硅片刻蚀装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及硅片生产设备技术领域，尤其是涉及一种硅片刻蚀装置，包括用于对硅片单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片进行支撑的支撑机构和用于限制硅片位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片放置在支撑机构上时，所述硅片与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片单面喷射介质时，使用时，通过将硅片放置在支撑机构上进行支撑，而喷淋机构对硅片的单面进行喷淋介质，在介质的作用力下硅片悬浮并与限位机构接触，限位机构限制了硅片在支撑机构和限位机构之间的位移范围，由原有的浸泡改为喷淋，不会出现硅片由于介质波动而翻越至硅片另一面的现象，保证了硅片生产稳定可。保证了硅片生产稳定可。保证了硅片生产稳定可。

【技术实现步骤摘要】
硅片刻蚀装置


[0001]本技术涉及硅片生产设备
，尤其是涉及一种硅片刻蚀装置。

技术介绍

[0002]把未被抗蚀剂掩蔽的薄膜层除去，从而在薄膜上得到与抗蚀剂膜上完全相同图形的工艺。在集成电路制造过程中，经过掩模套准、曝光和显影，在抗蚀剂膜上复印出所需的图形，或者用电子束直接描绘在抗蚀剂膜上产生图形，然后把此图形精确地转移到抗蚀剂下面的介质薄膜(如氧化硅、氮化硅、多晶硅) 或金属薄膜(如铝及其合金)上去，制造出所需的薄层图案。刻蚀技术主要分为干法刻蚀与湿法刻蚀，湿法刻蚀主要利用化学试剂与被刻蚀材料发生化学反应进行刻蚀。
[0003]传统硅片生产工艺过程中需要在刻蚀槽内通过试剂溶液进行单面刻蚀，而输送轮输送硅片过程中会导致试剂溶液出现波动，而波动的试剂溶液很容易会翻腾至另一面，这样就导致硅片被试剂溶液接触并刻蚀，严重时导致硅片报废，增加生产成本，也降低了工作效率。

技术实现思路

[0004]本技术要解决的技术问题是：为了解决传统硅片生产工艺过程中需要在刻蚀槽内通过溶液进行单面刻蚀，而输送轮输送硅片过程中会导致溶液出现波动，而波动的溶液很容易会翻腾至另一面，这样就导致硅片被溶液接触并刻蚀，严重时导致硅片报废，增加生产成本，也降低了工作效率的问题，现提供了一种硅片刻蚀装置。
[0005]本技术解决其技术问题所采用的技术方案是：一种硅片刻蚀装置，包括用于对硅片单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片进行支撑的支撑机构和用于限制硅片位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片放置在支撑机构上时，所述硅片与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片单面喷射介质时，所述硅片在介质的作用力下悬浮并脱离支撑机构，同时硅片与第一限位机构接触并限制硅片位移。
[0006]本技术通过将硅片放置在支撑机构上进行支撑，而喷淋机构对硅片的单面进行喷淋介质，在介质的作用力下硅片悬浮并与限位机构接触，限位机构限制了硅片在支撑机构和限位机构之间的位移范围，由原有的浸泡改为喷淋，不会出现硅片由于介质波动而翻越至硅片另一面的现象，保证了硅片生产稳定可靠。
[0007]为了便于介质的回收，进一步地，还包括槽体，所述喷淋装置、支撑机构和限位机构均设置在槽体上。通过将喷淋装置、支撑机构和限位机构均设置在槽体上，这样便于介质通过槽体回收。
[0008]为了更好的对介质会循环利用，进一步地，所述槽体包括上槽和下槽，所述上槽设置在下槽上方，所述上槽和下槽之间相互连通。通过将槽体分成上槽和下槽，并且上槽位于下槽上方并相互连通，这样介质由上槽留着到下槽内，通过喷淋机构对介质进行循环利用。
[0009]为了防止介质飞溅出槽体，进一步地，所述槽体上方盖设有盖板。通过在槽体上盖设盖板，有效防止介质飞溅出槽体现象。
[0010]为了实现第一限位机构，进一步地，所述第一限位机构包括设置在硅片上方的芯轴。通过在硅片上方设置芯轴，实现限制硅片的位移范围。
[0011]为了保证硅片在喷射介质的作用力过大导致硅片破碎的现象，进一步地，所述第一限位机构还包括浮动压轮，所述浮动压轮上设置有安装孔，所述安装孔的孔径大于芯轴的直径，所述芯轴穿过安装孔。通过在芯轴上浮动设置浮动压轮，压轮对硅片起到一定的缓冲作用，防止硅片与限位机构接触时作用力过大而导致破碎的现象。
[0012]为了更好的对硅片进行缓冲，进一步地，当硅片放置在支撑机构上时，所述浮动压轮与硅片接触。通过将浮动压轮与硅片接触，这样可以在硅片单面喷射介质时就得到浮动压轮的缓冲，保证硅片在接触时不会受到过大的冲击力。
[0013]为了实现支撑机构，进一步地，所述支撑机构包括设置在喷淋装置上方的若干顶针。通过在喷淋装置上方设置若干顶针，实现支撑机构对硅片的支撑。
[0014]为了防止硅片在支撑机构上位移，进一步地，所述支撑机构上设置有用于将硅片径向限位的第二限位机构。通过第二限位机构限制在支撑机构上对硅片支撑面上的位移。
[0015]为了实现第二限位机构，进一步地，所述第二限位机构包括设置在支撑机构上的若干限位柱，若干所述限位柱围合呈用于限制硅片的限制区域。通过在第二限位机构上设置若干限位柱并围合呈用于限制硅片位移的限制区域。
[0016]为了实现喷淋机构，进一步地，所述喷淋装置包括输送泵和喷淋头，所述输送泵的输出端与喷淋头连通。通过输送泵的输出端连通喷淋头，其结构简单，实现喷淋机构。
[0017]为了防止喷淋机构对硅片某一处集中喷射，导致硅片出现受力不均而出现偏斜的现象，进一步地，所述顶针设置在板体上，所述板体上阵列设置有若干喷淋孔。通过设置阵列式的喷淋孔，这样使得介质均匀的在硅片上作用，从而使得硅片受力均匀，防止喷淋机构对硅片某一处集中喷射的现象。
[0018]本技术的有益效果是：本技术硅片刻蚀装置在使用时，通过将硅片放置在支撑机构上进行支撑，而喷淋机构对硅片的单面进行喷淋介质，在介质的作用力下硅片悬浮并与限位机构接触，限位机构限制了硅片在支撑机构和限位机构之间的位移范围，由原有的浸泡改为喷淋，不会出现硅片由于介质波动而翻越至硅片另一面的现象，保证了硅片生产稳定可，避免了传统硅片生产工艺过程中需要在刻蚀槽内通过溶液进行单面刻蚀，而输送轮输送硅片过程中会导致溶液出现波动，而波动的溶液很容易会翻腾至另一面，这样就导致硅片被溶液接触并刻蚀，严重时导致硅片报废，增加生产成本，也降低了工作效率的问题。
附图说明
[0019]下面结合附图和实施例对本技术进一步说明。
[0020]图1是本技术的主视图；
[0021]图2是图1中A的局部放大图；
[0022]图3是本技术的内部结构示意图。
[0023]图中：1、槽体，101、上槽，102、下槽，103、通孔，2、盖板，3、芯轴， 4、浮动压轮，401、
安装孔，5、顶针，6、限位柱，7、喷淋头，8、硅片，9、输送泵，10、板体，11、喷淋孔。
具体实施方式
[0024]本技术下面结合实施例作进一步详述：
[0025]本技术不局限于下列具体实施方式，本领域一般技术人员根据本技术公开的内容，可以采用其他多种具体实施方式实施本技术的，或者凡是采用本技术的设计结构和思路，做简单变化或更改的，都落入本技术的保护范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0026]在本技术的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”等仅用于描述目的，而不能理解为本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种硅片刻蚀装置，其特征在于：包括用于对硅片(8)单面喷射介质的喷淋装置、用于对硅片(8)进行支撑的支撑机构和用于限制硅片(8)位移范围的第一限位机构，所述支撑机构位于喷淋机构和第一限位机构之间，当硅片(8)放置在支撑机构上时，所述硅片(8)与第一限制机构之间具有间隙，当所述喷淋装置对硅片(8)单面喷射介质时，所述硅片(8)在介质的作用力下悬浮并脱离支撑机构，同时硅片(8)与第一限位机构接触并限制硅片(8)位移。2.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：还包括槽体(1)，所述喷淋装置、支撑机构和限位机构均设置在槽体(1)上。3.根据权利要求2所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述槽体(1)包括上槽(101)和下槽(102)，所述上槽(101)设置在下槽(102)上方，所述上槽(101)和下槽(102)之间相互连通。4.根据权利要求2或3所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述槽体(1)上方盖设有盖板(2)。5.根据权利要求1所述的硅片刻蚀装置，其特征在于：所述第一限位机构包括设置在硅片(8)上方的芯轴(3)。6.根据权利要求5所述的硅片刻蚀装置，...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴佳俊，
申请(专利权)人：常州亿晶光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：