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本发明公开了一种光信息存储材料结构设计及制备方法。 本发明采用多层结构材料设计，形成相互交替排列的电子给体层和电子俘获层。给体层中激发的电子通过扩散外场作用可转移到离给体中心较远处，以致被俘获层中的陷阱中心俘获，从而提高信息写入效率。...
该专利属于中国科学院长春物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春物理研究所授权不得商用。

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