音/像光盘制造技术

一种音／像光盘，它是“Ｐｈｉｌｉｐｓ－Ｓｏｎｙ”标准的扩展，其容量最大可达１１１０Ｍ字节，相当于１２７分钟的ＶＣＤ记录时间，同时不必改变拾取装置和写策略，并且不必放弃现有产业平台就可以适应该光盘和伺服固件，其中通过杂质掺杂把存储层合金的原子比设置为最佳值，从而针对在１Ｘ视频记录时的０．５０ＮＡ对该介质进行了优化。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及光盘，并特别涉及一种音/像(可记录或可重写的)光盘，其容量最大可达1110M字节，相当于127分钟的MPEG1 VCD记录时间，同时不必改变记录器的拾取头就可以适应该光盘和伺服固件。换言之，“Philips”和“Sony”标准说明书已经把高密度盘(VCD、CD-ROM、S-VCD、Photo-CD、CD-I)的容量限制在650M字节。因此，为了匹配已经建立的逻辑格式，市场上的可记录(CD-R)和可重写(CD-RW)空白光盘已经由“Philips”和“Sony”指定为650M字节的容量。这相当于74分钟的CD-Audio和VCD节目的记录时间，而且约为40分钟的S-VCD记录时间。限制空白光盘的容量可防止视盘记录器的市场渗透，在市场上，视盘记录器可用来取代盒式磁带录像机。显然，74分钟的低质量视频记录时间和40分钟的高质量视频记录时间对于视盘记录器的市场发展来说是不够的。为了延长传统780nm光拾取装置的寿命，基于现有780nm波长、0.50NA拾取装置为光盘提出了一种延长播放时间的光盘格式。该格式的一部分应用到只读光盘以及可写/可重写光盘，而其它部分只应用到可重写光盘。高密度的DVD系列可记录/可重写产品由于记录点较小的原因而允许较高的存储密度。但其生产成本过高，并且这还意味着完全放弃现有的平台。相应地，传统的高密度盘产品具有以下的缺点。首先，CD-R和CD-RW较小的存储容量限制了用来取代传统盒式磁带录像机的视盘记录器的市场发展。其次，传统CD-R或CD-RW只允许在纹槽中记录，因而需要两张盘来存储一个小时的低质量VCD格式的视频节目，并且需要更多张盘来存储质量较高的S-VCD格式的视频节目。增加传统高密度盘容量的障碍既涉及物理方面也涉及逻辑方面。逻辑格式是一个在其中硬件可表示光盘并启动伺服控制环路以进行读写的协议。该格式中的编码方法包括用于寻址的必要信息、识别和驱动控制。在传统的时间寻址格式中，所有的数字均以二进制编码的十进制(BCD)表示，包括分字段、秒字段和帧字段，即在录像机中以分秒帧表示。但是，该定义难以应用到其它专利技术的相应部分中。传统时间寻址格式中的BCD把最大寻址时间限制为995974，而在传统CD中通常只使用745974或更少的时间。这种BCD时间代码可通过摆动的方式调制为空白介质的寻迹纹槽并且在只读CD中以数字代码的形式呈现。根据“Philips/Sony”CD-RW的应用，在不必提供其它任何进一步寻址的方法的情况下，传统的地址编码方法允许光盘地址最大可达700M字节或“79分59秒74帧”。另外，相变可重写光盘技术的传统生产过程产生又宽又大的信息标记，这将引起高串扰和抖动，同时使轨距变窄。这样会引起解码误差。另外，在缩短轨距的同时，由于寻迹点尺寸有限，所以该点会检测到相邻轨迹的一部分，并且将引起寻迹误差。这些都将对可重写光盘设置苛刻的物理限制。而且，传统的空白光盘只以纹槽进行记录。这些因素把传统空白光存储介质(CD-R/CD-RW)的容量限制在了650M字节左右。增加存储容量的另一个主要障碍是拾取装置物镜的分辨率，它限制聚焦激光点的有限尺寸。总之，分辨率受限于光拾取装置的数值孔径(NA)。半宽度强度点尺寸(FWHM)约为0.5A/NA，这表示信息凹坑宽度和轨距必须与记录点和读出点处于同一数量级。这决定轨距和线速度，并因此限制信息凹坑的径向和切向密度。传统高密度盘产品使用0.45NA并提供大约700M字节的最大容量。如今，0.5NA的拾取头已经在市场上可获得的记录器中使用并且已经是一项成熟的技术，这表明增加高密度盘的容量在商业上是可行的。一般可通过增大信息凹坑或标记的记录密度来增加光盘容量。这可通过降低线速度并减小轨距来进行。但是，容量增加受到以下因素的限制。第一是增加轨迹间的串扰，由于轨迹密度的增加，这将会引起块解码误差。第二是只允许光盘被寻址到99分59秒和74帧的传统寻址编码方法。然而，现有标准将其进一步限制为79分59秒和74帧。这里并没有一种容易的方法用于进一步寻址。第三是与低容量光盘相比的I3信号与I11信号的不同漏码比。第四是高密度盘本身的物理尺寸以及记录器/播放器的装载机构。第五是数字伺服控制固件，它可在这种长播放时间的可重写光盘中识别附加的分钟并均衡HF信号。
技术实现思路
本专利技术的一个目的是提供一种音/像光盘，它只寻迹记录用的纹槽，能够记录存储容量为1110M字节的音/像信息。这相当于127分钟的MPEG-1VCD节目的记录时间。本专利技术的另一个目的是提供一种音/像光盘，它能够成功地寻迹记录用的台面以便提供纹槽及台面记录，这样，数据容量基本上最大可达2.2G字节，这相当于254分钟的MPEG-1 VCD质量的节目。本专利技术的另一个目的是提供一种直径为130mm的音/像光盘，以允许更大的容量并且不会给持有传统高密度盘和DVD的消费者造成混乱。本专利技术的另一个目的是提供一种时间地址增加到159分59秒74帧的音/像光盘。本专利技术的另一个目的是提供一种尽可能减小抖动和串扰并提高解码误差容限的音/像光盘。本专利技术的另一个目的是提供一种音/像光盘，通过掺杂至少一种高熔点化合物而把存储层相变合金(AgInSbTe)的原子比设置为最佳值，已经针对在1X记录中的0.5NA对该光盘进行了优化。本专利技术的另一个目的是通过物理上缩短轨距并降低记录线速度来增加音/像光盘的记录时间。相应地，为了实现上述目的，本专利技术提供了一种用于音频和可视数据的音/像(可重写)光盘，它包括预先刻有纹槽的聚碳酸酯衬底，该衬底具有一个基底面和一个数据面，该数据面具有从内径到外径的连续的螺旋状纹槽。纹槽轨迹间的距离被定义为台面。在预先刻有纹槽的聚碳酸酯衬底上，层叠溅射了不同的材料，从而形成四个溅射层以及在顶部和底部的旋涂保护漆。第一溅射层是介质隔热层。第二溅射层是在介质隔热层上提供的存储层。第三溅射层是在存储层顶部提供的第二介质热扩散控制层。第四溅射层是在第二介质热扩散控制层上提供的反射散热层。存储层由掺杂了诸如氧化钒这样的高熔点化合物的银-铟-锑-碲合金构成。在写处理过程中，光盘由聚焦的激光束照射，这样，该合金层被加热至高于熔点并被快速冷却以使合金处于非晶态，这可被看作是具有不同对比度的标记。这些标记引起反射信号的差异并因此被用于数据存储。在擦除处理过程中，合金被加热至高于结晶温度，从而把非晶态标记恢复到高反射的晶体状态。图2是根据本专利技术上述优选实施例的附图说明图1中由虚线圆S围绕的部分的部分截面图。图3是根据本专利技术上述优选实施例的音/像光盘一部分的放大正视图，表示在音/像光盘数据面上提供的纹槽和台面轨迹。图4是根据本专利技术上述优选实施例的用于把音/像光盘装入光盘记录器或播放器的装载器托架的透视图。本专利技术的AV-RW光盘是用于AV数据存储的可删除和可重写光盘，当然它并不限于AV数据存储。空白介质的用途类似于一张预先印制了书写标线的白纸。为了简化硬件设计并使硬件更容易与可在市场上通用的可记录光盘兼容，本专利技术的音/像(可重写)光盘使用与“Philips/Sony”CD-RW的技术规范相同的一组具有一些附加参数的地址位置，使用不同的时间编码方法和参数定义。根据本专利技术，音/像光盘的记录时间通过物理及逻辑两种本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种音／像光盘，包括：一个预先刻有纹槽的衬底，该衬底具有一个数据面，该数据面具有界定由沿边的台面隔开的纹槽轨迹的圆周的连续螺旋状纹槽；一个溅射到所述衬底的所述数据面上的介质隔热层，用以形成防止所述衬底熔化的隔热层；一个溅射到所述 介质隔热层上的存储层，用于记录数据，其中所述存储层由掺杂了高熔点化合物的相变合金构成，该高熔点化合物的熔点比该相变合金的熔点高，从而把所述存储层的原子比设置为最佳值；一个溅射到所述存储层上的介质热扩散控制层，用来控制源自所述存储层的热扩 散；一个溅射到所述介质热扩散控制层上的反射散热层；以及涂覆在所述衬底的所述数据面上的所述反射散热层上的旋涂保护漆层。

【技术特征摘要】
US 2000-12-18 09/740,0751.一种音/像光盘，包括一个预先刻有纹槽的衬底，该衬底具有一个数据面，该数据面具有界定由沿边的台面隔开的纹槽轨迹的圆周的连续螺旋状纹槽；一个溅射到所述衬底的所述数据面上的介质隔热层，用以形成防止所述衬底熔化的隔热层；一个溅射到所述介质隔热层上的存储层，用于记录数据，其中所述存储层由掺杂了高熔点化合物的相变合金构成，该高熔点化合物的熔点比该相变合金的熔点高，从而把所述存储层的原子比设置为最佳值；一个溅射到所述存储层上的介质热扩散控制层，用来控制源自所述存储层的热扩散；一个溅射到所述介质热扩散控制层上的反射散热层；以及涂覆在所述衬底的所述数据面上的所述反射散热层上的旋涂保护漆层。2.如权利要求1所述的音/像光盘，其特征在于无论是所述纹槽轨迹还是所述台面均可利用记录标记通过信号极性反转进行记录，其中台面记录在所述纹槽被完全记录之后进行。3.如权利要求1所述的音/像光盘，其特征在于所述存储层包含重量百分比为97-99％的所述相变合金和重量百分比为1-3％的所述高熔点化合物。4.如权利要求2所述的音/像光盘，其特征在于所述存储层包含重量百分比为97-99％的所述相变合金和重量百分比为1-3％的所述高熔点化合物。5.如权利要求1所述的音/像光盘，其特征在于所述相变合金是银-铟-锑-碲合金。6.如权利要求5所述的音/像光盘，其特征在于所述高熔点化合物是氧化钒。7.如权利要求2所述的音/像光盘，其特征在于所述相变合金是银-铟-锑-碲合金。8.如权利要求7所述的音/像光盘，其特征在于所述高熔点化合物是氧化钒。9.如权利要求3所述的音/像光盘，其特征在于所述相变合金是银-铟-锑-碲合金。10.如权利要求9所述的音/像光盘，其特征在于所述高熔点化合物是氧化钒。11.如权利要求4所述的音/像光盘，其特征在于所述相变合金是银-铟-锑-碲合金。12.如权利要求11所述的音/像光盘，其特征在于所述高熔点化合物是氧化钒。13.如权利要求5所述的音/像光盘，其特征在于所述银-铟-锑-碲合金包含重量百分比为3-10％的银、重量百分比为3-10％的铟、重量百分比为40-70％的锑和重量百分比为20-40％的碲。14.如权利要求6所述的音/像光盘，其特征在于所述银-铟-锑-碲合金包含重量百分比为3-10％的银、重量百分比为3-10％的铟、重量百分比为40-70％的锑和重量百分比为20-40％的碲。15.如权利要求7所述的音/像光盘，其特征在于所述银-铟-锑-碲合金包含重量百分比为3-10％的银、重量百分比为3-10％的铟、重量百分比为40-70％的锑和重量百分比为20-40％的碲。16.如权利要求8所述的音/像光盘，其特征在于所述银-铟-锑-碲合金包含重量百分比为3-10％的银、重量百分比为3-10％的铟、重量百分比为40-70％的锑和重量百分比为20-40％的碲。17.如权利要求9所述的音/像光盘，其特征在于所述银-铟-锑-碲合金包含重量百分比为3-10％的银、重量百分比为3-10％的铟、重量百分比为40-70％的锑和重量百分比为20-40％的碲。18.如权利要求10所述的音/像光盘，其特征在于所述银-铟-锑-碲合金包含重量百分比为3-10％的银、重量百分比为3-10％的铟、重量百分比为40-70％的锑和重量百分比为20-40％的碲。19.如权利要求11所述的音/像光盘，其特征在于所述银-铟-锑-碲合金包含重量百分比为3-10％的银、重量百分比为3-10％的铟、重量百分比为40-70％的锑和重量百分比为20-40％的碲。20.如权利要求12所述的音/像光盘，其特征在于所述银-铟-锑-碲合金包含重量百分比为3-10％的银、重量百分比为3-10％的铟、重量百分比为40-70％的锑和重量百分比为20-40％的碲。21.如权利要求13所述的音/像光盘，其特征在于所述介质隔热层和所述介质热扩散控制层均由ZnS.SiO2构成。22.如权利要求15所述的音/像光盘，其特征在于所述介质隔热层和所述介质热扩散控制层均由ZnS.SiO2构成。23.如权利要求21所述的音/像光盘，其特征在于所述反射散热层由AlTi构成。24.如权利要求22所述的音/像光盘，其特征在于所述反射散热层由AlTi构成。25.如权利要求1-12之一所述的音/像光盘，其特征在于在被热压成一个溅射靶之前，通过把所述高熔点化合物与相变合金的元素以粉末的形式混合，所述高熔点化合物被掺杂到所述相变合金当中，以用于溅射到所述音/像光盘的所述介质隔热层上。26.如权利要求6，8，10或12所述的音/像光盘，其特征在于所述相变合金的溅射靶掺杂了重量百分比为1-3％的钒，这样，在溅射室中把所述相变合金溅射到所述介质隔热层上期间，氧气被注入所述溅射室中，氧化钒形成并掺杂到所述相变合金当中，从而形成所述存储层。27.如权利要求1，6或10所述的音/像光盘，其特征在于所述高熔点化合物被掺杂到溅射靶中以提高热容限，使得记录标记以细长清晰的形式限定在所述纹槽的顶部区域。28.如权利要求27所述的音/像光盘，其特征在于轨距被最小化至1.30μm+/-0.10μm。29.如权利要求2，8或12所述的音/像光盘，其特征在于所述高熔点化合物被掺杂到溅射靶中以提高热容限，使得记录标记以细长清晰的形式限定在所述纹槽的顶部区域。30.如权利要求29所述的音/像光盘，其特征在于轨距被最小化至1.5-2μm。31.如权利要求27所述的音/像光盘，其特征在于所述纹槽的纹槽底部在300-350nm之间而且所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：范继良，
申请(专利权)人：大丰科技有限公司，
类型：发明
国别省市：HK[中国|香港]