电子、光子引发可逆相变的光记录介质制造技术

本发明专利技术属光盘存储技术领域。记录介质的可逆相变发生在玻璃态与晶态之间。写入信息对应介质从晶态到玻璃态的转变，擦除则相反，技术上应解决的问题是：玻璃态的热稳性：即写入信息能长期保存；写入后的快擦除：即晶化速率应尽可能快；相变中的热疲劳：即写／擦循环数应尽可能高。本发明专利技术设计的材料具有（１）较大光能隙，（２）光致突发晶化，（３）适用于不同波段。因而能够较好解决以上难题，并可制成直接重写数据盘用于计算机外存，或制成录相盘作图像处理专用。（*该技术在2012年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
一、本专利技术属光盘存储
，是直接重写或可擦重写相变光盘记录介质的材料设计。二、传统可擦重写相变光盘记录介质相变光盘是否稳定可靠，材料是关键。而材料设计能否满足高数据传输速率的要求，又取决于记录介质能否在两个稳定态之间实现快速可逆相变。迄今为止，相变光盘的材料设计都是基于介质在激光脉冲的热诱导下发生的晶化与非晶化的可逆变化。非晶化过程用液相快淬实现，晶化过程通过晶核形成、晶粒长大来完成;前者对应于记录介质信息的写入，后者对应信息的擦除。对材料的要求是1、光响应灵敏度高2、非晶态的热稳定性好3、晶化速率快4、两态之间的反衬度高为满足要求1，通常采用硫系元素为基，例如碲(Te)基、硒(Se)基或(TeSe)基。一是由于它是具有二度配位的共价键结构，属欠约束;二是由于它具有孤对电子，孤对电子价带位于成键电子价带之上，所以孤对电子容易因激发而使介质发生相结构的变化。为满足要求2，需要在硫系元素为基的材料中加入Ⅲ族(如In)、Ⅳ族(如Ge)或Ⅴ族(Sb)等元素，以加强链间的联结或变链结构为稳定性较强的拓朴网络，以加强非晶态的热稳定性。为满足要求3，在制备过程中还要掺入能起成核或催化作用的元本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在可擦重写相变光盘记录介质中实现激光光致突发晶化的方法。其特征在于介质的激光光晶化可以在几个纳秒的时间内突然发作。然后通过声子参与的弛豫过程在几十纳秒的时间内完成。即：光晶化过程＝光致突发晶化（１～２ｎｓ）＋声参弛豫过程（几十ｎｓ）。它不像激光热晶化那样通过晶核形成、晶粒长大的较长晶化过程。

【技术特征摘要】
1.一种在可擦重写相变光盘记录介质中实现激光光致突发晶化的方法。其特征在于介质的激光光晶化可以在几个纳秒的时间内突然发作。然后通过声子参与的弛豫过程在几十纳秒的时间内完成。即光晶化过程=光致突发晶化(1～2ns)+声参弛豫过程(几十ns)。它不像激光热晶化那样通过晶核形成、晶粒长大的较长晶化过程。2.根据权利1所述、基于激光光致相变的材料设计。其特征在于相变记录介质应由几组二元化合物为基，结合成光能隙在0.5～4.5eV之间的多元准共晶系介质，它具有能在晶态与玻璃态之间引发可逆相变的特征。(1)以下各种二元化合物的任意一种可以形成多元准共晶系的组合，其光能隙在0.5～4.5eV之间。Ⅰ Ⅱ ⅢGa2Te3Ga2Se3GeTeAs...

【专利技术属性】
技术研发人员：戎霭伦，司徒活，赵晶，叶倩青，张维佳，吕燕伍，于泓涛，张新海，
申请(专利权)人：北京航空航天大学，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]