缺陷忽视区域的自计算方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种缺陷忽视区域的自计算方法及装置，在晶圆上定义包含已知缺陷的缺陷放宽区域，所述缺陷放宽区域包括阵列排布的子区域；沿所述晶圆的边缘至中心的方向逐行或逐列扫描所述子区域，每扫描一行或一列所述子区域，获取该行或该列的所有所述子区域的缺陷值的平均值，并判断所述平均值是否在一预设的缺陷阈值范围内，当扫描到平均值不在所述缺陷预设阈值范围内的一行或一列所述子区域时，停止扫描，并将平均值在所述缺陷预设阈值范围内的所有行或所有列的子区域定义为缺陷忽视区域，实现自计算缺陷忽视区域的边界，从而能够解决所述缺陷忽视区域过大漏掉关键性的缺陷或者所述缺陷忽视区域过小干扰信号过多的问题。所述缺陷忽视区域过小干扰信号过多的问题。所述缺陷忽视区域过小干扰信号过多的问题。

【技术实现步骤摘要】
缺陷忽视区域的自计算方法及装置


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，特别涉及一种缺陷忽视区域的自计算方法及其装置。

技术介绍

[0002]半导体新工艺研发工程中，特殊区域发现特定缺陷，尤其是光罩相关问题导致的固定区域问题。此类工艺问题，一般通过光照改版即可解决(即此类缺陷已有应对措施)，而由于光罩改版或者其他工艺修改时间周期长，因此该缺陷会在一定的周期时间内存在，并且影响其他缺陷的判定，即该已知缺陷数量过大，导致晶圆面内缺陷扫描超过设定值，或者观测过程中自动选择了大量该已知缺陷。
[0003]现有方法一般是通过扫描机台的定义缺陷忽视区域，将这些特定的固定区域通过设定边界的方式直接取出，在之后的扫描过程中则不会被计算进入扫描结果统计。
[0004]现有方法有两个缺陷：第一，定义区域的手法过紧：即缺陷忽视区域的边界刚好卡在缺陷的边界线上，则晶圆在载物台(stage)上稍有偏差时，会导致大量的缺陷忽视区域内干扰信号扫描到，影响整体缺陷判断。第二，定义区域的手法过松：即缺陷忽视区域的边界存留一定的缺陷放宽区域(spec datal)。但缺陷放宽区域(detal)的值过大则会导致可能存在关键性缺陷的丢失(miss)。

技术实现思路

[0005]本专利技术的目的在于提供一种缺陷忽视区域的自计算方法及其装置，以解决缺陷忽视区域过大漏掉关键性的缺陷或者缺陷忽视区域过小干扰信号过多的问题。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术提供一种缺陷忽视区域的自计算方法，包括，
[0007]在晶圆上定义包含已知缺陷的缺陷放宽区域，所述缺陷放宽区域包括阵列排布的子区域；
[0008]沿所述晶圆的边缘至中心的方向逐行或逐列扫描所述子区域，每扫描一行或一列所述子区域，获取该行或该列的所有所述子区域的缺陷值的平均值，并判断所述平均值是否在一预设的缺陷阈值范围内，当扫描到平均值不在所述缺陷预设阈值范围内的一行或一列所述子区域时，停止扫描，并将平均值在所述缺陷预设阈值范围内的所有行或所有列的子区域定义为缺陷忽视区域。
[0009]可选的，所述缺陷值用于表征所述子区域中的缺陷的面积。
[0010]可选的，所述已知缺陷为显影液残留而导致的缺陷，所述缺陷放宽区域包括所述晶圆的边缘所在的区域。
[0011]可选的，所述缺陷放宽区域的数量至少为两个。
[0012]可选的，利用扫描电子显微镜扫描所述子区域，所述子区域在扫描方向上的宽度等于所述扫描电子显微镜的最小分辨率。
[0013]可选的，若所述缺陷放宽区域的子区域的列数大于行数时，逐行扫描所述子区域
并计算每行的所有所述子区域的缺陷值的平均值；若所述缺陷放宽区域的子区域的列数小于行数时，逐列扫描所述子区域并计算每列的所有所述子区域的缺陷值的平均值；若所述缺陷放宽区域的子区域的列数等于行数时，逐列扫描所述子区域并计算每列的所有所述子区域的缺陷值的平均值，或者逐行扫描所述子区域并计算每行的所有所述子区域的缺陷值的平均值。
[0014]可选的，所述缺陷预设阈值范围为(60％P,140％P)，P为缺陷放宽区域中缺陷值最大的10个子区域的缺陷值的平均值。
[0015]可选的，扫描第一行子区域或者第一列子区域的缺陷值时，从最远离所述晶圆的中心的一行或一列开始扫描。
[0016]可选的，所述缺陷放宽区域的面积大于所述缺陷忽视区域的面积。
[0017]基于同一专利技术构思，本专利技术还提供一种缺陷忽视区域的自计算装置，包括：
[0018]缺陷放宽区域定义单元，用于在晶圆上定义包含已知缺陷的缺陷放宽区域，所述缺陷放宽区域包括阵列排布的子区域；
[0019]扫描计算单元，用于沿所述晶圆的边缘至中心的方向逐行或逐列扫描所述子区域，每扫描一行或一列所述子区域，获取该行或该列的所有所述子区域的缺陷值的平均值；
[0020]判断单元，用于判断所述平均值是否在一预设的缺陷阈值范围内，当扫描到平均值不在所述缺陷预设阈值范围内的一行或一列所述子区域时，停止扫描，并将平均值在所述缺陷预设阈值范围内的所有行或所有列的子区域定义为缺陷忽视区域。
[0021]可选的，所述扫描单元为扫描电子显微镜。
[0022]在本专利技术提供的一种缺陷忽视区域的自计算方法及装置，通过在晶圆上定义包含已知缺陷的缺陷放宽区域，设置缺陷忽视区域的缺陷预设阈值范围；沿所述晶圆的边缘至中心的方向逐行或逐列扫描所述子区域，每扫描一行或一列所述子区域，获取该行或该列的所有所述子区域的缺陷值的平均值，并判断所述平均值是否在一预设的缺陷阈值范围内，当扫描到平均值不在所述缺陷预设阈值范围内的一行或一列所述子区域时，停止扫描，并将平均值在所述缺陷预设阈值范围内的所有行或所有列的子区域定义为缺陷忽视区域，实现自计算缺陷忽视区域的边界，从而能够解决所述缺陷忽视区域过大漏掉关键性的缺陷或者所述缺陷忽视区域过小干扰信号过多的问题，减小整片晶圆的缺陷数量，增加其他缺陷被侦测概率。
附图说明
[0023]图1是本专利技术实施例的缺陷忽视区域的自计算方法流程图；
[0024]图2是本专利技术实施例一的缺陷放宽区域的结构示意图；
[0025]图3是本专利技术实施例二的缺陷放宽区域的结构示意图；
[0026]图中，
[0027]10
‑
晶圆；11
‑
缺陷忽视区域；11a
‑
缺陷放宽区域；11b
‑
缺陷放宽区域。
具体实施方式
[0028]以下结合附图和具体实施例对本专利技术提出的一种缺陷忽视区域的自计算方法及其装置作进一步详细说明。根据下面说明和权利要求书，本专利技术的优点和特征将更清楚。需
说明的是，附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例，仅用以方便、明晰地辅助说明本专利技术实施例的目的。
[0029]【实施例一】
[0030]具体的，请参考图1，其为本专利技术实施例的缺陷忽视区域的自计算方法流程图。如图1所示，本专利技术提供一种缺陷忽视区域的自计算方法，包括，
[0031]步骤S10，在晶圆上定义包含已知缺陷的缺陷放宽区域，所述缺陷放宽区域包括阵列排布的子区域。
[0032]步骤S20，设置缺陷忽视区域的缺陷预设阈值范围。
[0033]步骤S30，扫描第一行子区域或者第一列子区域的缺陷值，计算第一行子区域或者第一列子区域的平均值，并判断所述平均值是否在所述缺陷预设阈值范围内。
[0034]步骤S40，若所述第一行子区域或者第一列子区域的平均值在所述缺陷预设阈值范围内，继续计算第二行子区域或者第二列子区域的平均值，直到计算出的当前行子区域或者列子区域的平均值不在所述缺陷预设阈值范围内，停止扫描，并将平均值在所述缺陷预设阈值范围内的所有行或所有列的子区域定义为缺陷忽视区域。
[0035]图2是本专利技术实施例一的缺陷放宽区域的结构示意图，下面结合附图2详细介绍本专利技术提供的一种缺陷忽视区域的自计算方法。
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【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种缺陷忽视区域的自计算方法，其特征在于，包括：在晶圆上定义包含已知缺陷的缺陷放宽区域，所述缺陷放宽区域包括阵列排布的子区域；沿所述晶圆的边缘至中心的方向逐行或逐列扫描所述子区域，每扫描一行或一列所述子区域，获取该行或该列的所有所述子区域的缺陷值的平均值，并判断所述平均值是否在一预设的缺陷阈值范围内，当扫描到平均值不在所述缺陷预设阈值范围内的一行或一列所述子区域时，停止扫描，并将平均值在所述缺陷预设阈值范围内的所有行或所有列的子区域定义为缺陷忽视区域。2.如权利要求1所述的缺陷忽视区域的自计算方法，其特征在于，所述缺陷值用于表征所述子区域中的缺陷的面积。3.如权利要求1所述的缺陷忽视区域的自计算方法，其特征在于，所述已知缺陷为显影液残留而导致的缺陷，所述缺陷放宽区域包括所述晶圆的边缘所在的区域。4.如权利要求1所述的缺陷忽视区域的自计算方法，其特征在于，所述缺陷放宽区域的数量至少为两个。5.如权利要求1所述的缺陷忽视区域的自计算方法，其特征在于，利用扫描电子显微镜扫描所述子区域，所述子区域在扫描方向上的宽度等于所述扫描电子显微镜的最小分辨率。6.如权利要求1所述的缺陷忽视区域的自计算方法，其特征在于，若所述缺陷放宽区域的子区域的列数大于行数时，逐行扫描所述子区域并计算每行的所有所述子区域的缺陷值的平均值；若所述缺陷放宽区域的子区域的列数小于行数时，...

【专利技术属性】
技术研发人员：叶林，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：