光学信息记录媒体制造技术

实现一种采用纹间平台和沟纹记录方式的串扰小的高密度反射率增大型光学信息记录媒体。它备有：具有沟纹３、邻接沟纹３、３间的平台４的基片１及设在基片１上的其反射率因光束照射而变化的记录层２。使记录后的反射率大于记录前的反射率。设光束波长为λ、基片１的折射率为ｎ，将沟槽３的深度Ｄ设定在λ／８ｎ以上３λ／８ｎ以下范围内，且将记录后的反射光相位Φ↓［１］与记录前的反射光相位Φ↓［０］之差ΔΦ＝Φ↓［１］－Φ↓［０］设定在（－０．１＋２ｍ）π以上（０．１＋２ｍ）π以下（其中ｍ为整数）的范围内。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及可以采用光束等以高速且高密度对信息进行记录再生的。在将激光光线照射在在基片上形成的由硫族材料等构成的薄膜上而进行局部加热时，随着照射条件的不同，在光学常数(折射率n、消光系数k)不同的非结晶态和结晶态之间有可能发生相变，因而作为一种将与特定波长的光对应的反射光量差或透射光量差作为信号进行检测的高速·高密度信息记录再生方法，已经进行了应用开发。在相变记录中，仅采用单一的激光束，通过在记录能级和擦除能级两个能级之间根据信息信号对激光器的输出进行调制并照射在信息轨道上，可以在擦除原有信号的同时，记录新的信号(特开昭56-145530号公报)。如果采用这种方法，则由于不需要象光磁记录那样的磁路部件，因而能使光头简化，此外，由于信号的擦除和记录可以同时进行，所以能缩短重写时间，这将有利于信息的记录。作为使相变记录高密度化的手段，通常是通过缩短用于记录的光源的波长、提高物镜的NA(数值孔径)等而形成较小的记录凹坑，并提高基片上圆周方向的记录凹坑的线密度及径向的轨道密度。此外，在记录凹坑的长度上具有信息的凹坑坑缘记录，也成为近年来的主流记录方式。另外，作为高密度化的有效手段之一，提出了将设置在基片上的激光导向用沟槽即沟纹及该导向沟槽间的平台两者作为信息轨道的纹间平台和沟纹记录方式(特公昭63-57859号公报)。但是，纹间平台和沟纹记录方式，与仅在沟纹或纹间平台中的一个上进行记录的情况相比，记录凹坑的轨道方向、即光盘径向的间隔大约减小到二分之一，所以，再生时与应在激光束的聚光点内进行再生的记录凹坑相邻的轨道上的记录凹坑的信号将会泄漏过来的串扰现象变得非常显著，因而降低了再生信号的质量。为减小这种串扰，提出了若干种方案。其中，作为不设置特殊的信号处理电路而使串扰减小的手段，提出了一种使纹间平台和沟纹的宽度基本相等并将沟纹深度设定在λ/7n以上λ/5n以下(λ激光波长、n基片材料的折射率)的范围内的方案(特开平5-282705号公报、特开平6-338064号公报)。另外，反射率及反射光的相位虽然随记录的状态变化而变化，但已有报告指出，使该反射率比或相位差为特定的值，对减小串扰也是有效的。例如，有报告提出，使记录前后的高的一方的反射率R1与低的一方的反射率R2满足0≤R2/R1≤0.2(特开平-287872号公报)、使其满足R2/R1≤0.15且10％≤R1≤40％(特开平8-329529号公报)、或使相位差ΔΦ满足(m-0.1)π≤ΔΦ≤(m+0.1)π[弧度](特开平8-329528号公报)。上述公报等所公开的记录媒体，都是通过记录使反射率减小的反射率减小型的。作为利用反射率的变化的记录媒体，除反射率减小型外，还有反射率增大型，但在纹间平台和沟纹记录中，一般来说，反射率减小型易于减小串扰，而反射率增大型在这方面是不利的。以下，说明其原因。如特开平-287872号公报所述，当反射率增大时，邻接轨道间的反射光的干涉作用增强。在这种情况下，如使低的一方的反射率接近于0，则在该部分上的干涉减弱，即使在反射率高的部分上干涉增强，也可以通过使沟槽深度最佳化，使其反射率变化不影响邻接的轨道。即，低的一方的反射率越接近于0，则在减小串扰上越是有利。但是，记录前的反射率、即记录凹坑以外的基底部分的反射率，在一定程度上希望高一些，通常，大多是说必须在10～15％以上。这是由于(1)在记录媒体上进行聚焦、跟踪等伺服控制时需要从记录媒体得到足够的反射光量；(2)记录媒体通常是将一周轨道分割为若干部分的扇区结构，在基片上的扇区开头部设置表示其地址编号的凹凸，因而为对其信号进行检测，也需要足够的反射光量。当考虑到以上情况时，在反射率减小型的场合，如使记录前的反射率足够大、使记录后的反射率接近于0，则由于可以加大反射率的变化，所以能获得足够的信号强度，并且，还能使串扰减小。但是，在反射率增大型中，当使记录前的反射率足够大时，为了加大反射率的变化，就必须使记录后的反射率进一步增大，因而记录前后任何一方的反射率都不能接近于0，这在减小串扰上是不利的。上述公报等所公开的记录媒体，之所以都是反射率减小型，就是考虑到以上的原因。此外，在特开平8-329529号公报中虽然也公开了反射率增大型的记录媒体，但它只不过是作为串扰大的比较例而列举的，所公开的不是串扰小的反射率增大型记录媒体。如上所述，反射率增大型的记录媒体，从串扰的观点考虑，在高密度化方面是不利的，但从另一方面看，作为实用的记录媒体，它具有有利的特征。以下，举出其2个代表例。在相变记录媒体中，一般，由于非结晶部和结晶部的光吸收率不同且在结晶部需要熔化热，因而在两者的加热分布曲线上产生差异，所以，当以单光束进行重写时，根据新旧记录凹坑的重叠状态，记录凹坑的形状将会产生微小的偏斜。因此，使再生信号的时间轴方向的误差(抖动)增大并使擦除率降低，因而在记录的高线速·高密度化、尤其是引入凹坑坑缘记录方式时造成了很多问题。为解决上述问题，必须使结晶部和非结晶部的光吸收灵敏度相等。因此，如设波长λ的激光光线照射的结晶部的吸收率为Acry、非结晶(非晶形)部的吸收率为Aamo，则光吸收率差ΔA=Acry-Aamo必须大到能抵消结晶部的熔化热部分的程度。此外，为了得到足够的C/N比，如设波长λ的激光光线照射的结晶部的反射率为Rcry、非结晶(非晶形)部的反射率为Ramo，则反射率差ΔR=Rcry-Ramo也希望大一些(特开平5-298747号公报、特开平5-298748号公报)。可是，如反射层的反射率高或记录层过厚因而使入射光几乎不能透过与基片相反一侧时，光吸收率差ΔA和反射率差ΔR之和近似于0，因而不能满足上述条件。因此，必须采用使光适度透过的材料和结构，现已提出了由记录层和其上下的第1和第2电介质层构成而没有反射层的3层结构(特开平3113844号公报、特开平5-298748号公报)、及具有采用低反射率材料的反射层或膜厚足够小的反射层的4层结构(特开平4-102243号公报、特开平5-298747号公报)。但是，如想要使光吸收率差ΔA和反射率差ΔR都加大，则必须透过相当多的入射光，因而将使光学设计上的自由度变小。因此，不是ΔR＞0而是考虑使ΔR＜0、即在反射率增大型的领域内加大反射率差ΔR的绝对值。如采用这种结构，则可以获得足够的C/N比，而且能很容易地加大光吸收率差ΔA，从而使光学设计上的自由度变大。实际上，提出了一种通过在记录层的靠基片一侧上设置由金属等构成的光吸收层而在反射率增大型的领域内加大ΔR的绝对值的方法(特开平7-78354号公报、特开平7-105574号公报)。另外，与重写型不同、虽不能对信息进行擦除·修改但作为可用于保存信息的低成本记录媒体等的一次写入型记录媒体，大多是反射率增大型记录媒体。即，通过在成膜后的原状态的非结晶记录层上照射激光而结晶化来形成记录凹坑，是一次写入型记录媒体的主要记录方式之一。通常，在没有记录层以外的层的情况下，由于结晶部分比非结晶部分的反射率高，所以其构成反射率增大型记录媒体。这种记录媒体，只能记录一次，为单层且无需初始化，因而能降低成本。此外，由于采用了不可逆的变化，所以在信息的保存上是优异的。如上所述，反射率增大型的记录媒体，在记录本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学信息记录媒体，它备有：具有光束导向用沟槽的基片及设在上述基片上的其反射率因上述光束照射而变化的记录层，该光学记录媒体的特征在于：当上述光束的波长为λ、上述基片的折射率为ｎ时，上述光束导向用沟槽的深度Ｄ在λ／８ｎ以上３λ／８ｎ以下的范围内，记录后的反射率大于记录前的反射率，且记录后的反射光的相位Φ↓［１］与记录前的反射光的相位Φ↓［０］之差ΔΦ＝Φ↓［１］－Φ↓［０］，在（－０．１＋２ｍ）π以上（０．１＋２ｍ）π以下（其中，ｍ为整数）的范围内。

【技术特征摘要】
JP 1998-8-10 226270/98;JP 1997-8-28 232885/971．一种光学信息记录媒体，它备有具有光束导向用沟槽的基片及设在上述基片上的其反射率因上述光束照射而变化的记录层，该光学记录媒体的特征在于当上述光束的波长为λ、上述基片的折射率为n时，上述光束导向用沟槽的深度D在λ/8n以上3λ/8n以下的范围内，记录后的反射率大于记录前的反射率，且记录后的反射光的相位Φ1与记录前的反射光的相位Φ0之差ΔΦ=Φ1-Φ0，在(-0.1+2m)π以上(0.1+2m)π以下(其中，m为整数)的范围内。2．根据权利要求1所述的光学信息记录媒体，其特征在于ΔΦ=Φ1-Φ0，在(-0.05+2m)π以上(0.05+2m)π以下(其中，m为整数)的范围内。3．根据权利要求1所述的光学信息记录媒体，其特征在于沟槽深度D在λ/7n以上λ/5n以下、或3λ/10n以上5λ/14n以下的范围内。4．根据权利要求1所述的光学信息记录媒体，其特征在于记录层由在非结晶和结晶之间产生状态变化的相变材料构成。5．根据权利要求4所述的光学信息记录媒体，其特征在于记录层的记录前状态为结晶、而记录后的状态为非结晶，伴随相变化的反射率变化为可逆过程。6．根据权利要求4所述的光学信息记录媒体，其特征在于记录层的记录前状态为非结晶、而记录后的状态为结晶，伴随相变化的...

【专利技术属性】
技术研发人员：北浦英树，山田升，西内健一，长田宪一，古川惠昭，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]