高电子迁移率晶体管的结构及相关方法技术

高电子迁移率晶体管的结构和形成高电子迁移率晶体管的结构的方法。高电子迁移率晶体管具有第一半导体层、沿界面邻接第一半导体层的第二半导体层、栅极电极和源/漏区域。绝缘区域设置在第一半导体层和第二半导体层中。绝缘区域在横向位于栅极电极和源/漏区域之间的位置处延伸穿过界面。置处延伸穿过界面。置处延伸穿过界面。

【技术实现步骤摘要】
高电子迁移率晶体管的结构及相关方法


[0001]本专利技术通常涉及集成电路和半导体装置制造，特别是高电子迁移率晶体管(high
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electron
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mobility transistor)的结构和形成高电子迁移率晶体管的结构的方法。

技术介绍

[0002]高压电力电子装置，例如高电子迁移率晶体管，可使用III
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V族化合物半导体来制造，以利用其材料特性，例如大于硅的载流子(carrier)迁移率的载流子迁移率。III
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V族化合物半导体是由III族元素(铝、镓、铟)与V族元素(氮、磷、砷、锑)结合而成。高电子迁移率晶体管可以包括具有不同带隙的III
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V族化合物半导体材料之间的异质结(heterojunction)，例如二元(binary)氮化镓和三元(trinary)氮化铝镓之间的异质结。在操作期间，在高电子迁移率晶体管的异质结处的界面附近形成二维电子气(electron gas)。二维电子气定义了高电子迁移率晶体管的沟道(channel)。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种结构，其特征在于，包括：高电子迁移率晶体管，其包括第一半导体层、沿界面邻接该第一半导体层的第二半导体层、栅极电极和源/漏区域；以及第一绝缘区域，其位于该第一半导体层和该第二半导体层中，该第一绝缘区域在横向位于该栅极电极和该源/漏区域之间的第一位置处延伸穿过该界面。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该第一半导体层由第一半导体材料组成，该第二半导体层由成分与该第一半导体材料不同的第二半导体材料组成，且该第一绝缘区域包括该第一半导体材料的一部分和包含一种元素种类的原子的该第二半导体材料的一部分。3.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，该第一半导体材料为氮化铝镓，该第二半导体材料为氮化镓，且该元素种类为氟。4.根据权利要求2所述的结构，其特征在于，该第一半导体材料为氮化铝镓，该第二半导体材料为氮化镓，且该元素种类为氟、氮或铁。5.根据权利要求1所述的结构，其特征在于，该结构还包括：第一沟槽，其位于该第一半导体层和该第二半导体层中，其中，该第一绝缘区域横向位于该第一沟槽和该源/漏区域之间。6.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，该第一沟槽包括端部，且该第一绝缘区域位于该第一沟槽的该端部附近。7.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，该结构还包括：共形介电层，其位于该第一沟槽的该端部的该第一半导体层和该第二半导体层上，该共形介电层位于该第一绝缘区域和该第一沟槽的该端部之间，其中，该栅极电极包括位于该第一沟槽中的第一部分，该栅极电极的该第一部分与该第一沟槽的该端部的该共形介电层之间具有间隙。8.根据权利要求6所述的结构，其特征在于，该结构还包括：共形介电层，其位于该第一沟槽的该端部的该第一半导体层和该第二半导体层上，该共形介电层位于该第一绝缘区域和该第一沟槽的该端部之间，其中，该栅极电极包括位于该第一沟槽中的第一部分，且该栅极电极的该第一部分在该第一沟槽的该端部与该共形介电层直接接触。9.根据权利要求5所述的结构，其特征在于，该结构还包括：第二绝缘区域，其位于该第一半导体层和该第二半导体层中，该第二绝缘区域在横向位于该栅极电极和该源/漏区域之间的第二位置处延伸穿过该界面；以及第二沟槽，其位于该第一半导体层和该第二半导体层中，其中，该第二绝缘区域横向位于该第二沟槽和该源/漏区域之间。10.根据权利要求9所述的结...

【专利技术属性】
技术研发人员：雷嘉成，L，
申请(专利权)人：新加坡商格罗方德半导体私人有限公司，
类型：发明
国别省市：