光信息记录介质制造技术

一种具有改善了重复记录特性、写入功率范围、归档稳定性的光信息记录介质。一种光信息记录介质依次包括：主要含银的半透明层、含介电材料的第一保护层、由主要含Ｓｂ＃－［ｘ］Ｔｅ＃－［１－ｘ］（０．７＜ｘ≤０．９）的合金制成的相变记录层、含介电材料的第二保护层、和金属反射层。如果第一保护层中的介电材料含硫，则在半透明层和第一保护层之间设置扩散保护层。对于在半透明层一侧入射光，该介质当记录层是非晶态时的反射率高于记录层是结晶态时的反射率。（*该技术在2021年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
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>本专利技术涉及一种高密度的可重写光记录介质，更具体地说是涉及一种相变型记录介质，该介质在减低记录信号颤动、拓宽写入功率范围、抗反复重写形成的特征磨损的耐用性、及存档稳定性等方面有很好的性能。<技术背景>具有可读性和可交换性的介质随着光盘，例如可读写光盘(CD-RWS)已经被广泛传播。具有可读性和可互换性的介质随着DVD光盘，例如可读写DVD光盘、DVD可删写光盘(DVD+RW)、及DVD随机存储器现正在流行。这些相变型光盘是价格合理的、大容量的记录介质，在便携性、抗气候变化性、及抗撞击性等方面性能优越。相变光学记录介质完成写和删除是借助于反射率的变化随着结晶态可逆的变化。一般来说，一种结晶态被用作非记录态或删除态，而非晶标志形成写入。通常，通过加热，并在给定的时间内保持在结晶温度附近进行加热以使记录层结晶，和通过加热到高于熔点的温度，再接着淬火使记录层成非晶相。从加热的温度差可理解，结晶一般相更稳定。硫族合金，例如锗锑碲合金(GeSbTe)，铟锑碲合金(InSbTe)，锗锡碲合金(GeSnTe)，银铟锑碲合金(AgInSbTe)，经常用作记录层。这些金属是能重写的材料。特别是，众所周知，准二元合金Sb2Te3和GeTe(以下简称为准二元合金)，以及接近Sb70Te30共晶成分为主要组成的合金。这些合金在结晶态和非晶态都是稳定的，并表现出两个态之间可相当迅速地相变。它们还有一个优点是，在反复重写时几乎不出现分离。因此被实际用作相变光盘的记录层。术语“重写(直接重写)”表示一种记录模式，在其中，当信息被记录在已记录信息的介质上时，在记录之前，没有删除已有信息，即，一种同时记录并删除已存信息的模式。因为相变介质通常是在重写模式下完成记录，“重写”可以简单地成为“记录”。在具有接近Sb70Te30共晶成分为主要组成的合金中，Sb含量超过Sb70Te30的共晶组成的合金(此后，简称为共晶合金系统)近来正吸引人们的注意。这种类型合金制成的记录层形成有平滑边界的非晶标志(标志边界)，它能有效地抑制颤动，并表现出极高的结晶率，从而可以高速重写。一种相变记录介质一般是一种所谓的高到低介质，其记录后的反射率比记录前低。由于通常结晶态被用作非记录或删除态，非晶态被用作记录态，记录层在非晶态的反射率低于在结晶态的反射率。一种典型的高到低的介质具有包含第一保护层、记录层、第二保护层和反射层的层结构。在另一方面，也知道所谓的低到高介质的记录后的反射率要高于记录前的。这种类型记录介质，当其记录层是非晶态时反射率比是结晶态的高。就从低到高介质而言，已知一种包括半透明层的层结构主要按以下顺序包含金属、有介电材料的第一保护层、记录层、有介电材料的第二保护层和金属反射层的层结构。一般说来，有这样层结构的低到高介质与高到低介质相比，能减少交叉删除现象。已经知道在具有准二元合金系统记录层的介质中使用低到高介质。例如，Ge2Sb2Te5是典型的准二元合金系统的实例，在接近Ge2Sb2Te5的一种合金用作记录层时，以下事实被接受，即由于在非晶态区域和结晶态区域光吸收的差别删除的不稳定性被消除，从而使高速重写成为可能。然而，没有搞清楚的是在具有一个共晶合金系统记录层的介质中采用具有上述层结构的低到高介质。尚没有数据说明应用低到高介质降低交叉删除是有效的。因为共晶合金系统记录层基本上使高速重写成为可能，在这方面对于低到高介质的贡献也还不清楚。已经观察到应用低到高介质能导致归档稳定性或反复重写性。同时，在高到低介质中也观察到反复重写性有些下降，只是在低到高介质中下降的程度更高。这意味着，当用共晶合金系统记录层时，对于低到高介质的一般常规的层结构还没有成功地获得良好的特性。<专利技术的公开>专利技术人对与有共晶合金系统记录层的低到高介质相关的问题已进行广泛的研究。作为结果，他们发现将层结构设计和对于每一层的材料选择进行特殊结合可第一次有可能提供一种具有优良特性的介质，并证明这种介质反复重写特性或写入功率范围方面都优于一般的高到低介质。目前的专利技术完全是根据这些发现。本专利技术的要点在于一种光记录介质，该介质按顺序包括以下各层主要包含银的半透明层、包含介电材料的第一保护层、由主要包含SbxTe1-x(0.7＜x≤0.9)的合金构成的相变记录层、包含介电材料第二保护层、和金属反射层，其特征在于第一保护层包括含硫的介电材料，该介质还有一个在半透明层和第一保护层之间的相互扩散保护层，以及其特征在于该介质对于在半透明层一侧的入射光，其处于非晶态记录层的反射率比处于结晶态记录层的反射率高。本专利技术的另一要点在于一种光记录介质，该介质按顺序包括以下各层主要包含银的半透明层、包含介电材料的第一保护层、相变记录层、包含介电材料第二保护层、和金属反射层，其特征在于记录中层的结晶主要通过从非晶或熔化区域和结晶区域之间的边界的晶体生长产生，其特征在于该介质还有一个在半透明层和含硫的第一保护层之间的相互扩散保护层，并且其特征在于该介质对于在半透明层一侧的入射光，其处于非晶态记录层的反射率比处于结晶态记录层的反射率高。<附图简述>附图说明图1是根据本专利技术的光记录介质层结构的一个实例。图2是根据本专利技术的光记录介质层结构的另一个实例。图3是根据本专利技术的光记录介质层结构的又一个实例。图4是根据本专利技术的光记录介质层结构的再一个实例。图5示出施加的写入功率并由此产生的恢复信号的变化。图6示出分频脉冲记录方法的一个实例。图7示出3T空间颤动与实例1的光盘中(a)写入功率或(b)反复重写周期之间的关系曲线。图8示出3T空间颤动与比较实例1的光盘中(a)写入功率或(b)反复重写周期之间的关系曲线。图9图示3T空间颤动与比较实例2的光盘中(a)写入功率或(b)反复重写周期之间的关系图10示出反复重写周期对实例2的光盘中的反射率的依赖关系图11示出反复重写周期对比较实例3的光盘中的反射率的依赖关系图12是参考实例(1)中Ra-Rc光学计算的实例图13是参考实例(1)中Ra-Rc光学计算的实例图14是参考实例(1)中Ra-Rc光学计算的实例图15是参考实例(2)中Ra-Rc光学计算的实例图16是参考实例(2)中Ra-Rc光学计算的实例图17是参考实例(2)中Ra-Rc光学计算的实例图18是参考实例(2)中Ra-Rc光学计算的实例图19是参考实例(3)中Ra-Rc和Rc光学计算的实例图20是参考实例(3)中Ra-Rc和Rc光学计算的实例图21是参考实例(3)中Ra-Rc和Rc光学计算的实例图22是参考实例(3)中Ra-Rc和Rc光学计算的实例图23是参考实例(3)中Ra-Rc和Rc光学计算的实例图24是参考实例(3)中Ra-Rc和Rc光学计算的实例图25是参考实例(3)中Ra-Rc和Rc光学计算的实例图26是参考实例(4)中Ra-Rc和光学计算的实例在以上各图中，数字1表示半透明层；2表示第一保护层；3表示相变记录层；4表示第二保护层；5表示金属反射层；6和8表示衬底；7表示覆盖层(透明覆盖层)；9表示保护覆盖层；11和12表示相互扩散保护层。<实施本专利技术的最佳模式&本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光记录介质，该介质依照以下次序包括：主要含银的半透明层、含介电材料的第一保护层、主要由含Ｓｂ↓［ｘ］Ｔｅ↓［１－ｘ］（０．７＜ｘ≤０．９）的合金制成的相变记录层、含介电材料的第二保护层和金属反射层，其特征在于： 此处所述第一保护层包括含硫的介电材料，该介质还在所述半透明层和第一保护层之间有相互扩散保护层，并且， 对于在所述半透明层侧入射的光，该介质在所述记录层是非晶态时具有比记录层是结晶态更高的反射率。

【技术特征摘要】
JP 2000-6-16 180701/001.一种光记录介质，该介质依照以下次序包括主要含银的半透明层、含介电材料的第一保护层、主要由含SbxTe1-x(0.7＜x≤0.9)的合金制成的相变记录层、含介电材料的第二保护层和金属反射层，其特征在于此处所述第一保护层包括含硫的介电材料，该介质还在所述半透明层和第一保护层之间有相互扩散保护层，并且，对于在所述半透明层侧入射的光，该介质在所述记录层是非晶态时具有比记录层是结晶态更高的反射率。2.根据权利要求1的光记录介质，其中所述记录层由主要含(SbxTe1-x)1-yGey(0.7＜x≤0.9，0＜y≤0.1)的合金制成。3.一种光记录介质，该介质依照以下次序包括主要含银的半透明层、含介电材料的第一保护层、相变记录层、含介电材料的第二保护层、金属反射层，其特征在于在所述记录层内结晶主要通过从非晶或熔化区和结晶区之间的边界的晶体生长进行，此处所述第一保护层包括含硫的介电材料，该介质还包括在半透明层和第一保护层之间的相互扩散保护层，以及对于在所述半透明层侧入射的光，该介质在所述记录层是非晶态时具有比记录层是结晶态更高的反射率。4.根据权利要求1至3中的任何一项要求的光记录介质，其中所述介质的反射率Ra(％)在所述记录层是非晶态时与该介质在所述记录层是结晶态时的反射率Rc(％)满足关系Ra-Rc≥15(％)。5.根据权利要求1至4中的任何一项要求的光记录介质，其中所述半透明层厚度为1nm至40...

【专利技术属性】
技术研发人员：大野孝志，清野贤二郎，堀江通和，
申请(专利权)人：三菱化学株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]