磁致电阻磁头中的多层导线制造技术

一种磁致电阻传感器包括：一形成在衬底上的磁致电阻材料，并且有第一边缘和第二边缘。第一多层导线结构与第一边缘电连接，第二多层导线结构与第二边缘电连接。第一和第二导线结构由多层相互交叠的薄膜材料构成，至少一层难熔金属薄膜夹在两层高导金属薄膜之间。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及磁致电阻传感器中的导线结构，特别涉及磁致电阻传感器中由难熔层和导电层交叠的多层导线结构。一种磁变换器，常称为磁致电阻(MR)传感磁头被用作磁数据存储和记录介质的部件。MR传感器能以高线性密度从磁表面读取数据。它通过作为由磁致电阻材料制成的读取元件所检测到的磁通量和方向的函数的该元件电阻变化来探测磁场信号。除磁致电阻材料之外，MR传感器还具有与检测读出数据时出现的电阻变化的MR膜相连接的导线结构。一般，通过MR膜送出一恒定电流，由这些导线测出由电阻变化所致的电压变化。构成这些导线的优选材料是一种高导材料，如金属。在该MR导线的应用中，当将这些材料与其它互连导体相比时，如用于半导体器件的，对这些材料要求更加严格。这是因为导线以及MR薄膜是暴露于磁头气承表面(ABS)的。该磁头在不可能对环境进行很好控制的加工和实际使用过程中，对磁头—磁盘频频发生接触的恶劣机械环境和发生化学浸蚀的恶劣锈蚀环境几乎没有防御能力。早先的磁头是纯金冶金和可作引线导体的其它高导通材料制造。但由于露于气承表面，这些软金属的可靠性带有潜在的电迁移、塑炼及结核形成的风险。引入钨作为金的替代物，这是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁致电阻传感器，包括：一在衬底上形成的磁致电阻材料，具有第一边缘和第二边缘；一与第一边缘电连接的第一多层导线结构；以及一与第二边缘电连接的第二多层导线结构。其中的第一和第二导线结构由多层薄膜材料构成，其中的各层是一层难熔金属薄膜一层高导金属薄膜地交叠，并且其中的第一和第二导线结构还在于具有至少一层难熔金属层夹在由高导金属组成的两层薄膜之间。

【技术特征摘要】
US 1994-5-4 2377441.一种磁致电阻传感器，包括一在衬底上形成的磁致电阻材料，具有第一边缘和第二边缘；一与第一边缘电连接的第一多层导线结构；以及一与第二边缘电连接的第二多层导线结构。其中的第一和第二导线结构由多层薄膜材料构成，其中的各层是一层难熔金属薄膜一层高导金属薄膜地交叠，并且其中的第一和第二导线结构还在于具有至少一层难熔金属层夹在由高导金属组成的两层薄膜之间。2.根据权利要求1的磁致电阻磁头组合件，其中的难熔金属取自由钽、钨、钛、铌及铬组成的集合。3.根据权利要求2的磁致电阻磁头组合件，其中的难熔金属是钽。4.根据权利要求1的磁致电阻磁头组合件，其中的高导金属取自由金、金镍合金及金铜合金组成的集合。5.根据权利要求4的磁致电阻磁头组合件，其中的高导金属是金。6.根据权利要求4的磁致电阻磁头组合件，其中的高导金属是铜(Cu)含量在0—50％范围的金二元合金。7.根据权利要求6的磁致电阻磁头组合件，其中的高导金属是铜含量为45％的金二元合金。8.根据权利要求4的磁致电阻磁头组合件，其中的高导金属是镍(Ni)含量在0—15％范围的金二元合金。9.根据权利要求8的磁致电阻磁头组合件，其中的高导金属是镍含量为10％的金二元合金。10.根据权利要求1的磁致电阻磁头组合件，其中的难熔金属是钽，而高导金属是金，其中钽层厚度对金属厚度之比小于33％。11.根据权利要求10的磁致电阻磁头组合件，其中的钽层厚度对金属厚度之比大于10％。12.根据权利要求11的磁致电阻磁头组合件，其中的钽层厚度是35A°，而金属厚度是200A°。13.根据权利要求1的磁致电阻磁头组合件，其中的磁致电阻材料由一覆盖着衬底的屏蔽层；...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈茂民，古特伯莱特凯瑟琳玛丽，库隆比托菲克穆罕默德，拉蒂默K杰奎琳，皮纳巴希巴思塔法，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]