信息记录介质制造技术

一种信息记录介质，其特征在于，具有基板、和通过激光束照射引起的相变化反应进行信息记录的可多次重写的记录层、和在上述记录层的激光束入射侧与上述记录层接触设置的第１界面层、和在与上述记录层的激光束入射侧的相反侧与上述记录层接触设置的第２界面层，在上述第１界面层和上述第２界面层都含有Ｂｉ、Ｓｎ、Ｐｂ中至少一种任意元素，并且上述第１界面层含有的上述元素的含量之和小于上述第２界面层含有的上述元素的含量之和。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及通过能量束的照射进行信息记录的信息记录介质、信息记录方法以及介质制造方法，尤其涉及DVD-RAM、DVD-RW等相变化光盘、以及使用它的记录方法及其制造方法。DVD-RAM、DVD-RW等可记录消除的记录型DVD介质中采用相变化记录方式。相变化记录方式中基本上把“0”和“1”的信息与晶体和无定形体对应来进行记录。还有，晶体和无定形的折射率不同，因此设计各层的折射率和膜厚以使变为晶体的部分和变为无定形的部分的反射率之差成为最大。通过对该结晶化的部分和无定形化的部分照射激光束，再现反射光，来检测出记录的“0”和“1”。还有，要使给定位置无定形化(通常，把该动作叫做“记录”)是，通过照射较高功率的激光束，加热使记录层的温度高于记录层材料的熔点；使给定位置结晶化(通常，把该动作叫做“消除”)是，通过用较低功率激光束照射，加热使记录层的温度处于记录层材料的熔点以下的结晶化温度附近。这样，就能够可逆性地改变无定形状态和结晶状态。为了使记录型DVD达到对提高传送速度的要求，通常有提高介质的转速，用短时间进行记录消除的方法。此时，产生的问题的是，把信息过量书写(overwrite)在介质上时的记录消除特性。下面详细说明以上问题。考虑把某个给定位置从无定形变为晶体的情况。提高介质的转速时，通过激光束和所述给定位置的时间变短，同时给定位置保持结晶化温度的时间也变短。如果保持在结晶化温度的时间过短，则不能进行充分的晶体成长，因此会残留无定形体。它会反映到再现信号，使再现信号品质劣化。为了解决该问题有两种方法1.通过变更记录膜组成，使结晶化速度高速化；2.使用促进接触于记录膜的界面层、记录膜的结晶化的材料。例如特开2001-322357中，通过使用在作为记录材料的Ge-Sn-Sb-Te类材料中添加Ag、Al、Cr、Mn等金属的材料，得到能够进行高密度记录、反复重写性能优异、结晶化感度的经时劣化少的信息记录介质。特开平2-14289中也记载了Ge-Sn-Sn-Te类的记录膜材料。还有，特开平5-342629中是通过引入接触于记录层，促进Sb40Te10Se50等记录层结晶化的界面层，能够在短时间使记录层结晶。并且，特开平9-161316中是通过设置如由Sb2Te3等构成的层作为界面层(结晶化促进层)，能够极其高速地进行初期结晶化处理。并且特开2001-273673中是通过设置由SnTe、PbTe等构成的层作为界面层(晶核生成层)，可以得到即使长期保存后，结晶化速度也不下降的信息记录介质。CLV方式的特征在于1.记录再现时的数据传送速度始终一定，因此信号处理电路能够极其简单化；2.激光束和光盘的相对速度能够始终一定，因此能够使记录消除时的记录层的温度滞后一定，从而对介质的负荷小；3.把激光束向光盘的半径方向移动时，需要根据半径位置控制发动机的转数。因此，存取速度大幅度降低。CAV方式的特征在于1.记录再现时的数据传送速度因半径位置而异，因此信号处理电路增大；2.激光束和光盘的相对速度因半径位置而异，因此记录消除时的记录层的温度滞后大大依赖于半径位置，需要特别构成的光盘；3.把激光束向光盘的半径方向移动时，不必根据半径位置控制发动机的转速。因此能够进行高速存取。通过使用上述现有例子中举出的记录层材料、界面层材料，即使在盘线速度为高速的情况也能够实现极其良好的记录再写特性。但是，上述现有例子中没有充分考虑进行CAV记录时的问题点，因此进行CAV记录时，在信息记录介质内周部产生由记录的信号再现的再现信号品质大幅度劣化的问题。还有，现有例子中举出的由Sb40Te10Se50、Sb2Te3、SnTe、PbTe等构成的界面层会因10万次程度的多次重写而溶到记录膜中，产生再现信号劣化的问题。于是，本专利技术的目的在于提供能够进行CAV记录，并在进行10万次程度的多次重写后再现信号也不劣化的信息记录介质。还有，本专利技术的另一目的在于提供能够进行CAV记录，并在进行10万次程度的多次重写后再现信号也不劣化的信息记录介质的制造方法。为了得到能够进行CAV记录，并在进行10万次程度的多次重写后再现信号也不劣化的信息记录介质，整理上述现有例子的问题点。本专利技术需要解决的课题有如下两点。1)抑制多次重写时的界面层材料溶入记录层；2)抑制CAV记录时内周部的再现信号劣化。下面按顺序说明1)2)的原因。这里以附图说明图1构造的信息记录介质为前提进行说明。即，以第1保护层、第1界面层、记录层、第2界面层、第2保护层、吸收率控制层、热扩散层、紫外线固化保护层顺序在基板上叠层的构造。还有，本专利技术的效果并不一定局限于图1构造的信息记录介质。1)界面层材料溶入记录层的原因用图2说明该现象。图2是采用现有例子中所示Sb40Te10Se50、Sb2Te3、SnTe、PbTe等界面层材料作为第1界面层、第2界面层时信息记录介质的记录层周边部的断面图。由透镜聚焦的激光束如图所示在记录膜上形成焦点。此时激光束主要被记录层的第1界面层侧的面吸收。其结果在接触于记录层的第1界面层的面，记录层发热。这样，如图构成时，记录层第1界面层侧的温度与记录层第2界面层侧的温度相比，通常有高的倾向。通常如上所述，促进记录层结晶化的界面层材料的熔点一般比作为界面层使用的Ge3N4、Gr2O3等低，因此如果反复10万次程度的多次重写，从第1界面层侧界面层材料选择性地溶入到记录层。还有，本专利技术者们明确了作为促进记录层的结晶化层，Bi2Te3也显示出极其良好的性能。但是，Bi2Te3的熔点也是低为600℃，因此存在与上述现有材料同样的问题。并且，本专利技术者们不像上述现有例子那样使用Sb40Te10Se50、Sb2Te3、SnTe、PbTe这样的化合物作为界面层，而是通过只把Sn、Pb、Bi等元素添加到界面层材料中来得到记录层的结晶化促进效果。这是因为记录层中含有的Te和上述Sn、Pb、Bi等元素结合，分别生成SnTe、PbTe、Bi2Te3等结晶性化合物。这样，在界面层表面以上述结晶性化合物为晶核，促进记录层的结晶化。例如，作为界面层材料使用SnO2、PbO2、Bi2O3等上述元素的氧化物化合物，或SnS2、PbS、Bi2S3等上述元素的硫化物，或SnSe2、PbSe、Bi2Se3等上述元素的硒化物等，游离的上述元素与记录层中的Te结合而生成结晶性化合物，因此能够得到促进记录层结晶化的效果。但是上述氧化物、硫化物、硒化物也是热稳定性差，因此产生上述元素溶入记录层中，使再现信号劣化的问题。另一方面，只在第1界面层使用Gr2O3、Ge3N4等高熔点并且热稳定性好但没有记录层结晶化促进效果的界面层材料，在第2界面层使用在上述现有例子中所示Sb40Te10Se50、Sb2Te3、SnTe、PbTe等界面层材料时，不发生这样的问题。这说明上述界面层材料从第1界面层侧选择性地溶入到记录层。如上所述，界面层材料溶入记录层的原因是，记录层的第1界面层侧的部分高温化，因此界面层材料从第1界面层溶入记录层。还有，如上述在第1界面层使用没有促进记录层结晶化效果的界面层材料的情况，在高速记录时发生不能进行充分结晶化的问题。2)CAV记录时内周部的再现信号劣化的原因首先，说明再现信号不劣化的外周部的无定形本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种信息记录介质，其特征在于，具有基板、和通过激光束照射引起的相变化反应进行信息记录的可多次重写的记录层、和在上述记录层的激光束入射侧与上述记录层接触设置的第1界面层、和在与上述记录层的激光束入射侧的相反侧与上述记录层接触设置的第2界面层，在上述第1界面层和上述第2界面层都含有Bi、Sn、Pb中至少一种任意元素，并且上述第1界面层含有的上述元素的含量之和小于上述第2界面层含有的上述元素的含量之和。2.如权利要求1记载的信息记录介质，其特征在于，在上述第1界面层和上述第2界面层中都进一步含有Te，上述第1界面层含有的上述元素和Te的含量之和小于上述第2界面层含有的上述元素和Te的含量之和。3.一种信息记录介质，其特征在于，具有基板、和通过激光束照射引起的相变化反应进行信息记录的可多次重写的记录层、和(1)与上述记录层接触设置，并且含有Bi、Sn、Pb中至少一种任意元素，并且含有Ge和氮的第1界面层，或(2)与上述记录层接触设置，并且含有Bi、Sn、Pb中至少一种任意元素，并且含有过渡金属元素和氮的第1界面层，或(3)与上述记录层接触设置，并且含有Bi、Sn、Pb中至少一种任意元素，并且含有过渡金属元素和氧的第1界面层。4.如权利要求3记载的信息记录介质，其特征在于，上述(2...

【专利技术属性】
技术研发人员：宫本真，牛山纯子，宫内靖，梅泽和代，柏仓章，田村礼仁，
申请(专利权)人：株式会社日立制作所，日立马库塞鲁株式会社，
类型：发明
国别省市：