晶片的生成方法技术

本发明专利技术提供晶片的生成方法，在通过从SiC锭的剥离而生成晶片时，缩短剥离时间。晶片的生成方法包含如下的晶片生成工序：向形成有剥离层的锭的端面喷射超声波水而将晶片从锭剥离，从而生成晶片。因此，与同时对锭的端面的整个面传递超声波振动而将晶片剥离的结构相比，能够缩短剥离时间，并且能够使超声波水喷射喷嘴和超声波水喷射喷嘴的超声波振动板小型化。由此，能够实现与晶片的剥离相关的效率化和成本的降低。本的降低。本的降低。

【技术实现步骤摘要】
晶片的生成方法


[0001]本专利技术涉及晶片的生成方法。

技术介绍

[0002]在专利文献1、2所公开的现有的技术中，向SiC锭照射对于SiC锭具有透过性的波长的激光光线。由此，在距离SiC锭的一个面相当于晶片的厚度的深度的部分形成剥离层，该剥离层包含改质部和从改质部沿着c面延伸的裂纹。进而，通过实施以剥离层为起点的剥离，生成SiC晶片。
[0003]能够通过向剥离层传递超声波振动并使剥离层连结来进行剥离。这样，为了使超声波振动传递到剥离层，在形成剥离层之后，使SiC锭的一个面浸在水中，使从超声波振动板振荡出的超声波振动经由水而从SiC锭的一个面传递至剥离层。由此，将晶片剥离。
[0004]专利文献1：日本特开2018
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133485号公报
[0005]专利文献2：日本特开2019
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096751号公报
[0006]但是，在现有的剥离方法中，由于使SiC锭的一个面浸在水中，使超声波振动同时传递至SiC锭的一个面的整个面，因此需要较大的超声波振动板，效率差。另外，到将整个面剥离为止需要时间。此外，由于剥离会污染水，因此需要更换水。

技术实现思路

[0007]因此，本专利技术的目的在于提供晶片的生成方法，在通过从SiC锭的剥离而生成晶片时能够缩短剥离时间。
[0008]根据本专利技术，提供一种晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成晶片，该单晶SiC锭具有平坦的端面、c轴以及与该c轴垂直的c面，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该单晶SiC锭中的与应生成的晶片的厚度相当的深度即晶片深度而向该单晶SiC锭的平坦的端面照射该激光光线，并使该单晶SiC锭与该聚光点沿着与该端面平行的方向相对地移动，从而形成剥离层，该剥离层包含改质部和从该改质部沿着该c面按照各向同性而形成的裂纹；以及晶片生成工序，在实施了该剥离层形成工序之后，从超声波水喷射喷嘴朝向该单晶SiC锭的要生成晶片的那侧的该端面喷射传播了超声波振动的超声波水，并且使该单晶SiC锭与该超声波水喷射喷嘴沿着与该端面平行的方向相对地移动，从而以该剥离层为界面而将晶片剥离，由此生成晶片。
[0009]优选的是，在该单晶SiC锭中，该c轴相对于该端面的垂线倾斜偏离角，该c面与该端面所成的角度为该偏离角，该剥离层形成工序包含如下的动作：交替地重复进行使向该端面照射的该激光光线的该聚光点沿着与形成该偏离角的方向即第1方向垂直的第2方向直线移动从而沿着该第2方向连续地形成包含该改质部和该裂纹的该剥离层的动作、以及将该单晶SiC锭与该聚光点沿着该第1方向在不超过该裂纹的宽度的范围内相对地进行转位进给的动作，从而依次生成沿着该第2方向的多个该剥离层。
[0010]优选的是，该晶片生成工序中使用的该超声波水喷射喷嘴包含：穹顶型的超声波振动板，其接受高频电力而振荡出超声波振动；圆环状板，其从该超声波振动板的外周向外伸出；以及箱，其具有储水部、水提供口以及喷射口，该储水部对该圆环状板进行支承并在该超声波振动板的凹陷面侧贮存水，该水提供口向该储水部提供水，该喷射口与该超声波振动板的凹陷面对置并喷射该储水部的水，该晶片生成工序包含如下的动作：将通过向该超声波振动板提供高频电力而从该超声波振动板振荡出的超声波振动的集束点形成于该喷射口。
[0011]优选的是，晶片的生成方法还具有如下的工序：分离工序，通过分离单元使在该晶片生成工序中剥离的晶片从单晶SiC锭分离；以及清洗工序，在实施该分离工序之后，使用该超声波水喷射喷嘴对该晶片的剥离面进行清洗。
[0012]根据本专利技术，通过向形成有剥离层的单晶SiC锭的端面喷射超声波水，将晶片从单晶SiC锭剥离，从而能够生成晶片。因此，与使单晶SiC锭的一个面浸在水中同时向单晶SiC锭的端面的整个面传递超声波振动而将晶片剥离的现有的结构相比，能够缩短剥离时间，并且能够使超声波水喷射喷嘴小型化。由此，能够实现与晶片的剥离相关的效率化和成本的降低。
附图说明
[0013]图1的(a)是单晶SiC锭的主视图，图1的(b)是单晶SiC锭的俯视图。
[0014]图2的(a)是示出激光加工装置的主要部分的结构和通过激光加工装置而形成的改质部的立体图，图2的(b)是示出通过激光加工装置而形成的改质部的侧视图。
[0015]图3的(a)是示出形成有剥离层的单晶SiC锭的俯视图，图3的(b)是图3的(a)中的B
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B线剖视图。
[0016]图4是示出剥离装置的立体图。
[0017]图5是示出图4所示的剥离装置的超声波水喷射喷嘴的剖视图。
[0018]图6是示出剥离工序的立体图。
[0019]图7是示出清洗工序的立体图。
[0020]标号说明
[0021]1：剥离装置；2：超声波水喷射喷嘴；3：超声波振动板；10：保持工作台；11：保持面；12：框体；13：保持工作台旋转机构；14：主轴；15：电动机；20：箱；21：底板；22：顶板；23：侧壁；221：第一室；222：第二室；231：水提供口；25：第1电极板；26：第2电极板；27：压电元件；261：辐射面；29：高频电源；30：穹顶部；31：凸肩部；32：圆环状板；24：喷嘴部；241：喷射口；41：水提供管；42：接头；43：第1电动机；44：水提供源；45：旋转轴；46：旋转电动机；47：升降单元；48：保持部件；49：壳体；500：水；501：超声波水；600：超声波振动；50：晶片保持部；51：搬送垫；52：旋转臂；53：连结部；64：激光加工装置；66：卡盘工作台；68：聚光器；400：激光光线；401：聚光点；100：晶片；101：剥离面；200：锭；201：第1端面；202：第2端面；203：周面；204：改质部；205：裂纹；206：剥离层；211：第1定向平面；212：第2定向平面；215：垂线；216：c轴；217：c面；α：偏离角。
具体实施方式
[0022]本专利技术实施方式的晶片生成方法是从具有c轴和与c轴垂直的c面的单晶SiC锭生成晶片的方法。本实施方式的晶片生成方法包含剥离层形成工序、晶片生成工序、分离工序以及清洗工序。
[0023]首先，对单晶SiC锭的结构进行说明。如图1的(a)所示，单晶SiC锭(以下简称为锭)200整体形成为圆柱形状。锭200具有平坦的第1端面201和与第1端面201相反的一侧的第2端面202。锭200的第1端面201成为被照射激光光线的端面。另外，周面203位于第1端面201与第2端面202之间。
[0024]如图1的(a)所示，锭200具有c轴216(＜0001＞方向)和与c轴216垂直的c面217({0001}面)。c轴216从第1端面201至第2端面202相对于第1端面201的垂线215倾斜偏离角α。因此，c面217相对于第1端面201倾斜偏离角α。即，c面217与第1端面201所成的角度为偏离角本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶片的生成方法，从单晶SiC锭生成晶片，该单晶SiC锭具有平坦的端面、c轴以及与该c轴垂直的c面，其中，该晶片的生成方法具有如下的工序：剥离层形成工序，将对于单晶SiC具有透过性的波长的激光光线的聚光点定位于该单晶SiC锭中的与应生成的晶片的厚度相当的深度即晶片深度而向该单晶SiC锭的平坦的端面照射该激光光线，并使该单晶SiC锭与该聚光点沿着与该端面平行的方向相对地移动，从而形成剥离层，该剥离层包含改质部和从该改质部沿着该c面按照各向同性而形成的裂纹；以及晶片生成工序，在实施了该剥离层形成工序之后，从超声波水喷射喷嘴朝向该单晶SiC锭的要生成晶片的那侧的该端面喷射传播了超声波振动的超声波水，并且使该单晶SiC锭与该超声波水喷射喷嘴沿着与该端面平行的方向相对地移动，从而以该剥离层为界面而将晶片剥离，由此生成晶片。2.根据权利要求1所述的晶片的生成方法，其中，在该单晶SiC锭中，该c轴相对于该端面的垂线倾斜偏离角，该c面与该端面所成的角度为该偏离角，该剥离层形成工序包含如下的动作：交替地重复进行使向该端面照射的该激光光线的该聚光点沿着与形成该偏离角的方向即第1方向垂直的第2方向直线移动从而沿着该第2方向连续地形成包含...

【专利技术属性】
技术研发人员：邱晓明，
申请(专利权)人：株式会社迪思科，
类型：发明
国别省市：