宽范围提高电参数修调精度电路制造技术

一种宽范围提高电参数修调精度电路，通过在双电流镜电流比例系数调整实现单一点位修调的基础上，从检测电路采集感应电流进入第二电流判断模块，第二电流判断模块输出调整电流给修调开关阵列，修调开关阵列产生灌入第一电流镜的镜像MOS管的修调电流或从第二电流镜的被镜像MOS管拉入的修调电流，以形成对新增修调点的正负修调，由此在双修调点形成的宽范围上提高电参数修调精度。上提高电参数修调精度。上提高电参数修调精度。

【技术实现步骤摘要】
宽范围提高电参数修调精度电路


[0001]本专利技术涉及芯片电路的电参数修调技术，特别是一种宽范围提高电参数修调精度电路，通过在双电流镜电流比例系数调整实现单一点位修调的基础上，从检测电路采集感应电流进入第二电流判断模块，第二电流判断模块输出调整电流给修调开关阵列，修调开关阵列产生灌入第一电流镜的镜像MOS管的修调电流或从第二电流镜的被镜像MOS管拉入的修调电流，以形成对新增修调点的正负修调，由此在双修调点形成的宽范围上提高电参数修调精度。

技术介绍

[0002]在某些应用中总希望某些电压或电流参数能随着外置元件数值变化而变化，比如随外置电阻阻值变化。同时有希望在这个变化范围中参数的精度较高。所以需要修调(trim)方案，即在一定偏置条件下修调参数(目标可能是电压也可能是电流参数)，使其达到高精度的应用需求。图1是需要改进的一种电参数修调精度电路结构示意图。图1针对来自检测电路的固定目标电压/电流参数通过修调K1(第一电流镜比例系数，M2的漏源电流与M1的漏源电流之比＝1:K1)，或者通过修调K2(第二电流镜比例系数，M4的源漏电流与M3的源漏电流之比＝1:K2)，电流判断模块输出信号Y，实现单一点位精确修调，但是对于宽范围变化的目标电压/电流参数修调精度较低。图1中包括第一电流镜和与其串联的第二电流镜，第一电流镜包括第一NMOS管M1(被镜像管)和第二NMOS管M2(镜像管)，第二电流镜包括第三PMOS管M3(被镜像管)和第四PMOS管M4(镜像管)，M1与M2栅端互连后连接M1的漏端，M1的漏端连接检测电路，M1与M2源端互连后连接接地端GND，M2的漏端分别连接M3的漏端、M3的栅端和M4的栅端，M4的源端和M3的源端均连接输入电压端IN，M4的漏端连接电流判断模块，电流判断模块输出判断信号Y。图2是图1采用单一修调点得到的电参数理想修调值与实际值分布范围差异对比示意图。图2中一旦目标电压/电流参数大范围变化时离修调点越远精度越差，即目标参数值最小值或最大值时精度最差。图2中y轴表示目标电压或电流参数，x轴表示某种外置元件值(例如电阻值)变化范围。图2中的修调点(用T表示)为各线的交点，往左侧或往右侧两条虚线均呈偏离实线的发散状态。本专利技术人认为，如果在双电流镜电流比例系数调整实现单一点位修调的基础上新增修调点，就能够在双修调点形成的宽范围上提高电参数修调精度。有鉴于此，本专利技术人完成了本专利技术。

技术实现思路

[0003]本专利技术针对现有技术中存在的缺陷或不足，提供一种宽范围提高电参数修调精度电路，通过在双电流镜电流比例系数调整实现单一点位修调的基础上，从检测电路采集感应电流进入第二电流判断模块，第二电流判断模块输出调整电流给修调开关阵列，修调开关阵列产生灌入第一电流镜的镜像MOS管的修调电流或从第二电流镜的被镜像MOS管拉入的修调电流，以形成对新增修调点的正负修调，由此在双修调点形成的宽范围上提高电参数修调精度。
[0004]本专利技术的技术方案如下：
[0005]宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，包括用于第二修调点修调的主体电路和连接所述主体电路的用于第一修调点修调的附加电路，所述主体电路包括依次串联的检测电路、第一电流镜、第二电流镜和第一电流判断模块，所述附加电路包括修调开关阵列和第二电流判断模块，所述第一电流镜与所述第二电流镜的串联节点连接所述修调开关阵列，所述修调开关阵列连接所述第二电流判断模块，所述第二电流判断模块根据从所述检测电路采集的感应电流确定是否输出调整电流，所述修调开关阵列根据所述调整电流确定是否产生修调电流，如果产生修调电流则所述修调电流与所述调整电流成比例，所述修调电流通过灌入所述第一电流镜的镜像管或从所述第二电流镜的被镜像管拉入以形成对第一修调点的正负修调。
[0006]所述第一电流镜的被镜像管是第一NMOS管，所述第一电流镜的镜像管是第二NMOS管，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管栅端互连后连接所述第一NMOS管的漏端，所述第一NMOS管的漏端连接所述检测电路，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管源端互连后连接接地端。
[0007]所述第二电流镜的被镜像管是第三PMOS管，所述第二电流镜的镜像管是第四PMOS管，所述第二NMOS管的漏端分别连接所述第三PMOS管的漏端、所述第三PMOS管的栅端和所述第四PMOS管的栅端，所述第四PMOS管的源端和所述第三PMOS管的源端均连接输入电压端，所述第四PMOS管的漏端连接所述第一电流判断模块，所述第一电流判断模块输出判断信号。
[0008]所述第二NMOS管的漏源电流与所述第一NMOS管的漏源电流之比为1:K1，K1大于1。
[0009]所述第四PMOS管的源漏电流与所述第三PMOS管的源漏电流之比为1:K2，K2大于1。
[0010]所述电参数为电流参数或电压参数。
[0011]本专利技术的技术效果如下：本专利技术宽范围提高电参数修调精度电路，在旧方案的修调点基础上增加一个新修调点，即芯片分别在T1和T2两处进行修调。这样形成的新方案将在外置元件数值大范围变化时提高整体精度，而通过图4中示意曲线我们可以清楚地看出这一点。当然如法炮制，可增加多个修调点以进一步提升修调后的目标电压或电流参数精度。
[0012]本专利技术具有以下特点：1.能够通过判断检测电流Isen，使其工作在合适范围，以防止两个修调点T1和T2过近。2.第二电流判断模块产生的调整电流Ib呈模拟变化，即它与Isen与第一修调点T1之差成反比。3.调整电流Ib为修调电流Itrim电流源头。4.Itrim电流可拉可灌的特性在第一修调点实现对目标电流值的正负修调。5.目标为电压参数时，检测电路内可增加一个电压转换电流的模块，这样本专利技术建议的方案依然有效。
附图说明
[0013]图1是需要改进的一种电参数修调精度电路结构示意图。图1针对来自检测电路的固定目标电压/电流参数通过修调K1(第一电流镜比例系数，M2的漏源电流与M1的漏源电流之比＝1:K1)，或者通过修调K2(第二电流镜比例系数，M4的源漏电流与M3的源漏电流之比＝1:K2)，电流判断模块输出信号Y，实现单一点位精确修调，但是对于宽范围变化的目标电压/电流参数修调精度较低。
[0014]图2是图1采用单一修调点得到的电参数理想修调值与实际值分布范围差异对比示意图。图2中一旦目标电压/电流参数大范围变化时离修调点越远精度越差，即目标参数值最小值或最大值时精度最差。图2中y轴表示目标电压或电流参数，x轴表示某种外置元件值(例如电阻值)变化范围(它会决定目标电压或目标电流值)。图2中的修调点(可以用T表示)为各线的交点，往左侧或往右侧两条虚线均呈偏离实线的发散状态。
[0015]图3是实施本专利技术宽范围提高电参数修调精度电路结构示意图。图3是在图1的基础上用两个修调点(T1和T2)替代图1原有的单一修调点(T)，原有的单一修调点升到第二修调点T2位置(仍然通过修调K1或K2实现)，图1中的电流判断模块成为图3中的第一电流判断模块，第一修调点T1通过从检测本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，包括用于第二修调点修调的主体电路和连接所述主体电路的用于第一修调点修调的附加电路，所述主体电路包括依次串联的检测电路、第一电流镜、第二电流镜和第一电流判断模块，所述附加电路包括修调开关阵列和第二电流判断模块，所述第一电流镜与所述第二电流镜的串联节点连接所述修调开关阵列，所述修调开关阵列连接所述第二电流判断模块，所述第二电流判断模块根据从所述检测电路采集的感应电流确定是否输出调整电流，所述修调开关阵列根据所述调整电流确定是否产生修调电流，如果产生修调电流则所述修调电流与所述调整电流成比例，所述修调电流通过灌入所述第一电流镜的镜像管或从所述第二电流镜的被镜像管拉入以形成对第一修调点的正负修调。2.根据权利要求1所述的宽范围提高电参数修调精度电路，其特征在于，所述第一电流镜的被镜像管是第一NMOS管，所述第一电流镜的镜像管是第二NMOS管，所述第一NMOS管和所述第二NMOS管栅端互连后连接所述第一NMOS管的漏端，所述第一NMOS管的漏端连接所...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑辰光，于翔，
申请(专利权)人：圣邦微电子北京股份有限公司，
类型：发明
国别省市：