系的 晶向平行。5.根据权利要求4所述的一种晶圆结构，其特征在于：所述衬底为硅衬底，所述氮化镓基外延结构生长在硅衬底的(111)面上。6.根据权利要求5所述的一种晶圆结构，其特征在于：所述定位结构所在的衬底径向平行硅衬底的晶向。7.根据权利要求1所述的一种...

【专利技术属性】
技术研发人员：林科闯，何俊蕾，刘成，郭德霄，汪晓媛，梁玉玉，叶念慈，房育涛，许亚坡，
申请(专利权)人：厦门市三安集成电路有限公司，
类型：新型
国别省市：