垂直磁记录介质制造技术

一种垂直磁记录介质包括： 至少第一和第二垂直磁记录层，和支撑第一和第二垂直磁记录层的基质， 特征是第一和第二垂直磁记录层具有不同的物理／磁特性，并由补偿不同物理／磁特性的材料所形成。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种垂直磁记录介质，尤其是关于具有高热稳定性和高记录密度的垂直磁记录介质。
技术介绍
在广泛用作数据储存装置的硬盘驱动器(HDD)中，使用垂直磁记录方法，以增加记录密度及其容量。在垂直磁记录方法中，使磁化垂直定向于记录介质的膜面，以增加记录介质的记录密度。此外，为了增加垂直磁记录介质的热稳定性和记录密度，介质的几个关键特征应满足诸如强大的垂直磁性各向异性能，超过10e6erg/cc，较小的平均粒径，狭窄的晶粒大小分布，和小的磁畴的特性。在通常的垂直磁记录介质中，当垂直磁记录的各向异性能增加时晶粒或磁畴增大。同样，晶粒或磁畴减小，垂直磁记录的各向异性能减小。附图说明图1表示通常的垂直磁记录介质的层结构。图2表示通常具有双磁层的垂直磁记录介质层结构。参照图1和2，两种通常的垂直磁记录介质具有垂直定向的底层102和软磁层202，分别设置在垂直磁记录层103和203之下。更具体地，如图1所示，垂直定向底层102设置在基质101的上表面上，而垂直磁记录层103设置在垂直定向底层102上。在垂直磁记录层103上设置保护层104，以保护垂直磁记录层103。之后，将润滑层105设置在保护层104上，以保护垂直磁记录层103，保护层104免遭数据书写/读取磁头滑块的碰撞，并引起磁头滑块圆滑滑动。参照图2，具有双磁记录层的通常垂直磁记录介质具有软磁层202，以取代图1中的垂直定向底层102。软磁层202在基质201上形成。将垂直磁记录层203设置在软磁层202上。在垂直磁记录层203上相继形成保护层204和润滑层205。两种通常记录介质中的每一个都具有垂直磁记录层。垂直磁记录层是由具有大的垂直各向异性能(Ku)的材料形成，以保证高密度记录时所要求的高热稳定性。然而，具有大的垂直各向异性能的材料，却提供了大的晶粒和大的磁畴，并产生大的噪音，因此无助于获得高密度记录。同时，若使用具有小晶粒和小磁畴的材料，可获得具有优良信号对噪音比率(SNR)的高密度记录，但由于其小的垂直磁性各向异性能(Ku)，不能确保热稳定性。专利技术简要本专利技术提供一种垂直磁记录介质，它通过增加垂直磁性各向异性能和减小晶粒和磁畴而获得增加的记录密度。根据本专利技术的一个方面，提供的垂直磁记录介质，包括至少2个垂直磁记录层和支承垂直磁记录层的基质。每一个垂直磁记录层都具有不同的物理性/磁性，并由可补偿不同的物理性/磁性的其他层的材料所形成。在垂直磁记录介质中，垂直磁记录层可选自以下层用于改进垂直磁性各向异性能(Ku)的层，用于减小晶粒大小的层，用于减小磁畴大小的层、用于增加SNR的层，用于改进信号输出的层，用于减小噪音的层，用于改进晶粒大小均匀性的层，和用于改进磁畴大小均匀性的层。根据垂直磁记录介质的一个实施方案，包括有第一和第二垂直磁记录层。第一垂直磁记录层的晶粒小于第二垂直磁记录层的晶粒，而第二垂直磁记录层的垂直磁性各向异性能(Ku)大于第一垂直磁记录层的垂直磁各向异性能。根据垂直磁记录介质的另一个实施方案，包括有第一和第二垂直磁记录层。第一垂直磁记录层的垂直磁性各向异性能(Ku)大于第二垂直磁记录层，并使用第二垂直磁记录层降低噪音。根据垂直磁记录介质的再一个实施方案，使用一个垂直磁记录层改进垂直磁性各向异性能(Ku)，使用另一个垂直磁记录层降低晶粒大小。或者，利用一个垂直磁记录层改进垂直磁性各向异性能(Ku)，使用另一个垂直磁记录层减小磁畴的大小。或者，使用一个垂直磁记录层改进垂直磁性各向异性能(Ku)，使用另一个垂直磁记录层增加晶粒大小的均匀性。或者，使用一个垂直磁记录层改进信号输出，而使用另一个垂直磁记录层降低噪音。或者，第一垂直磁记录层的垂直磁性各向异性能(Ku)大于第二垂直磁记录层。在垂直磁记录介质中，垂直磁记录层或者具有晶体结构，或者具有非晶体结构。或者，第一和第二垂直磁记录层中的一个具有晶体结构，而另一个垂直磁记录层具有非晶体结构。两个垂直磁记录层具有相互物理性分开或相互物理性连接的磁畴。或者，第一和第二垂直磁记录层中的一个具有相互物理性分开的磁畴，而另一个垂直磁记录层具有相互物理性连接的磁畴。附图主要说明参照以下附图，详细描述实施方案，会进一步清楚本专利技术的上述或其他特征和优点。图1表明具有单磁层的普通垂直磁记录介质层结构。图2表明具有双磁层的普通垂直磁记录介质层结构。图3表明本专利技术第一实施方案的具有单磁记录层的垂直磁记录介质层结构。图4表明本专利技术第一实施方案的具有双磁记录层的垂直磁记录介质层结构。图5表明本专利技术第二实施方案的具有单磁记录层的垂直磁记录介质层结构。图6表明本专利技术第二实施方案的具有双磁记录层的垂直磁记录介质层结构。图7表明图3中的垂直磁记录介质的层结构，其中，使用特定材料以形成其组成层。图8表明本专利技术垂直磁记录介质2，3和普通垂直磁记录介质1的磁滞回线。图9表明本专利技术垂直磁记录介质2，3中每一个和普通垂直磁记录介质1之间的垂直各向异性能(Ku)和矫顽力(Hc)的曲线图。图10表明本专利技术垂直磁记录介质2的光谱分析结果的曲线图。图11表明本专利技术垂直磁记录介质3的光谱分析结果的曲线图。和图12表明本专利技术垂直磁记录介质的SNR的测量结果的曲线图。专利技术的详细说明图3中示出了根据本专利技术第一实施方案的具有单磁记录层的垂直磁记录介质。参照图3，在基质301上沉积垂直定向底层302。在垂直定向底层302上依次形成第一和第二垂直磁记录层303，304。第一垂直磁记录层303是通过沉积降低噪音的材料而形成。第二垂直磁记录层304是通常沉积具有高垂直磁性各向异性能的材料而形成，以改进热稳定性。在第二垂直磁记录层304上形成保护层305和润滑层306。图4中示出了根据本专利技术第一实施方案的具有双磁记录层的垂直磁记录介质。参照图4，在基质401上沉积软磁层402，并在软磁层402上形成垂直定向底层403。在垂直定向底层403上依次形成第一和第二垂直磁记录层404和405。第一垂直磁记录层404是通过沉积降低噪音的材料而形成。第二垂直磁记录层405是通过沉积具有高垂直磁性各向异性能的材料而形成，以改进热稳定性。在第二垂直磁记录层405上，依次形成保护层406和润滑层407。图5中示出了根据本专利技术第二实施方案的具有单磁记录层的垂直磁记录介质。参照图5，将垂直定向底层502放在基质501上。第一和第二垂直磁记录层503，505置于垂直定向底层502上。在第一和第二垂直磁记录层503和505之间，设置用于改进第二垂直磁记录层505特性的中间层504。在第二垂直磁记录层505上，形成保护层305和润滑层306。图6中示出了根据本专利技术的第二实施方案的具有双磁记录层的垂直磁记录介质。参照图6，在基质601上沉积软磁层602，在软磁层602上形成垂直定向底层603。在垂直定向底层603上相继形成第一垂直磁记录层604，中间层605、和第二垂直磁记录层606。通过沉积能改进第二垂直磁记录层606的物理性/磁性特征的材料而形成中间层605，在第二垂直磁记录层606上依次形成保护层607和润滑层608。图7示出了图3的垂直磁记录介质，其中由特定材料形成其组成层。参照图7，在基质701上形成Ti的垂直定向底层702，以改进第一和第二垂直磁记录层703和70本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李丙圭，吴薰翔，李炅珍，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：