电流偏置磁性自旋阀式传感元件制造技术

一种基于旋转阀效应的磁阻读取传感器，其中读取元件电阻分量随在两层邻接磁性层中之磁化方向间的角度余弦而变化，并包括两层以非磁性金属层隔开的铁磁性层，其中一层的磁性易形成轴沿其纵轴取向且垂直于邻接之磁性储存介质的磁道宽度。传感电流产生偏置磁场，使两层中的磁化方向取向为相对于磁性易形成轴成一相等且相反的角度θ，在无施加磁场信号时提供２θ的角度分离，而在施加磁场时以２δθ的量改变两层的角度分离。（*该技术在2013年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术一般涉及用于读取记录于磁性介质中的信息信号的磁性转换器，更特定言之，系涉及一种改进的磁阻读取传感器，它利用多层、旋转阀结构及传感器传感电流来设定该传感器的无信号操作点。先有技术揭示过称为磁阻(magnetoresistive，下文简称MR)传感器或磁头的磁性读取转换器，其已经显示能够自高线性密度的磁性表面读取数据。MR传感器通过由磁性材料制作的读取元件的电阻变化而检测为该读取元件所感测到的磁通量强度及方向的函数的磁场信号。这些先有技术的MR传感器以异向性磁阻(anisotropic magnetoresistive，下文简称AMR)效应为基础而操作，其中该读取元件电阻的一个分量随磁化和传感电流流经该元件的方向之间的角度的余弦(cos)平方(cosine2)之平方而改变。这种AMR效应的更详细说明可在D.A.汤普森(D.A.Thompson)等人发表于国际电机及电子工程会报杂志，HAG-11，第1039页(1975)(IEEE Trans.Mag.MAG-11，p.1039(1975))的“存储器、存储装置、及相关应用”(Memory，Storage，and Relat本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁阻传感器，其特征在于， 以一非磁性金属材料层隔开的一第一及一第二铁磁性料层，在所述第一及第二铁磁性材料层中的磁性易形成轴基本平行，响应于所述磁阻传感器中传感电流所产生磁场的所述第一及第二铁磁性材料层的磁化方向分别相对于所述磁性易形成轴以相等且相反的角度取向，响应于施加磁场的所述磁阻传感器电阻变化为在所述第一及第二铁磁性材料层中的所述磁化方向之间角度变化的函数，所述第一及第二铁磁性材料层每一层的磁化响应于所述施加磁场。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1992-11-17 977,3821.一种磁阻传感器，其特征在于，以一非磁性金属材料层隔开的一第一及一第二铁磁性料层，在所述第一及第二铁磁性材料层中的磁性易形成轴基本平行，响应于所述磁阻传感器中传感电流所产生磁场的所述第一及第二铁磁性材料层的磁化方向分别相对于所述磁性易形成轴以相等且相反的角度取向，响应于施加磁场的所述磁阻传感器电阻变化为在所述第一及第二铁磁性材料层中的所述磁化方向之间角度变化的函数，所述第一及第二铁磁性材料层每一层的磁化响应于所述施加磁场。2.根据权利要求1的磁阻传感器，其特征在于所述第一和第二铁磁性材料层是由选自含有铁、钴、镍、及铁的、钴的或镍的合金的一组铁磁性材料所组成。3.根据权利要求1的磁阻传感器，其特征在于所述第一和第二铁磁性层每一层的磁性易形成轴与所述第一及第二铁磁性层的纵轴平行排列。4.根据权利要求1的磁阻传感器，其特征在于所述第一和第二铁磁性层及所述非磁性金属层形成具有长度及宽度的多层磁阻传感元件，所述磁阻传感元件如此取向，使得其纵轴基本垂直于所述磁阻传感器的空气轴承面。5.根据权利要求4的磁阻传感器，其特征在于所述磁阻传感元件的下端与所述空气轴承面共平面，所述磁阻传感元件的所述下端暴露在所述空气轴承面。6.根据权利要求4的磁阻传感器，其特征在于进一步包括淀积于所述磁阻传感元件之端部区域之上、使所述磁阻传感器与外部电路相耦合的一导电材料层，所述端部区域界定所述磁阻传感元件的上及下端。7.根据权利要求6的磁阻传感器，其特征在于进一步包括淀积于自所述空气轴承面之远侧的所述磁阻传感元件上端处的端部区域之上的一偏置层，用以在所述磁阻传感元件中提供纵向偏置磁场。8.根据权利要求7的磁阻传感器，其特征在于所述偏置层包括淀积与所述铁磁性层之一层直接接触、借助于反铁磁性-铁磁性交换耦合而提供所述纵向偏置磁场的反铁磁性材料层。9.根据权利...

【专利技术属性】
技术研发人员：威廉查尔斯凯恩，伯纳德戴尼，小罗伯特爱德华方塔纳，弗吉尔西蒙斯派利欧芬，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]