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高电子迁移率晶体管的结构和形成高电子迁移率晶体管的结构的方法。高电子迁移率晶体管具有第一半导体层、沿界面邻接第一半导体层的第二半导体层、栅极电极和源/漏区域。绝缘区域设置在第一半导体层和第二半导体层中。绝缘区域在横向位于栅极电极和源/漏区域...
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