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本实用新型公开了一种晶圆结构，它包括衬底、生长在衬底上的氮化镓基外延结构、基于氮化镓基外延结构制备的具有横向沟道的器件和纵向沟道的器件，横向沟道器件和纵向沟道器件的栅长方向分别平行于氮化镓晶体晶系的两个等效晶向，横向沟道器件的栅长方向垂直纵...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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