一种光存储材料制造技术

本发明专利技术公开了一种光信息存储材料结构设计及制备方法。 本发明专利技术采用多层结构材料设计，形成相互交替排列的电子给体层和电子俘获层。给体层中激发的电子通过扩散外场作用可转移到离给体中心较远处，以致被俘获层中的陷阱中心俘获，从而提高信息写入效率。写入和外场停止后，俘获层中的电子很难自发回到原来的状态，从而提高信息存储的稳定性。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光信息存储材料，具体地说，涉及一种光信息存储材料结构设计及制备方法。用于光存储的电子俘获技术是美国马里兰州洛克维尔的Optex公司在八十年代末提出的[J.Lingmayer，Solid state Technology/August，135(1988)]，所用材料是稀土离子双掺杂的某Ⅱ-Ⅵ族化合物蒸镀膜。材料中一种稀土作为电子给体提供电子，另一种为陷阱俘获电子。给体中心的电子吸收光子跃迁到高能态并被陷阱中心俘获，这一过程是信息的写入和存储。在红外光作用下，陷阱中的电子被释放重新返回基态发射光子，这一过程是信息的读出。这是一种不产生热也不需要加热的光子过程，因此，它比目前的磁光和相变技术更快且介质读写循环寿命趋于无限。同时这类材料写入和读出的光强在很大范围内呈极好的线性，作为模拟记录或多电平数字记录介质使用时，可比现有光盘提高存贮密度几倍。但目前采用的材料设计都是单层结构，即给体中心和陷阱中心同时分布在同一层中。当给体中心的电子吸收光子被激发后最大可能地被周围邻近的陷阱中心俘获，由于距离较近，陷阱中心的电子无论通过热激活还是隧穿方式重新返回给体中心的几率都不小，本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光存储材料，其特征在于电子给体层和电子俘获层为相互交替排列。

【技术特征摘要】
1.一种光存储材料，其特征在于电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：虞家琪，张家骅，
申请(专利权)人：中国科学院长春物理研究所，
类型：发明
国别省市：22[中国|吉林]