薄膜磁记录介质制造技术

由纵向定向的多晶态铁酸钡组成的高密度记录介质具有大的矫顽力，良好的抗腐蚀性，高的硬度及优良的耐久性。通过在环境温度下用化学计量的靶进行轴线溅射，接着对已形成的沉积物在约８５０℃的温度下退火以形成结晶来制备膜。结晶使磁性膜具有大的平面顽磁感应强度和形成大大改善铁酸钡盘损耗性能的精细结构。在盘上不加涂层就具有优异的耐久性。通过用少量Ｃｒ↓［２］Ｏ↓［３］或其它添加剂掺杂，可产生小到２００Ａ的晶粒。在小晶粒的膜中达到大于４０００Ｏｅ的矫顽力。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术概括地说涉及磁记录介质，更具体地说，涉及用于纵向磁记录的铁酸钡薄膜。铁酸钡化合物(钡、铁、和氧的化合物)由于其磁性能而得到广泛的研究。有一种这样的化合物是磁铅石型铁氧体(magnetoplumbite phase)，(BaFe12O19)其经常被称作M或M-Ba相。磁铅石型铁氧体是六方对称的并且由多层密堆积的氧平面组成，铁原子占据几个不同的间隙位置，并且在每个第五层钡原子取代了氧。晶胞由二类BaFe12O19单元组成。在间隙位置上的铁原子的磁矩平行于C晶轴并且部分地相互抵消，导致最大为450℃的居里温度下的铁磁态。室温时，材料具有大的单晶轴各向异性并且易磁化轴平行于C晶轴。由于外加磁场平行于易磁化轴，曾有报道，对于小的单个晶粒，矫顽力大于6000 Oe，对于M相薄膜，矫顽力接近5000 Oe。铁酸钡曾以单个晶粒弥散于粘合材料中的形式用作磁记录介质。这些介质中的粒子在粘合材料固化过程中由于对结构施加磁场而被定向。铁酸钡粒子介质的磁性能与传统的薄膜钴合金磁盘非常接近。这种粒子介质的优异性能归结于其大的各向异性场和粒子的磁退耦性。然而在驱动高密度记录盘方面，由于钴基合金介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜磁记录介质包括：基质；和在基质上形成的平面矫顽力大于５０００Ｏｅ的铁酸钡膜。

【技术特征摘要】
US 1993-5-28 0690601.一种薄膜磁记录介质包括基质；和在基质上形成的平面矫顽力大于5000 Oe的铁酸钡膜。2.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中的铁酸钡膜具有随意定向的结晶结构。3.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜含有BaFe12O19。4.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜是用Cr2O3掺杂的BaFe12O19。5.权利要求4的薄膜磁记录介质，其中的铬为所说的铁酸钡膜的体积的0.1%到1%。6.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中的铁酸钡膜用选自于这样的一组材料掺杂，这组材料包括ZrO2和Y2O3·ZrO2。7.权利要求6的薄膜磁记录介质，其中所说的材料为所说的铁酸钡膜体积的1到10%。8.权利要求1的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜用选自于这样的一组材料掺杂，这组材料包括Cr2O3，SiO2，TiO2，Y2O3，CoO·TiO2。9.一种薄膜磁记录介质包括基质;和具有大于2000 Oe的平面矫顽力和小于300A的颗粒尺寸的在所说基质上的铁酸钡膜。10.权利要求9的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜是用Cr2O3掺杂的BaFe12O19。11.权利要求9的薄膜记录介质，其中铬为所说铁酸钡膜体积的0.1到1%。12.权利要求9的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜用选自于这样的一种材料掺杂，这组材料包括SiO2，TiO2，ZrO2，Y2O3，Y2O3ZrO2，Al2O3和CoO TiO2。13.权利要求9的薄膜磁记录介质，其中所说的铁酸钡膜的表面具有超过20A RMS.的粗糙度。14.一种磁记录盘驱动系统包括记录盘，它包括基质;和具有大于2000 Oe的平面矫顽力和小于300A的晶粒尺寸的在基质上形成的铁酸钡膜;驱动换能器相对于所说的记录盘运动以便从所说的记录盘读出或对所说的记录盘写数据的装置。15.权利要求14的磁记...

【专利技术属性】
技术研发人员：RH阿勒特，JK霍瓦尔德，TL黑尔顿，MA帕克，MI犹拉，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]