发光元件封装件及其应用制造技术

发光元件封装件包括：印刷电路板，具有正面和背面；至少一个发光元件，设置于所述正面上，并且向所述正面所朝向的方向射出光；以及模制层，设置于所述印刷电路板上并包围所述发光元件，其中，所述发光元件包括：发光结构体，设置于所述印刷电路板上；基板，设置于所述发光结构体上；以及多个凸起电极，所述发光结构体与所述印刷电路板之间。所述模制层可以覆盖所述基板的上表面，并且可以在暴露于所述模制层的外部的表面设置有微细凹凸部。层的外部的表面设置有微细凹凸部。层的外部的表面设置有微细凹凸部。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】发光元件封装件及其应用


[0001]本专利技术涉及一种发光元件封装件及其应用。

技术介绍

[0002]最近，正在开发使用发光二极管(LED：Light Emitting Diode)的多样的装置。使用发光二极管作为光源的装置例如可以是普通的照明或显示装置。使用发光二极管的装置通过最终在基板上形成独立地生长的红色(R：Red)、绿色(G：Green)及蓝色(B：Blue)发光二极管(LED)的结构而获得。
[0003]为了将这样的发光二极管运用于多样的装置，需要结构简单且制造容易。

技术实现思路

[0004]技术问题
[0005]根据本专利技术的一实施例，目的在于提供一种具有简单的结构且制造方法简单的发光元件封装件及其应用。
[0006]技术方案
[0007]根据本专利技术的一实施例的发光元件封装件包括：印刷电路板，具有正面和背面；至少一个发光元件，设置于所述正面上，并且向所述正面所朝向的方向射出光；以及模制层，设置于所述印刷电路板上并包围所述发光元件，其中，所述发光元件包括：发光结构体，设置于所述印刷电路板上；基板，设置于所述发光结构体上；以及多个凸起电极，设置于所述发光结构体与所述印刷电路板之间。所述模制层可以覆盖所述基板的上表面，并且在暴露于所述模制层的外部的表面设置有微细凹凸部。
[0008]在根据本专利技术的一实施例中，所述微细凹凸部可以借由等离子处理、微喷砂处理、图案转印、干式研磨、湿式蚀刻中的至少一个而制成。
[0009]在根据本专利技术的一实施例中，所述模制层可以具有实质上平坦的上表面。
[0010]在根据本专利技术的一实施例中，所述模制层可以将外部光的一部分反射、散射或吸收。
[0011]在根据本专利技术的一实施例中，所述模制层可以填充于所述发光结构体与所述印刷电路板之间的至少一部分。
[0012]在根据本专利技术的一实施例中，所述模制层可以具有约50％以上的外部光反射率、外部光散射率或外部光吸收率。
[0013]在根据本专利技术的一实施例中，所述模制层可以具有黑色。
[0014]在根据本专利技术的一实施例中，所述印刷电路板可以包括设置于所述正面的上部电极、设置于所述背面的下部电极以及连接所述上部电极与所述下部电极的通孔电极，所述凸起电极分别连接于对应的上部电极。
[0015]在根据本专利技术的一实施例中，彼此临近的两个下部电极之间的距离可以大于彼此临近的两个上部电极之间的距离。
[0016]在根据本专利技术的一实施例中，所述发光元件可以提供为多个。例如，所述发光元件可以设置为四个，各个所述发光元件的发光结构体包括：多个外延堆叠件，在所述基板上依次层叠而射出互不相同波段的光，并且光射出区域彼此重叠。
[0017]在根据本专利技术的一实施例中，所述多个外延堆叠件可以包括：第一外延堆叠件，射出第一光；第二外延堆叠件，设置于所述第一外延堆叠件上，并且射出与所述第一光的波段不同的波段的第二光；以及第三外延堆叠件，设置于所述第二外延堆叠件上，并且射出与所述第一光及第二光的波段不同的波段的第三光。
[0018]在根据本专利技术的一实施例中，所述第一外延堆叠件至第三外延堆叠件各自可以包括：p型半导体层；n型半导体层；以及活性层，设置于所述p型半导体层及所述n型半导体层之间。
[0019]在根据本专利技术的一实施例中，所述凸起电极可以包括：第一凸起电极，连接于所述第一外延堆叠件的p型半导体层；第二凸起电极，连接于所述第二外延堆叠件的p型半导体层；第三凸起电极，连接于所述第三外延堆叠件的p型半导体层；以及第四凸起电极，连接于所述第一外延堆叠件至第三外延堆叠件的n型半导体层。
[0020]在根据本专利技术的一实施例中，所述发光元件可以包括第一发光元件至第四发光元件，所述下部电极包括第一扫描垫至第六扫描垫、第一数据垫及第二数据垫，所述第一发光元件连接于所述第一扫描垫至第三扫描垫和所述第一数据垫，所述第二发光元件连接于所述第一扫描垫至第三扫描垫和所述第二数据垫，所述第三发光元件连接于所述第四扫描垫至第六扫描垫和所述第一数据垫，所述第四发光元件连接于所述第四扫描垫至第六扫描垫和所述第二数据垫。
[0021]在根据本专利技术的一实施例中，在各个发光元件中，所述凸起电极可以包括第一凸起电极至第四凸起电极，所述第一凸起电极至第三凸起电极被施加第一扫描信号至第三扫描信号，所述第四凸起电极被施加数据信号。
[0022]在根据本专利技术的一实施例中，所述模制层可以利用真空层压(vacuum laminate)法形成。
[0023]在根据本专利技术的一实施例中，发光元件封装件可以采用于显示装置或车辆用照明装置，在这种情况下，可以包括：基础基板；以及至少一个发光元件封装件，设置于所述基础基板上。
[0024]根据本专利技术的一实施例的发光元件封装件可以通过如下步骤形成：形成发光元件；将所述发光元件布置于印刷电路板上；以覆盖所述发光元件的方式在所述印刷电路板上通过真空层压法形成模制层；处理暴露于所述模制层的外部的表面，从而在所述模制层的表面形成微细凹凸部；切割所述印刷电路板和模制层而形成发光元件封装件，其中，所述模制层可以覆盖所述印刷电路板的上表面，并且可以包括将外部光的一部分反射、散射或吸收的材料。
[0025]专利技术效果
[0026]根据本专利技术的一实施例，提供一种具有简单的结构且制造方法简单的发光元件封装件。并且，根据本专利技术的一实施例，提供一种利用所述发光元件的显示装置。
附图说明
[0027]图1是图示根据本专利技术的一实施例的发光元件的剖面图。
[0028]图2a是具体图示根据本专利技术的一实施例的发光元件的平面图，图2b是根据图2a的A
‑
A'线的剖面图。
[0029]图3a至图7b是依次图示根据本专利技术的一实施例的发光元件的制造方法的图，图3a、图4a、图5a、图6a及图7a为平面图，图3b、图4b、图5b、图6b及图7b为沿图3a、图4a、图5a、图6a及图7a的A
‑
A'线的剖面图。
[0030]图8a至图8e是依次图示发光元件封装件的制造方法的图。
[0031]图9a以及图9b是分别示出模制层经过等离子处理的情形和未经过等离子处理的情形的扫描电子显微镜(SEM：scanning electron microscope)照片。
[0032]图10a至图10e是依次图示使用压印模具在模制层的表面形成微细凹凸部的工序的剖面图。
[0033]图11a为图示根据本专利技术的一实施例的发光元件封装件的平面图，并且是图示在一个印刷电路板以矩阵形状贴装有四个发光元件的情形的上表面图，图11b是图11a所示的发光元件封装件的背面图。
[0034]图12是图11a及图11b所示的发光元件封装件的电路图。
[0035]图13是图示为了应用于显示装置或车辆用照明装置等而将多个发光元件封装件贴装于基础基板而制造光源模块的情形的示意性的剖面图。
[0036]图1本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种发光元件封装件，包括：印刷电路板，具有正面和背面；至少一个发光元件，设置于所述正面上，并且向所述正面所朝向的方向射出光；以及模制层，设置于所述印刷电路板上并包围所述发光元件，其中，所述发光元件包括：发光结构体，设置于所述印刷电路板上；基板，设置于所述发光结构体上；以及多个凸起电极，所述发光结构体与所述印刷电路板之间，其中，所述模制层覆盖所述基板的上表面，并且在暴露于所述模制层的外部的表面设置有微细凹凸部。2.根据权利要求1所述的发光元件封装件，其中，所述微细凹凸部借由等离子处理、微喷砂处理、图案转印、干式研磨、湿式蚀刻中的至少一个而制成。3.根据权利要求2所述的发光元件封装件，其中，所述模制层具有实质上平坦的上表面。4.根据权利要求3所述的发光元件封装件，其中，所述模制层将外部光的一部分反射、散射或吸收。5.根据权利要求4所述的发光元件封装件，其中，所述模制层填充于所述发光结构体与所述印刷电路板之间的至少一部分。6.根据权利要求5所述的发光元件封装件，其中，所述模制层具有约50％以上的外部光反射率、外部光散射率或外部光吸收率。7.根据权利要求6所述的发光元件封装件，其中，所述模制层具有黑色。8.根据权利要求1所述的发光元件封装件，其中，所述印刷电路板包括设置于所述正面的上部电极、设置于所述背面的下部电极以及连接所述上部电极与所述下部电极的通孔电极，所述凸起电极分别连接于对应的上部电极。9.根据权利要求8所述的发光元件封装件，其中，所述下部电极之中彼此临近的两个下部电极之间的距离大于所述上部电极之中彼此临近的两个上部电极之间的距离。10.根据权利要求8所述的发光元件封装件，其中，所述发光元件提供为多个。11.根据权利要求10所述的发光元件封装件，其中，所述发光元件设置为四个，各个所述发光元件的发光结构体包括：多个外延堆叠件，在所述基板上依次层叠且射出互不相同波段的光，并且光射出区域彼此重叠。12.根据权利要求1所述的发光元件封装件，其中，所述多个外延堆叠件包括：第一外延堆叠件，射出第一光；第二外延堆叠件，设置于所述第一外延堆叠件上，并且射出与所述第一光的波段不同的波段的第二光；以及
第三外延堆叠件，设置于所述第二外延堆叠件上...

【专利技术属性】
技术研发人员：张钟敏，金彰渊，
申请(专利权)人：首尔伟傲世有限公司，
类型：发明
国别省市：