对定位不正确的读取电压的检测制造技术

本申请涉及对定位不正确的读取电压的检测。一种存储器装置，其对存储器单元群组进行编程以在每一存储器单元中存储多个位。所述群组中的每一存储器单元的每一位来自页。在确定所述存储器单元群组的多个读取电压之后，所述存储器装置可使用所述多个读取电压读取所述群组的多个页。针对所述多个页中的每一相应页，所述存储器装置可确定所述相应页中第一存储器单元的计数，所述第一存储器单元的阈值电压高于用于读取所述相应页的所述多个读取电压中最高的读取电压。可将所述第一存储器单元的所述计数与所述相应页中存储器单元的一部分的预定范围进行比较，以评估所述多个读取电压(例如，所述读取电压中的任一个是否处于错误电压范围)。误电压范围)。误电压范围)。

【技术实现步骤摘要】
对定位不正确的读取电压的检测


[0001]本文所公开的至少一些实施例大体上涉及存储器系统，且更确切地说，但不限于配置成检测定位不正确的读取电压的存储器系统。

技术介绍

[0002]一种存储器子系统可包含存储数据的一或多个存储器装置。存储器装置可以是例如非易失性存储器装置和易失性存储器装置。一般来说，主机系统可利用存储器子系统将数据存储在存储器装置处且从存储器装置检索数据。

技术实现思路

[0003]一方面，本申请提供一种存储器装置，其包括：集成电路封装，其围封所述存储器装置；以及多个存储器单元群组，其形成于至少一个集成电路裸片上；其中响应于识别所述多个群组内的存储器单元群组的命令，所述存储器装置配置成对所述存储器单元群组进行编程以在每一存储器单元中存储多个位，所述存储器单元群组包含分别对应于每一存储器单元的所述多个位的多个页；确定所述存储器单元群组的多个读取电压；使用所述多个读取电压读取所述多个页；针对所述多个页中的每一相应页，确定所述相应页中第一存储器单元的计数，其中所述第一存储器单元中的每一个的阈值电压高于用于读取所述相应页的所述多个读取电压中最高的读取电压；以及将所述第一存储器单元的所述计数与所述相应页中存储器单元的一部分的预定范围进行比较，以评估所述多个读取电压。
[0004]另一方面，本申请还提供一种方法，其包括：对存储器装置中的存储器单元群组进行编程以在每一存储器单元中存储多个位，所述存储器单元群组包含分别对应于每一存储器单元的所述多个位的多个页；确定所述存储器单元群组的多个读取电压；使用所述多个读取电压读取所述多个页；针对所述多个页中的每一相应页，确定所述相应页中第一存储器单元的计数，其中所述第一存储器单元中的每一个的阈值电压高于用于读取所述相应页的所述多个读取电压中最高的读取电压；以及将所述第一存储器单元的所述计数与所述相应页中存储器单元的一部分的预定范围进行比较，以评估所述多个读取电压。
[0005]再一方面，本申请还提供一种存储器子系统，其包括：处理装置；以及至少一个存储器装置，所述存储器装置具有形成于集成电路裸片上的存储器单元群组，所述存储器单元群组编程成在每一存储器单元中存储多个位，所述存储器单元群组包含分别对应于每一存储器单元的所述多个位的多个页；其中所述处理装置配置成将具有标识所述存储器单元群组的地址的命令传输到所述存储器装置；其中响应于所述命令，所述存储器装置配置成：确定所述存储器单元群组的多个读取电压；使用所述多个读取电压读取所述多个页；针对所述多个页中的每一相应页，确定所述相应页中第一存储器单元的计数，其中所述第一存储器单元中的每一个的阈值电压高于用于读取所述相应页的所述多个读取电压中最高的读取电压；以及将所述第一存储器单元的所述计数与所述相应页中存储器单元的一部分的预定范围进行比较，以评估所述多个读取电压。
附图说明
[0006]在附图的图式中作为实例而非限制示出实施例，在附图中，相同的参考标号指示类似元件。
[0007]图1示出根据本公开的一些实施例的具有存储器子系统的实例计算系统。
[0008]图2示出根据一个实施例的具有配置成测量信号和噪声特性的校准电路的集成电路存储器装置。
[0009]图3展示根据一个实施例的测量信号和噪声特性以改进存储器操作的实例。
[0010]图4
‑
6示出根据一个实施例的根据计数差计算优化读取电压的技术。
[0011]图7展示根据一个实施例的计算用于读取存储器单元群组的优化读取电压的方法。
[0012]图8展示根据一个实施例的确定用于读取存储器单元群组的优化读取电压是否位于正确电压范围中的方法。
[0013]图9为本公开的实施例可在其中操作的实例计算机系统的框图。
具体实施方式
[0014]本公开的至少一些方面涉及一种存储器子系统，其配置成以高效方式计算用于从存储器单元群组的信号和噪声特性读取存储器单元群组的优化电压，且确定所述优化电压是否位于正确电压范围中。下文结合图1描述存储装置和存储器模块的实例。一般来说，主机系统可利用包含一或多个组件的存储器子系统，所述一或多个组件例如存储数据的存储器装置。主机系统可提供待存储于存储器子系统处的数据，且可请求从存储器子系统检索数据。
[0015]集成电路存储器单元(例如，快闪存储器单元)可编程成借助于其在阈值电压下的状态而存储数据。例如，如果存储器单元配置/编程成在阈值电压下处于允许大量电流通过存储器单元的状态，则存储器单元正存储一位；且否则存储器单元正存储零位。此外，存储器单元可通过在多个阈值电压下以不同方式配置/编程而存储多个数据位。例如，存储器单元可通过具有多个阈值电压下的状态的组合而存储多个数据位；且存储器单元在阈值电压下的状态的不同组合可解译成表示存储于存储器单元中的数据位的不同状态。
[0016]然而，在使用写入操作配置/编程集成电路存储器单元的状态以将数据存储在存储器单元中之后，用于读取存储器单元的优化阈值电压可由于例如电荷损失、读取干扰、交叉温度效应(例如，不同操作温度下的写入和读取)等多个因素而移位，尤其是在存储器单元编程成存储多个数据位时。
[0017]数据可编码有冗余信息以有助于错误检测和恢复。当编码有冗余信息的数据存储于存储器子系统中时，所述存储器子系统可检测从存储器子系统检索到的原始编码数据中的错误，和/或恢复用于产生用于存储在存储器子系统中的编码数据的原始未编码数据。当从存储器子系统检索到的原始编码数据含有小于错误的阈值量或编码数据中的位错误率低于阈值时，恢复操作可成功(或具有高成功概率)。例如，可使用例如错误校正码(ECC)、低密度奇偶校验(LDPC)码等技术来执行错误检测和数据恢复。
[0018]当从存储器子系统的存储器单元检索到的编码数据错误太多而无法成功解码时，存储器子系统可利用用于读取存储器单元的调整参数来重新尝试执行读取命令。然而，通
过具有多轮校准、读取、解码失败和重试的多次读取重试直至从存储器单元检索到的编码数据可被解码为无误数据来搜索参数集是低效的。例如，盲目搜索优化读取电压是低效的。例如，在重试读取之间引入的一或多个命令可导致从错误中恢复数据的时延较长。
[0019]在施加读取电平信号以考虑存储器区域内存储器单元的阈值电压的移位方面，已使用常规校准电路系统来自行校准存储器区域。在校准期间，校准电路系统配置成将不同测试信号施加到存储器区域以对针对测试信号输出指定数据状态的存储器单元的数目进行计数。基于所述计数，校准电路系统确定读取电平偏移值作为对校准命令的响应。
[0020]本公开的至少一些方面通过执行测试读取电压范围中的存储器单元群组以计算电压范围内的优化电压来读取存储器单元群组，且确定所获得/所计算的电压范围内的优化读取电压是否大致在总体正确电压范围中来解决以上及其它不足之处。
[0021]例如，响应于来自存储器子系统的控制器的命令，存储器装置可基于针对存储器单元测得的信号和噪声特性而自动校准本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器装置，其包括：集成电路封装，其围封所述存储器装置；以及多个存储器单元群组，其形成于至少一个集成电路裸片上；其中响应于识别所述多个群组内的存储器单元群组的命令，所述存储器装置配置成对所述存储器单元群组进行编程以在每一存储器单元中存储多个位，所述存储器单元群组包含分别对应于每一存储器单元的所述多个位的多个页；确定所述存储器单元群组的多个读取电压；使用所述多个读取电压读取所述多个页；针对所述多个页中的每一相应页，确定所述相应页中第一存储器单元的计数，其中所述第一存储器单元中的每一个的阈值电压高于用于读取所述相应页的所述多个读取电压中最高的读取电压；以及将所述第一存储器单元的所述计数与所述相应页中存储器单元的一部分的预定范围进行比较，以评估所述多个读取电压。2.根据权利要求1所述的存储器装置，其中为确定所述多个读取电压中的每一相应读取电压，所述存储器装置配置成：在均匀分布在测试电压范围内的多个测试电压下读取所述存储器单元群组；分别确定所述测试电压下的位计数，其中测试电压下的每一位计数标识所述群组中存储器单元的数目，所述存储器单元当在所述测试电压下进行读取时提供预定位值；针对所述测试电压中的多对邻近电压计算所述位计数中的计数差，其中所述测试电压中的一对邻近电压之间的电压间隔的每一计数差为所述一对邻近电压的位计数之差；以及基于所述计数差确定所述相应读取电压。3.根据权利要求2所述的存储器装置，其中当第一测试电压间隔上的第一计数差不大于低于所述第一测试电压间隔的第二测试电压间隔上的第二计数差和高于所述第一测试电压间隔的第三测试电压间隔上的第三计数差时，所述存储器装置配置成基于以下两者之间的比率计算所述相应读取电压：从所述第一计数差到所述第二计数差的增加量，以及从所述第一计数差到所述第三计数差的增加量。4.根据权利要求2所述的存储器装置，其中当第一测试电压间隔上的第一计数差不大于均低于或均高于所述第一测试电压间隔的测试电压间隔上的至少两个计数差时，所述存储器装置配置成基于以下两者之间的比率计算所述相应读取电压：所述第一计数差，以及所述至少两个计数差中的在最接近于所述第一测试电压间隔的测试电压间隔上的第二计数差。5.根据权利要求4所述的存储器装置，其中用于确定所述多个读取电压的测试电压范围并不彼此重叠。6.根据权利要求5所述的存储器装置，其中响应于确定所述第一存储器单元的所述计数超出所述部分的所述预定范围，所述存储器装置确定所述测试电压范围中的至少一个定位不正确。7.根据权利要求6所述的存储器装置，其中响应于确定所述第一存储器单元的所述计
数超出所述部分的所述预定范围，所述存储器装置配置成搜索测试电压范围以用于校准所述存储器单元群组的读取电压。8.根据权利要求6所述的存储器装置，其中响应于确定所述第一存储器单元的所述计数超出所述部分的所述预定范围，所述存储器装置配置成提供对所述命令的响应，所述响应表明搜索测试电压范围以用于校准所述存储器单元群组的读取电压。9.根据权利要求6所述的存储器装置，其中所述存储器单元群组以四层单元QLC模式编程。10.根据权利要求9所述的存储器装置，其中所述部分的所述预定范围在1/32与3/32之间、3/32与5/32之间、7/32与9/32之间或15/32与17/32之间。11.根据权利要求10所述的存储器装置，其中当所述相应页为顶页时，所述部分的所述预定范围在1/32与3/32之间；当所述相应页为额外页时，所述部分的所述预定范围在3/32与5/32之间；当所述相应页为上页时，所述部分的所述预定范围在7/32与9/32之间；且当所述相应页为下额外页时，所述部分的所述预定范围在15/32与17/32之间。12.一种方法，其包括：对存储器装置中的存储器单元群组进行编程以在每一存储器单元中存储多个位，所述存储器单元群组包含分别对应于每一存储器单元的所述多个位的多个页；确定所述存储器单元群组的多个读取电压；使用所述多个读取电压读取所述多个页；针对所述多个页中的每一相应页，确定所述相应页中第一存储器单元的计数，其中所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：