制造逆磁电阻磁头的方法技术

披露了一种制造可逆磁阻磁头的方法。该方法包括制造一个写部分，它包括位于有槽的基片（５４）内的底极（５６）。底极被填充铜线圈（６４）和聚合物（５８）。在聚合物部分上制造写间隙（６４Ａ），极尖（７２）以及顶极（６７）。顶极的顶面被弄成平面，并在顶极上制造底屏蔽（７４），从而形成基本平滑的平面，在其上可以放置读部分。在写部分的顶上制造读部分，它包括第一读间隙（７８），磁阻元件（８０），第二读间隙（８４）以及屏蔽（８６）。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造高频、高数据速率和高磁道密度的磁阻磁头的方法，具体地说涉及制造在其写部分的顶部具有读部分的可逆磁阻磁头的方法。已经制造了在其读部分的顶部具有写部分的标准的磁阻磁头(MR)。它被用于磁存储系统中从磁存储介质或盘中检测磁编码信号并把磁编码信息写入存储介质中。在读的方式下，和来自磁存储介质的转变相关的与时间有关的磁场直接调制MR元件的电阻率。在操作中，MR电阻的变化可借助于向MR元件通一检测电流并检测MR元件上的电压来检测。所产生的信号可被用于从磁存储介质中恢复信息或数据。实际的MR元件一般使用铁磁金属合金制成，这是因为它们具有高的导磁率，其中的一个例子是镍铁(NiFe)合金。在电绝缘的基片或芯片的表面上淀积铁磁材料的薄膜。来自磁存储介质的变化的磁场引起MR元件的磁化方向的改变，从而改变检测器的电阻。这现象叫作MR效应。MR元件本身包括淀积在构成MR元件的磁屏蔽层上的MR材料条。一系列的淀积和蚀刻处理形成MR元件的活性区部分。活性区是MR元件检测磁存储介质的磁场变化的区域。变化的磁场使MR元件的电阻率改变。一般的电阻变化的数量级为百分之0.5到百分之2.0。上部本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造可逆磁阻磁头的方法，该方法包括：在远离磁头的空气承载面（５２）的基层（５４）的凹部制造底极（５６）；在底极的上方设置聚合物绝缘层（５８）和导电线圈（６４）；其特征在于包括：在聚合物绝缘层的顶面的平面下方的一个平面的顶极的顶上制造写间隙；在接近空气承载面的写间隙中制造高磁矩材料的极尖（７２）；在极尖和写间隙的顶上制造具有弄成平面的顶面的底屏蔽（７４）；在底屏蔽的顶上制造第一读间隙（７８）；在接近空气承载面的第一读间隙的部分的顶上形成磁阻元件（８０）；在第一读间隙部分的顶上制造电接触（８２），所述电接触连接磁阻元件和可逆磁阻磁头的外部区域；在电接触和磁阻元件的顶上制造第二个读间隙（８４）；...

【技术特征摘要】
US 1995-6-7 4772901.一种制造可逆磁阻磁头的方法，该方法包括在远离磁头的空气承载面(52)的基层(54)的凹部制造底极(56)；在底极的上方设置聚合物绝缘层(58)和导电线圈(64)；其特征在于包括在聚合物绝缘层的顶面的平面下方的一个平面的顶极的顶上制造写间隙；在接近空气承载面的写间隙中制造高磁矩材料的极尖(72)；在极尖和写间隙的顶上制造具有弄成平面的顶面的底屏蔽(74)；在底屏蔽的顶上制造第一读间隙(78)；在接近空气承载面的第一读间隙的部分的顶上形成磁阻元件(80)；在第一读间隙部分的顶上制造电接触(82)，所述电接触连接磁阻元件和可逆磁阻磁头的外部区域；在电接触和磁阻元件的顶上制造第二个读间隙(84)；以及在第二读间隙的顶上制造顶屏蔽(86)。2.如权利要求1的方法，其中制造具有平面的顶面的底屏蔽的步骤还包括在极尖和写间隙的顶上制造顶极(67)；把顶极的顶面弄成平面；以及在顶极的顶上制造底屏蔽。3.如权利要求2的方法，其中使顶极的顶面成为平面的步骤包括在顶极的顶面的顶上淀积氧化物层(75)；在氧化物层的顶上涂上光刻胶层；并且反应离子蚀刻氧化层和光刻胶层，直到顶极的顶面基本光滑为止。4.如权利要求1至3任何一个所述的方法，还包括使底屏蔽的顶面成为平面的步骤。5.如前面任一权利要求的方法，其中制造底极的步骤还包括把聚合物镀在基层中，6.如前面任一权利要求的方法，其中底极由镀的坡莫合金制成。7.如前面任一权利要求的方法，其中写间隙由硅石，钻石状碳或氧化铝制成。8.如前面任一权利要求的方法，还包括在写间隙中离子铣沟道(70)；以及用高磁矩材料填充沟道。9.如前面任一权利要求的方法，其中在接近空气承载面的写间隙中形成高磁矩材料的极尖的步骤还包括在接近空气承载面的写间隙中铣出沟道(70)；在沟道中镀以高磁矩材料的极尖，使得极尖的顶面高于写间隙的顶面(68)；并且离子铣极尖的第一、第二侧，以便提供极尖的合适宽度。10.如权利要求1至8任何一个的方法，其中在接近空气承载面的写间隙中形成高磁矩材料的极尖的...

【专利技术属性】
技术研发人员：AE舒尔茨，FE施泰堡，KP阿什，BS扎克，
申请(专利权)人：西加特技术有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]