所执行代码中的错误识别制造技术

本公开包含用于对所执行代码进行错误识别的设备、方法和系统。实施例包含存储器和电路系统，所述电路系统配置成：读取存储在所述存储器的安全阵列中的数据；识别具有对应于所述存储器的读取数据的错误校正码(ECC)的不同存储器；执行完整性检查以将所述ECC与所述存储器的所述读取数据进行比较；和响应于所述存储器的所述读取数据与所述ECC的所述比较而采取动作，其中所述比较指示所述ECC识别所述存储器的所述读取数据中的错误。储器的所述读取数据中的错误。储器的所述读取数据中的错误。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】所执行代码中的错误识别


[0001]本公开大体上涉及半导体存储器和方法，且更确切地说涉及识别所执行代码中的错误。

技术介绍

[0002]存储器装置通常提供为计算机或其它电子装置中的内部半导体集成电路和/或外部可移除装置。存在许多不同类型的存储器，包含易失性及非易失性存储器。易失性存储器可能需要电力来维持其数据，且可包含随机存取存储器(RAM)、动态随机存取存储器(DRAM)和同步动态随机存取存储器(SDRAM)等等。非易失性存储器可通过当不被供电时保存所存储的数据来提供永久性数据，并且可包含NAND快闪存储器、NOR快闪存储器、只读存储器(ROM)以及电阻可变存储器，例如相变随机存取存储器(PCRAM)、电阻性随机存取存储器(RRAM)和磁性随机存取存储器(MRAM)等等。
[0003]存储器装置可组合到一起形成固态驱动器(SSD)、嵌入式多媒体卡(例如MMC)和/或通用快闪存储(UFS)装置。SSD、e.MMC和/或UFS装置可包含非易失性存储器(例如，NAND快闪存储器和/或NOR快闪存储器)，和/或可包含易失性存储器(例如，DRA本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种设备，其包括：存储器；和电路系统，其与所述存储器相关联，所述电路系统配置成：读取存储在所述存储器的安全阵列中的数据；识别具有对应于所述存储器的读取数据的错误校正码(ECC)的不同存储器；执行完整性检查以将所述ECC与所述存储器的所述读取数据进行比较；和响应于所述存储器的所述读取数据与所述ECC的所述比较而采取动作，其中所述比较指示所述ECC识别所述存储器的所述读取数据中的错误。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成确定应用于由所述ECC识别的所述错误的校正将额外错误引入到所述ECC。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述ECC由所述不同存储器与所述存储器的所述读取数据并行地读取。4.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其中所述完整性检查由所述存储器响应于所述存储器的启动过程而执行。5.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其中所采取的动作是响应于由所述ECC识别的所述错误而避免校正所述存储器的所述读取数据中的所述错误。6.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其中所述电路系统进一步配置成确定由所述ECC识别的所述错误是否影响与所述存储器的所述读取数据相关联的主机装置的操作。7.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其中所述不同存储器的所述ECC和所述存储器的所述读取数据与同所述存储器和所述不同存储器相关联的主机装置的动力系操作相关联；且其中所述电路系统进一步配置成：响应于所述ECC识别所述存储器的所述读取数据中的所述错误的所述指示而生成警告；和将所述警告传输到与所述存储器和所述不同存储器相关联的所述主机装置。8.根据权利要求1到3中任一项所述的设备，其中所述存储器基于由所述不同存储器的所述ECC识别的所述错误而避免对所述存储器的所述读取数据应用校正。9.一种设备，其包括：存储器；和电路系统，其与所述存储器相关联，所述电路系统配置成：读取存储在所述存储器的安全阵列中的错误校正码(ECC)；识别具有对应于所述存储器的所述ECC的读取数据的不同存储器；执行完整性检查以将所述ECC与所述不同存储器的所述读取数据进行比较；和响应于所述不同存储器的所述读取数据与所述存储器的所述ECC的所述比较而采取动作，其中所述比较指示所述ECC识别所述不同存储器的所述读取数据中的错误。10.根据权利要求9所述的设备，其中所述存储器包含所述ECC以监测当所述数据由所述不同存储器读取时引入到所述不同存储器的所述读取数据的错误。11.根据权利要求9所述的设备，其中所述存储器和所述不同存储器与主机相关联，且其中当制造所述主机时，将所述读取数据写入...

【专利技术属性】
技术研发人员：A，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：