磁性记录介质制造技术

本发明专利技术是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层的磁性记录介质。本发明专利技术是关于以满足以下指标为特征的磁性记录介质：其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数Ｈ↓［２］、非磁性层一面的表面粗大突起个数Ｈ↓［３］满足： Ｈ↓［２］≤５０ ２≤Ｈ↓［３］≤１００ 同时，该片基在２０℃下的至少一个方向杨氏拉伸模量Ｅ↓［２０］和在１００℃下的同方向杨氏拉伸模量Ｅ↓［１００］满足： Ｅ↓［２０］≥８００ｋｇ／ｍｍ↑［２］ ０．５≤Ｅ↓［１００］／Ｅ↓［２０］。 本发明专利技术提供在严酷环境下（特别是高温下）具有优异的耐久性、运行特性和输出特性的磁性记录介质。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术系涉及磁性记录介质、特别是具有优异的运行特性、耐久性和输出特性的磁性记录介质。
技术介绍
近年来，由于视频摄像机在室外使用的机会增多，或要求摄像机小型化、录象长时间化，还要求把摄像机作为计算机的外部存储器使用等，因此对薄膜、在严酷条件下具有优越的耐久性、运行特性和输出特性的高密度磁性记录介质的要求，就变得很强烈了。迄今为止，已知的磁性记录介质是在聚酯胶片上涂敷氧化物磁性层和涂敷金属磁性层两种类型(例如特开昭61-26933号公报、特开昭60-66319号公报等)。另外，关于芳香族聚酰胺方面，也有使用纵向和横向杨氏模量不同的胶片作的磁性记录介质的，例如特开昭62-62424号公报所示的那种。可是，上述用聚酯片基或芳香族聚酰胺片基做成的磁性记录介质，在常温下使用虽没有问题，但若在高温下使用，则其运行特性和输出特性会恶化，同时，在反复运行中还会发生所谓drop out(脱落)的问题。这可认为是由于片基的耐热性不够，其表面特性和运行特性不良所造成的。另外，作为磁性记录介质规定非磁性体表面粗大突起数量的例子，象特开平6-195679号公报中所规定的那样，薄膜背面涂层的粗大突起数量H2规定为H2≤50个/100cm2。此外，还有特开昭63-146941号公报规定H2≤100个/25cm2和特开昭59-203232号公报规定(H3-H2)≤200个/mm2的例子。可是，在特开平6-195679号公报中只规定了薄膜背面涂层的粗大突起数量，而没有规定磁性面的粗大突起数量，因此不能达到充分良好的输出特性和运行特性。又如在特开昭63-146941号公报和特开昭59-203232号公报中，虽限定用聚酯薄膜作片基，但粗大突起数量程度很高，在高温条件下使用时，会有运行特性和输出特性恶化的缺点。又如，特开昭64-53330号公报指出，磁性记录介质所用的片基应符合下列规定即在90℃下的杨氏模量E90与室温下的杨氏模量ERT之比应为1.0≥E90/ERT≥0.6。虽有这项规定，但关于该片基的粗大突起数量却未加以规定，这就不可能获得高密度磁性记录介质所应有的充分的输出特性。又如，特开昭63-28695号公报中公开了一种在1kg/mm2荷重下，在200℃温度下经5分钟其尺寸变化率为5％以下的芳酰胺薄膜，但由于它含有10～40％的碳黑，且其用途又是作为热敏复印介质，因此与本申请的目的是大不相同的。本专利技术人研究了产生这些缺点的原因，结果弄清与片基的耐热性、以及涂敷磁性层一面和非磁性层一面的表面粗大突起个数有关，从而完成了本专利技术。专利技术的公开本专利技术的目的，是要解决上述存在的问题，有效地利用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺的优良耐热性和高刚性，而且通过规定其表面特性指标的办法来提供出即使在高温和反复运行等严酷条件下也具有优异的运行特性、耐久性和输出特性的磁性记录介质。也就是说，本专利技术涉及一种磁性记录介质，它是用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺片基涂敷磁性层而成，其特征是片基涂磁性层一面的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的表面粗大突起个数H3满足下列条件H2≤502≤H3≤100而且该片基在20℃下的最低限度单方向杨氏拉伸模量E20和在100℃下同方向杨氏拉伸模量E100满足下列条件E20≥800kg/mm20.5≤E100/E2n。实施本专利技术的最佳方案本专利技术所说的聚酰胺，其中所含的下列通式(I)和/或通式(II)的重复单元，优选50摩尔％以上，更优选70摩尔％以上。 式中Ar1、Ar2、Ar3可举例如下 其中的X、Y可由以下几种化学式中选择，对此不加限定-O-、-CH2-、-CO-、-SO2-、-S-、-C(CH3)2-再则，包括这些芳香环上的氢原子的一部分是被卤素(特别是氯)、硝基、C1～C3的烷基(特别是甲基)、C1～C3的烷氧基等取代基所取代的，而且，也包括构成聚合体的酰胺键中的氢被其他取代基所取代的。从特性方面来说，上述芳香环是对位结合的，若是全芳香环占50％以上或更理想的占75％以上的聚合体，则薄膜的刚性就高，耐热性也良好，因此是令人满意的。另外，从使吸湿率变小的观点考虑，如聚合体中芳香环上的部分氢原子被卤素(特别是氯)取代的芳香环占30％以上时，就是令人满意的聚合体。本专利技术的芳香族聚酰胺，是通式(I)和/或通式(II)所示的重复单元含量达50摩尔％以上的物质，当未满50摩尔％时，也不妨与其他重复单元共聚，甚至混合。本专利技术中的芳香族聚酰亚胺，是在聚合体重复单元中含有芳香环和酰亚胺环一个以上的物质，优选的是通式(III)和/或通式(IV)所示的重复单元含量为50摩尔％以上，更优选的是含有70摩尔％以上的。式中Ar4、Ar6至少含有一个芳香环，形成酰亚胺的二个羰基与芳香环上邻接的碳原子相结合。这Ar4是来自芳香族四羧酸或酸酐。代表性例子如下。 其中Z可由下列化学式中选取-O-、-CH2-、-CO-、-SO2-、-S-、-C(CH3)2-另外，Ar6是来自羧酸酐或卤化物。Ar5、Ar7可举出以下例 其中的X、Y可由下列化学式中选取，对此不加限定-O-、-CH2-、-CO-、-SO2-、-S-、-C(CH3)2-进而，包括这些芳香环上含有的氢原子的一部分被卤素(特别是氯)、硝基、C1～C3的烷基(特别是甲基)、C1～C3的烷氧基等的取代基所取代的，而且，也包括构成聚合体的酰胺键中的氢被其他取代基所取代的。本专利技术中的芳香族聚酰亚胺，是含有通式(III)和/或通式(IV)所示的重复单元达50摩尔％以上的物质，当未满50摩尔％时，也不妨与其他重复单元共聚，甚至混合。另外，本专利技术的芳香族聚酰胺、芳香族聚酰亚胺中，也可以混合进润滑剂、抗氧化剂等的其他添加剂，但以不损害薄膜的特性为限。本专利技术的磁性记录介质，其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H2，必须是H2≤50更优选的是H2≤30，最优选的是H2≤20。H2大于50时，就会发生磁性记录介质的表面特性恶化、脱落，就不能作为高密度磁性记录介质使用。另外，本专利技术的磁性记录介质，其片基的非磁性层一面的表面粗大突起个数H3必须是2≤H3≤100更优选的是2≤H3≤70，最优选的是2≤H3≤50。只要H3小于2时，磁性记录介质与导辊等部件的接触阻力就会增大，运行特性就会下降。另外，H3大于100时，磁带就在磁性层上把粗大突起复制出来，或者在制造涂敷型磁性记录介质时的涂敷工序中用砑光机处理时，粗大突起就会使磁性层一面的表面特性受到影响，成为脱落的起因。另外，本专利技术的磁性记录介质，其片基的涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H1优选的是H1≤100更优选的是H1≤70，最优选的是H1≤50。若是这样，就可实现优越的电磁变换特性。再则，本专利技术的磁性记录介质，其片基在20℃下的单方向杨氏拉伸模量E20至少必须为E20≥800kg/mm2优选的是E20≥900kg/mm2，更优选的是E20≥1000kg/mm2。为响应磁性记录介质薄膜化的要求，本专利技术的磁性记录介质多是采用薄膜，为了能耐受运行中以及开停时的张力，薄膜必须具有较高的杨氏模量(E20≥800kg/mm2)。杨氏模量一低于此值，磁带就会伸长，记录的再生性能就会下降。另外，由于片基有了较高的杨氏模量(E20≥800kg/mm2)，也能耐受磁性记录介质本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁性记录介质，是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层，其特征是，其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数Ｈ↓［２］、非磁性层一面的表面粗大突起个数Ｈ↓［３］满足：Ｈ↓［２］≤５０２≤Ｈ↓［３］≤１００同时， 该片基在２０℃下的至少一个方向杨氏拉伸模量Ｅ↓［２０］和在１００℃下的同方向的杨氏拉伸模量Ｅ↓［１００］满足：Ｅ↓［２０］≥８００ｋｇ／ｍｍ↑［２］０．５≤Ｅ↓［１００］／Ｅ↓［２０］。

【技术特征摘要】
JP 1994-6-23 141814/94;JP 1994-7-4 152360/941.一种磁性记录介质，是在用芳香族聚酰胺或芳香族聚酰亚胺制成的片基一面涂敷磁性层，其特征是，其片基涂敷磁性层一面的表面粗大突起个数H2、非磁性层一面的表面粗大突起个数H3满足H2≤502≤H3≤100同时，该片基在20...

【专利技术属性】
技术研发人员：佃明光，米山和祜，伊藤伸明，
申请(专利权)人：东丽株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]