光学信息记录介质和使用了它的记录方法技术

本发明专利技术的课题是，提供可以以高线速度和高可靠性进行信息记录的光学信息记录介质、它的制造方法以及它的记录、播放方法。设置第１基板１１、与第１基板１１平行配置的第２基板１２、配置在第１基板１１和第２基板１２之间的信息层２０，信息层２０包含记录层２２和以与记录层２２的距离在２０ｎｍ以下的方式配置的电介质层（下侧电介质层２１／上侧电介质层２３）。记录层２２是借助于从第１基板１１侧入射的光束１４的照射在可用光学方法识别的２种以上的不同状态之间变化的层，电介质层包含ＺｎＳ和Ｓｉ作为其主成分。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
专利说明光学信息记录介质 及其制造方法，以及记录方法 [专利技术所属的
]本专利技术涉及光学信息记录介质及其制造方法，以及使用它的记录方法。迄今已知，借助于对由在基板上形成的硫族材料构成的薄膜照射激光束，可使之在非晶相和结晶相之间进行相变。因此，利用这一现象的所谓相变方式的光学信息记录介质的研究开发正在蓬勃进行。在相变方式的记录介质中，通过在记录电平和擦除电平的2个功率电平间调制输出的激光束照射记录介质的信息轨迹，可以在擦除旧的信号的同时，记录新的信号。一般来说，在这样的记录介质中，作为用于记录信息的信息层，使用了不仅包含可相变的记录层，而且还包含记录层以外的层的多层膜。例如，使用包含由电介质材料构成的保护层或由金属构成的反射层的多层膜作为信息层。由电介质材料构成的保护膜具有如下的作用1)保护记录层免受来自外部的机械的损伤的作用，2)减少在反复进行信号改写时产生的热损伤，增加可改写次数的作用，3)利用多次反射的干涉效应增强光学特性变化的作用，4)防止由外部气氛影响引起的化学变化的作用。作为能实现这些作用的保护层材料，迄今推出的有Al2O3、TiO2、SiO2等氧化物，Si3N4、AlN等氮化物，Si-O-N等氮氧化物(参照特开平3-104038号公报)，ZnS等硫化物以及SiC等碳化物。另外，作为保护层材料，还推出了ZnS和SiO2的混合物ZnS-SiO2(特开昭63-103453号公报)。在商品化的相变型光盘中，使用了这些材料之中的ZnS-SiO2。使用ZnS-SiO2的理由之一是，在电介质中它的热导率小，能抑制进行记录时产生的热扩散，因而能提高记录灵敏度。另外，还有一个理由是，由于该材料的内部应力小，即使形成厚的层也难以产生裂痕，而且与记录层的粘结性好。对于光学信息记录介质，借助于使照射的激光束的波长变短，可以增加记录密度。另外，借助于增大会聚激光束的物镜的数值孔径，可以减小激光束点的直径，增加记录密度。另外，借助于在激光束引导用沟槽(groove)和沟槽间(land，台面)两方记录信息也可以增加记录密度。进而，借助于使用多个记录层也能增加记录密度。关于具有多个记录层的记录介质及其记录、播放方法已被公开(特开平9-212917号公报、WO96/31875公报、特开2000-36130号公报)。另外，用于从多个记录层中选取1个记录层进行记录、播放的层识别方法和层切换方法也被公开了(参照WO96/31875公报)。由于光学信息记录介质一般使用通用的激光二极管作为记录、播放用的光源，所以必须在有限的激光输出功率的范围内进行记录。因此，如上所述，迄今都使用ZnS-SiO2作为与记录层相邻的电介质层材料。但是，为了在短时间内记录、播放大容量的信息，要求以更高的线速度进行记录、播放。由于线速度越高，每单位面积的激光照射时间越短，所以必须提高记录层的记录灵敏度。特别是在具有多个记录层的记录介质的场合，提高在距激光的入射面最远的位置上配置的记录层的记录灵敏度尤为重要。因为这一点，正在寻求迄今所使用的ZnS-SiO2的替代材料。为提高记录层的记录灵敏度，必须使用由热导率比现有的电介质为低的电介质构成的保护层。另外，由热导率低的电介质构成的保护层有抑制因记录时的热扩散而擦除相邻轨迹上的一部分标记的现象(所谓交叉擦除)的效果，对高密度化适宜。鉴于这些情况，本专利技术的目的在于提供能够以高线速度和高可靠性进行信息记录的光学信息记录介质、它的制造方法以及它的记录、播放方法。为达到上述目的，本专利技术的光学信息记录介质是具有第1基板、与上述第1基板平行配置的第2基板、以及配置在上述第1基板与上述第2基板之间的信息层A的光学信息记录介质，其特征在于上述信息层A包含记录层和以与上述记录层的距离在20nm以下的方式配置的电介质层，上述记录层是借助于从上述第1基板侧入射的光束的照射，在可用光学方法识别的2种以上的不同状态间转换的层，上述电介质层，作为其主成分包含ZnS和Si。本专利技术人发现，采用由ZnS-Si(ZnS和Si的混合物)构成的电介质层的记录介质，与采用由ZnS-SiO2构成的电介质层的记录介质相比，可用低的激光功率进行记录。即，通过采用由ZnS-Si构成的电介质层，可以得到记录灵敏度高的记录介质。另外，ZnS-Si是热、化学以及机械方面稳定的材料。还有，由于ZnS-Si的溅射法的成膜速度比ZnS-SiO2的快，所以从生产方面看也是适宜的。在上述记录介质中，也可以具有在上述第1基板与上述第2基板之间配置的多个信息层，并且上述多个信息层中的距上述第2基板最近的信息层是上述信息层A。在上述记录介质中，上述信息层A可以包含在比上述记录层更靠近上述第2基板侧配置的反射层。上述记录介质中的上述记录层可以在可用光学方法识别的2种以上的不同状态之间可逆地变化。这时，上述记录层可以由含Te和Sb的合金构成。还有，上述记录层也可以由Ge-Sb-Te系合金、Ge-Sn-Sb-Te系合金、Ag-In-Sb-Te系合金或Ag-In-Ge-Sb-Te系合金构成。另外，上述记录层也可由Ge-Sb-Te系合金构成，上述合金以30原子％以上的含有率含Ge。另外，上述记录层也可由Ge-Sn-Sb-Te系合金构成，上述合金以总计30原子％以上的含有率含Ge和Sn。另外，上述记录层的厚度可在3nm以上、20nm以下。上述记录介质中的上述记录层也可以在可用光学方法识别的2种不同的状态之间不可逆地变化。这时，上述记录层可以由从Al、Si、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Ga、Ge、Zr、Nb、Mo、Ru、Rh、Pd、Ag、In、Sn、Sb、Hf、Ta、W、Re、Os、Ir、Pt、Au和Bi组成的组中选出的至少一种元素M以及Te和O构成。这时，上述记录层中的氧的含有率可以在25原子％以上、60原子％以下，上述记录层中的上述元素M的含有率可以在1原子％以上、35原子％以下。另外，上述记录层的厚度可以在5nm以上、70nm以下。还有，本专利技术的记录方法是具有包含借助于光束的照射在可用光学方法识别的2种以上的不同状态之间变化的记录层以及以ZnS和Si为主成分的电介质层的信息层的光学信息记录介质的记录方法，其特征在于当在以VL(m/秒)的线速度进行记录的第1区和以比VL高的VH(m/秒)的线速度进行记录的第2区形成各长度分别相等的记录标记时，借助于在第1功率和比上述第1功率小的第2功率之间调制上述光束进行记录，对上述第1区照射上述第1功率的上述光束的时间TL(秒)、对上述第2区照射上述第1功率的上述光束的时间TH(秒)、上述VL和上述VH满足TL·VL＜TH·VH的关系。附图说明图1是示出本专利技术的光学信息记录介质之一例的局部剖面图。图2是示出本专利技术的光学信息记录介质之另一例的局部剖面图。图3是示出本专利技术的光学信息记录介质之又一例的局部剖面图。图4是原理性地示出本专利技术的光学信息记录介质的记录、播放装置之一例的结构图。图5是一例在本专利技术的光学信息记录介质上记录信号时使用的激光束的波形图。下面参照附图对本专利技术的实施形态进行说明。还有，在下面的实施形态中，对相同的部分标以相同的符号，并省略重复的说明。(实施形态1)在实施形态1中，作为本专利技术的光学信息记录介质的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学信息记录介质，它是具有第１基板、与上述第１基板平行配置的第２基板、配置在上述第１基板与上述第２基板间的信息层Ａ的光学信息记录介质，其特征在于： 上述信息层Ａ包含记录层和以与上述记录层的距离在２０ｎｍ以下的方式配置的电介质层， 上述记录层是借助于从上述第１基板侧入射的光束的照射，在可用光学方法识别的２种以上的不同状态之间变化的层， 上述电介质层包含ＺｎＳ和Ｓｉ作为其主成分。

【技术特征摘要】
JP 2001-7-12 211824/011.一种光学信息记录介质，它是具有第1基板、与上述第1基板平行配置的第2基板、配置在上述第1基板与上述第2基板间的信息层A的光学信息记录介质，其特征在于上述信息层A包含记录层和以与上述记录层的距离在20nm以下的方式配置的电介质层，上述记录层是借助于从上述第1基板侧入射的光束的照射，在可用光学方法识别的2种以上的不同状态之间变化的层，上述电介质层包含ZnS和Si作为其主成分。2. 如权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于具有在上述第1基板和上述第2基板间配置的多个信息层，上述多个信息层中的距上述第2基板最近的信息层是上述信息层A。3.如权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于上述信息层A包含在比上述记录层更靠近上述第2基板侧配置的反射层。4.如权利要求1所述的光学信息记录介质，其特征在于上述记录层在可用光学方法识别的2种以上的不同状态之间可逆地变化。5.如权利要求4所述的光学信息记录介质，其特征在于上述记录层由含Te和Sb的合金构成。6.如权利要求4所述的光学信息记录介质，其特征在于上述记录层由Ge-Sb-Te系合金、Ge-Sn-Sb-Te系合金、Ag-In-Sb-Te系合金或Ag-In-Ge-Sb-Te系合金构成。7.如权利要求4所述的光学信息记录介质，其特征在于上述记录层由Ge-Sb-Te系合金构成，上述合金以30％以上的原子含有率含Ge。8.如权利要求4所述的光学信息记录介质，其特征在于上述记录层由Ge-Sn-Sb-Te系合金构成，上述合金以总计30...

【专利技术属性】
技术研发人员：北浦英树，山田升，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]