磁光记录介质制造技术

一种磁光记录介质，以至少由三个磁性层构成的多层磁性膜作为记录层。在重放光移动方向的前方，重放光照射侧的磁性层的畴壁向光点的中心移动，因此记录磁畴扩大，而在重放光移动方向的后方，重放光照射侧的磁性层畴壁的移动得到抑制。为了抑制重放光照射侧的磁性层畴壁的移动，例如，可在移位层和交换层之间插入具有预定特性的磁性层。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种通过移动畴壁增大记录磁畴来重放信号的磁光记录介质，特别涉及消除幻影信号的技术。近年来，提出了采用包括移位层、交换层和存储层的三层磁性膜，重放信号时，通过使移位层畴壁在磁性膜的温度升高到居里温度以上时产生移动，有效地增大存储磁畴的尺寸，从而增强重放载波信号的磁光重放方法。上述方法称为“DWDD(畴壁移位检测)”，即使从其周期不大于重放光的分离能的光学极限的细小的记录磁畴中，也可以重放出强的信号，不需要改变光的波长及目镜的数值孔径就可以提高记录密度。然而，DWDD方式有很多问题需要解决。例如，当重放信号的周期大于一定周期时，呈现如下现象，即出现与该信号的记录磁畴相对应的信号后，信号暂时消失，然后重新出现。上述现象称为“幻影”。很难确定出现的信号是幻影信号还是对应于下一个记录磁畴的信号。还存在一个问题，即在开始出现幻影信号的记录磁畴的周期附近，前端值(nose level)升高，结果导致不能有效提高记录密度。本专利技术的目的之一是防止DWDD方式的磁光记录介质出现的幻影现象。为达到上述目的，专利技术人进行了多种研究。根据研究结果发现了本专利技术的磁光记录介质。其原理就是抑制移位层的磁畴的不必要的移动。即，根据本专利技术该磁光记录介质，以由至少三个磁性层构成的多层磁膜作为记录层，其中，在重放光点移动方向的前方，重放光照射侧的磁性层畴壁向光点中心移动，因此记录磁畴扩大，同时在重放光点移动方向的后方，重放光照射侧的磁性层畴壁的运动得到抑制。由于在重放光点移动方向的后方，重放光照射部分的磁性层畴壁的运动得到抑制，从而能够防止幻影现象。为了抑制重放光照射侧的磁性层畴壁的运动，例如，需要在移位层和交换层之间插入具有预定磁特性的磁性层，从而在保持DWDD特性的同时可以防止出现幻影。附图说明图1是本专利技术的磁光记录介质结构的示例的基本部分的横截面简图；图2是显示记录磁畴状态和介质温度曲线的示意图，用于说明三层结构光盘片的畴壁的移动操作；图3是该畴壁移动状态的示意图；图4是该畴壁稳定状态的示意图；图5是畴壁消失状态的示意图；图6是畴壁运动状态的示意图，用于说明在孤立的记录磁畴中畴壁的移动操作；图7是该畴壁的稳定状态的示意图；图8是畴壁消失状态的示意图；图9是重放光点后方位置处记录磁畴的复制的示意图；图10是引起幻影时畴壁移动的示意图；图11是引起幻影时畴壁的稳定状态的示意图；图12是恢复重放前状态的示意图；图13是从畴壁移动的顺序操作中得到的信号的特性图；图14是畴壁移动状态的示意图，用于说明四层结构光盘片中移动畴壁的操作；图15是该畴壁稳定状态的示意图；图16是畴壁消失状态的示意图；图17是重放光点后方位置处记录磁畴的迁移的示意图；图18是重放恢复前状态的示意图。现在，结合附图详细描述本专利技术。本专利技术的磁光记录介质的基本结构与普通磁光记录介质相似。如图1所示，在透明衬底上依次层叠形成介电薄膜2、记录层3、介电薄膜4、反射膜5和保护膜6。例如，介电薄膜2和4由氮化硅构成，保护膜6由紫外线固化树脂构成。介电薄膜2和4的材料并不限于上述材料，也可以采用其他介电材料如氧化硅或氮化铝。由铝等材料构成的反射膜5可以省略。尽管该结构组成的先决条件是记录/重放光从透明衬底1侧入射，但该结构组成也可以是记录/重放光从保护膜6一侧照射。在这种情况下，该结构与上述结构不同之处在于，反射膜5的形成位置在透明衬底1和介电薄膜2之间，且后面要介绍的记录层3的层结构倒置。尽管每层的厚度可以任意设定，例如，透明衬底1的厚度为700埃，第二介电薄膜4的厚度为500埃，反射膜5的厚度为300埃。另一方面，DWDD方式的磁光记录介质包含基本上由移位层、交换层和存储层三层构成的记录层3。在本专利技术中，记录层3具有四个磁性层，因为在移位层和交换层之间形成有用于抑制移位层磁畴运动的第四磁性层。即，如图1所示，从重放光入射侧，依次层叠第一磁性层(移位层，此后称为“DS层”)11、第二磁性层(用于抑制畴壁运动的层，此后称为“YS层”)12、第三磁性层(交换层，此后称为“SW层”)13以及第四磁性层(存储层，此后称为“MM层”)14。上述四层组成记录层3。下面介绍各磁性层必须具有的特性。DS层11必须能够在重放操作进行的温度下重放出足够的信号，因此，需要高的居里温度和克尔旋转角。至少，其居里温度TC1应高于SW层13的居里温度TC3。另外，在重放时，当与交换层13的交换耦合断开后，畴壁要易于移动，畴壁的矫顽力必须很小。畴壁的矫顽力最好是1kOe或更小。DS层11的厚度必须不小于使克尔旋转角饱和的厚度，应为200埃以上，为250埃以上更好，最好在350埃以下。作为DS层的材料，例如可举出GdFeCo。DS层可以由居里温度不同的两层膜构成，例如，一层是GdFeCo、居里温度为250℃，另一层是GdFe、居里温度为210℃。也可以采用三层结构。在上述情况下，从重放光入射侧以居里温度从高到低的顺序放置各层。现在介绍SW层13,SW层13在预定温度时中断DS层11和MM层14之间的交换耦合，因此需要有作为中断温度的预定居里温度TC3。其厚度需要能够稳定均匀地中断交换力，50埃以上较好，100埃以上更好。由于SW13层的厚度太大并不能提高上述效果，所以上限约为200埃。作为MM层的材料，例如可举出TbFeCo。本专利技术的主要特点是YS层12插入DS层11和SW层13之间的空隙。该YS层12的作用是抑制重放光点移动方向的后方处DS层11的畴壁向光点中心的移动。因此，YS层12的畴壁(磁各向异性)的矫顽力必须大于DS层11的畴壁矫顽力。YS层12的居里温度TC2必须位于DS层11的居里温度TC1和SW层的居里温度TC3之间。由于YS层12的作用是抑制畴壁的运动，YS层12的材料最好包含Tb。例如可举出TbFeCo。上述各磁性层特性之间的关系总结如下对于居里温度，假设DS层11的居里温度为TC1,YS层12的居里温度为TC2,SW层13的居里温度为TC3,MM层14的居里温度为TC4，那么应满足下述关系TC1＞TC2＞TC3TC4＞TC3。对于磁各向异性，假设DS层11的磁各向异性为KU1,YS层12的磁各向异性为KU2，那么需要满足下述关系KU2＞KU1表1为记录层13的具体结构的示例。表1 下面介绍本专利技术中磁光记录介质的信号重放操作。首先介绍DWDD方式的磁光记录介质的基本操作，其具有包括DS层11、SW层13和MM层14的三层结构。该磁光记录介质，包含在重放温度下都被垂直磁化的三个磁性层(DS层11、SW层13和MM层14)。如图2所示，至少在重放温度下每层的磁化方向与膜的表面垂直。另外，DS层11和SW层13在室温下不必是垂直磁化的膜，也可以是面内磁化膜。与后面的图类似，图2的箭头指示每个磁性层的自旋方向(例如过渡族金属Fe或Co的磁化方向)。在上述层之间，通过例如交换耦合作用，在一般状态下调整自旋方向。在本实施例中，假设介质为盘片状介质。当盘片旋转时，介质在重放操作期间移动到图的左侧。记录操作采用普通磁光记录操作采用的光调制记录法或磁场调制记录法。记录操作主要由MM层14执行。通过把MM层14的自旋方向转移到SW层13和DS层11上完成记录操作。例如，MM层14的记本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁光记录介质，以由至少三个磁性层构成的多层磁性膜作为记录层，其中： 在重放光移动方向的前方，重放光照射侧的磁性层的畴壁向光点中心移动，扩大记录磁畴，同时，在重放光移动方向的后方，重放光照射侧的磁性层畴壁的向光点中心的移动得到抑制。

【技术特征摘要】
JP 1998-1-30 10/200401．一种磁光记录介质，以由至少三个磁性层构成的多层磁性膜作为记录层，其中在重放光移动方向的前方，重放光照射侧的磁性层的畴壁向光点中心移动，扩大记录磁畴，同时，在重放光移动方向的后方，重放光照射侧的磁性层畴壁的向光点中心的移动得到抑制。2．如权利要求1所述的磁光记录介质，其中所述多层磁性膜具有四层结构，包括从重放光照射侧依次形成的第一磁性层、第二磁性层、第三磁性层和第四磁性层，若所述第一磁性层的居里温度为TC1，第二磁性层的居里温度为TC2，第三磁性层的居里温度温度为TC3，第四磁性层的居里温度为TC4，则满足以下关系TC1＞TC2＞TC3TC4＞TC3，并且若第一磁性层的磁各向异性为KU1，第二磁性层的磁各向异性为KU2，则满足以下关系KU2＞KU1。3．如权利要求2所述的磁光记录介质，其中所述第二磁性层包...

【专利技术属性】
技术研发人员：荒谷胜久，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]