一种高栅极可靠性的增强型GaNHEMT器件制造技术

本实用新型专利技术公开了一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件，该GaN HEMT器件，包括依次层叠的衬底层、异质结层、p

【技术实现步骤摘要】
一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件


[0001]本技术属于高电子迁移率晶体管(HEMT)
，涉及一种p
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GaN栅增强型GaN
‑
HEMT器件，具体涉及一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件。

技术介绍

[0002]高电子迁移率晶体管(HEMT)是一种异质结场效应晶体管，这种器件依靠半导体异质结中具有量子效应的二维电子气(2DEG)形成导电沟道，评判器件的性能是由二维电子气的密度、迁移率的大小和饱和速度等因素共同决定的。HEMT具有电子迁移率、电流大、击穿电压高等特点，广泛应用于高频大功率的场合。GaN材料具有禁宽带、击穿电场强、电子饱和速度高、热导率高等特点，广泛应用于高温、高辐射领域半导体器件的制作，并能降低能耗。同时，GaN材料具有很强的自发和压电极化效应，该特性能够提高HEMT结构中二维电子气的密度和迁移率，因此基于GaN材料的HEMT成为目前高频功率器件和功率开关器件等领域的研究热点。
[0003]由于势垒层与沟道间极化引起的高浓度二维电子气(2DEG)，GaN基HEM本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件，其特征在于：包括依次层叠的衬底层(1)、异质结层、p
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GaN层(4)、AlN高势垒层(5)，以及金属电极；所述异质结层包括设于衬底上的GaN缓冲层(2)及设于GaN缓冲层(2)上的AlGaN势垒层(3)，所述金属电极包括设于异质结上的源极(6)和漏极(7)以及设于AlN高势垒层(5)上且位于源极和漏极之间的栅极(8)。2.根据权利要求1所述的高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件，其特征在于：所述AlN高势垒层(5)位于栅下区域，栅下区域为栅极(8)在异质结上正投影所覆盖的区域。3.根据权利要求1所述的高栅极可靠性的增强型GaN HEMT器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：罗启宇，陈子煊，李霆威，左建伟，杨博，施媛媛，
申请(专利权)人：成都信息工程大学，
类型：新型
国别省市：