具有磁线圈的磁头制造技术

适用于在磁光设备中使用的磁头。磁头具有带中央开口的扁平电磁线圈（１）。线圈具有彼此平行线圈层（５ａ，５ｂ），每个线圈层具有围绕中央开口设置的线匝（５Ａ，５Ｂ）。至少一个线圈层具有这样的线匝：靠近中央开口的线匝比远离中央开口的线匝的宽度小。至少一个线圈层具有最外线匝（５Ｂ↓［０］），其比另一个线圈层的最外线匝（５Ａ↓［０］）更靠近中央开口。定义的线圈结构电容有限，而且也限制了功率损耗。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及用于磁光设备中的磁头，该磁头具有带中央开口的至少是大致扁平的磁线圈，该线圈具有至少大致彼此平行延伸的线圈层，每个线圈层具有围绕中央开口延伸的至少一个导电线匝。这种磁头公开在WO-A-98/48418中。已知的磁头包括具有两个平行的大致形状相同的线圈部分的扁平磁线圈，每个线圈部分包括通过薄膜技术形成的多个线匝。磁线圈在磁轭中延伸，该磁轭与线圈一起限定光束的中央通路。已知的磁头预算用于用来在磁光媒体中存储数据的磁光(MO)系统中。在数据的记录或读出期间，磁头位于离开磁光媒体很短的距离。磁光系统包括所述磁头、激光源和光学元件，光学元件包括使得激光束经中央通路被引导到记录层的聚焦透镜。在存储数据期间，激光束被用来降低磁光媒体的记录层的矫顽力，在于选择的场所被加热到近似记录层的居里温度。同时，磁线圈被激励来产生横过记录层的随时间而变的磁场，以限定磁畴模式。在存储的信息的读出期间，MO媒体用激光束扫描，使用其本身已经公知的磁光克尔效应。在信息的磁光存储期间，存储的数据位的最小宽度由衍射极限指定，即使用的聚焦透镜的数值孔径(NA)和激光束的波长。所述宽度的减小通常基于更短波长的激光和更高的NA光学聚焦透镜。在磁光记录期间，通过使用激光脉冲磁场调制可将最小位长降低到光衍射极限以下。在这一过程中，位转变由磁场反向速度和激光源的开关引起的温度梯度决定。为得到小的位长和高数据率，要求磁线圈满足特定条件，如低自感、低电容和低电阻。通过传统缠绕线圈不能满足这些条件。因此，使用的是通过多层技术，尤其是通过薄膜技术制造的线圈。适合于高数据率磁光记录的磁线圈应具有好的高频特性。这意味着这种线圈应具有令人满意的低自感、低电容和低电阻，同时功率损耗应处于可接受的水平。从而，由于功率损耗正比于电流的平方并且仅与电阻成一次比例，给定线圈结构的匝数增加必将导致产生一定磁场所需的电流的降低，但匝数增加也导致自感的增加，从而限制数据率。已知磁头中使用的线圈结构没有提供上面列出的问题的解决方案。本专利技术的一个目的是提供一种磁头，其适合于用在以例如100Mbit/s的高速进行信息存储的磁光设备中，因此，为了其未来的应用，该磁头包括高开关频率使用的磁线圈，并具有可接受的低的功率损耗。本专利技术的目的用根据本专利技术的磁头实现，该磁头具有带中央开口的至少是大致扁平的磁线圈，该线圈具有至少大致彼此平行延伸的线圈层，每个线圈层具有围绕中央开口延伸的至少一个导电线匝，其中至少一个线圈层具有这样的线匝，其中靠近中央开口的线匝比远离中央开口的线匝的宽度小，至少一个线圈层具有比另一个线圈层的最外线匝更靠近中央开口的最外线匝。磁线圈的中央开口可用作激光束的通路。内线匝限定的中央开口实际是一个开口，或者是通过不同于线圈材料的材料，尤其是透明材料，如Al2O3，SiO2，Si3N4形成的透明的中央区域。金属，如Cu，Au，Al可形成这些线匝。在根据本专利技术的磁头中，磁线圈具有从中央开口朝向外部降低的线匝密度，其对线圈的功率损耗产生有利效果，而线圈层具有彼此不同的尺寸，这保持在界限以内的电容。为了充分的磁光记录，重要的是磁线圈能够在中央开口中和附近产生200 Oe(16kA/m)的数量级的磁场。由于靠近中央开口的线匝在产生磁场方面最有效，它们对中央开口中和附近的磁场产生有明显作用。作为低自感和低电容的结果，根据本专利技术的磁头的表现出好的高频特性。这通过实验来证实。磁头适合于用在以例如100Gbit/s的高密度进行信息存储的MO设备中。根据本专利技术的措施的另一重要效果是使用相对大的中央开口。如果磁头用在其中已经提供了光学系统并且部分光学系统与滑动器的力学连接不坚固的磁光设备的滑动器中，则需要相对大的中央开口。而且，为了跟踪的目的，需要大的中央开口，这样激光束相对中央开口的位置可改变。根据本专利技术的磁头不仅用于信息记录还用于信息读出。为限制磁线圈的厚度，磁头中的线圈层的数目要限制到2或3。权利要求2限定根据本专利技术的磁头的一个实际的实施例。根据本专利技术的磁头的一个实施例的特征在于线匝宽度朝向中央开口均匀降低。在环形磁线圈的情况下，由于技术上的原因，线圈层的线匝之间的距离优选维持恒定，并且优选是最小化，以便保证高效的线圈。这里，效率要理解为指的是在给定的功率下产生的磁场强度。一匝的宽度优选是正比于到磁线圈的中央轴的距离的n次幂，该轴延伸过中央开口，其中0.7≤n≤2。根据本专利技术的磁头的一个实施例的特征在于一个最外线匝基本上比另一最外线匝更靠近中央开口。一个线圈层的匝数基本上小于另一线圈层的匝数，例如，是其数目的一半。已经发现这使得实现电容和功率损耗明显降低。根据本专利技术的磁头的一个实施例的特征在于线圈层是薄膜层。因此磁线圈是通过薄膜技术制造的线圈。使用的技术可以是本身已经公知的技术。已经发现如果至少两个线圈层，优选是所有线圈层设置在扁平基体上，则进一步改善高频特性，这是因为这产生寄生电容和电导的再一次降低。权利要求6限定与这一方面相关的根据本专利技术的磁头的一个实施例。本专利技术还设计制造根据本专利技术的磁头的方法。根据本专利技术的方法在权利要求7中限定。权利要求7限定的措施意味着制造过程包括一个或两个平面化操作。这意味着例如在淀积绝缘层后执行机械化学抛光步骤。或者，可使用在玻璃上旋转的平面化。提到的方法本身都是公知的。本专利技术还涉及在磁光设备中使用的并带有正如权利要求1到6之一所限定的根据本专利技术的磁头的滑动器。联系磁光媒体的滑动器确保在操作中空气膜形成在磁头和媒体之间，磁头以基本恒定的间距从磁光媒体上浮动，这通过本身已经公知的方式实现。根据本专利技术的实施例的滑动器具有和磁线圈集成的滑动器本体。本专利技术还涉及磁光设备，包括根据本专利技术的尤其是如权利要求1到6之一限定的磁头，或者包括本专利技术的尤其是如权利要求8或9限定的滑动器。根据本专利技术的磁光设备适合于以本身已经公知的方式在磁光媒体上磁光记录信息。设备也适合于读出信息。参考权利要求，注意到权利要求中限定的特性特征和措施的各种组合都是可能的。下面参考附图通过举例具体说明本专利技术。附图说明图1是表示根据本专利技术的磁头的一个实施例的平面图；图2是沿着图2的线II-II看去的磁头的截面图；图3是表示作为实施例的磁头的频率的函数的阻抗的曲线；图4是表示作为离开实施例磁头的中央轴的距离的函数的磁头的场强的曲线；图5是表示根据本专利技术的实施例的滑动器的侧视图；图6是表示根据本专利技术的实施例的滑动器的底视图；图7是表示根据本专利技术的滑动器的第一种应用的图；图8是表示根据本专利技术的滑动器的第二种应用的图；图9是表示根据本专利技术的实施例的磁光设备的图。图1和2所示的根据本专利技术的实施例的磁头适合于在磁光设备中使用。磁头包括扁平的圆形电磁线圈1，简称为磁线圈1，该磁线圈1具有带有中央线圈轴3a的中央开口3。本例中的磁线圈1有2个线圈层5a，5b，其彼此平行地延伸并且由例如SiO2的绝缘层5c隔开。本例中的线圈层5a具有Cu制成的7匝线匝5A，包括最外线匝5A0和靠近中央开口3的最内线匝5Ai。本例中的线圈层5b具有Cu制成的4匝线匝5B，包括最外线匝5B0和靠近中央开口3的最内线匝5Bi。中央开口3用透明材料，如SiO2填充。每组线匝5A和5B分别具有连接表面7a和7b，两组通过中间本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在磁光设备中使用的磁头，该磁头具有带中央开口的至少是大致扁平的磁线圈，该线圈具有至少大致彼此平行延伸的线圈层，每个线圈层具有围绕中央开口延伸的至少一个导电线匝，其中至少一个线圈层具有这样的线匝：靠近中央开口的线匝比远离中央开口的线匝的宽度小，至少一个线圈层具有比另一个线圈层的最外线匝更靠近中央开口的最外线匝。

【技术特征摘要】
EP 2000-4-19 00201412.41.一种在磁光设备中使用的磁头，该磁头具有带中央开口的至少是大致扁平的磁线圈，该线圈具有至少大致彼此平行延伸的线圈层，每个线圈层具有围绕中央开口延伸的至少一个导电线匝，其中至少一个线圈层具有这样的线匝靠近中央开口的线匝比远离中央开口的线匝的宽度小，至少一个线圈层具有比另一个线圈层的最外线匝更靠近中央开口的最外线匝。2.根据权利要求1所述的磁头，其中至少两个线圈层具有这样的线匝靠近中央开口的线匝比远离中央开口的线匝的宽度小。3.根据权利要求1或2所述的磁头，其中线匝的宽度向...

【专利技术属性】
技术研发人员：HW范克斯特伦，FC彭宁，
申请(专利权)人：皇家菲利浦电子有限公司，
类型：发明
国别省市：NL[荷兰]