晶硅切割方法技术

技术编号:30638408 阅读:26 留言:0更新日期:2021-11-04 00:28
本申请实施例涉及光伏技术领域,公开了一种晶硅切割方法,在切割晶硅体之前,包括如下步骤:将辅材板通过粘胶层固定在晶硅体上;其中,辅材板包括层叠设置的第一材料板和第二材料板,第一材料板与粘胶层固定,第一材料板的邵氏硬度为85度至95度,第一材料板的厚度为0.1毫米至7毫米。本申请实施例提供的晶硅切割方法有利于提高晶硅的切割效率。方法有利于提高晶硅的切割效率。方法有利于提高晶硅的切割效率。

【技术实现步骤摘要】
晶硅切割方法


[0001]本申请实施例涉及光伏
,特别涉及一种晶硅切割方法。

技术介绍

[0002]当前能源需求巨大,传统能源由于储量有限、不利于环保等问题,需求逐步下降,而清洁低成本能源的需求与日俱增,在清洁能源中,太阳能光伏具有高效低成本优势,较其他风能、潮汐能等拥有更大的发展前景。
[0003]在太阳能光伏领域中,主要使用到晶硅等材料来制作太阳能电池,晶硅作为一种性能优异的半导体材料,被广泛地应用在太阳能光伏电池板中,其能够达到较高的能量转换效率。原始硅料可以在铸锭炉内生产成为多晶硅锭,或者在单晶炉内通过直拉法拉制单晶,然后可以对制备好的硅棒进行切片。
[0004]在晶硅切片工序里,硅棒通常固定在切片机台的内部顶端,金刚线缠绕在切片机台内的主辊上。在切割过程中,金刚线在主辊的带动下高速转动,通过使硅棒下降挤压金刚线,达到切割硅棒以产出硅片的目的,但是目前的硅棒在切割时,切割时间较长,不利于提高晶硅的切割效率。

技术实现思路

[0005]本申请实施方式的目的在于提供一种晶硅切割方法,有利于提高晶硅的切割效率。
[0006]为解决上述技术问题,本申请的实施方式提供了一种晶硅切割方法,在切割晶硅体之间,包括如下步骤:将辅材板通过粘胶层固定在所述晶硅体上;其中,所述辅材板包括层叠设置的第一材料板和第二材料板,所述第一材料板与所述粘胶层固定,所述第一材料板的邵氏硬度为85度至95度,所述第一材料板的厚度为0.1毫米至7毫米;和/或所述粘胶层包括位于同一平面上的第一粘胶层和两个第二粘胶层,两个所述第二粘胶层沿第一方向相对设置在所述第一粘胶层的两侧,两个所述第二粘胶层的邵氏硬度为80度至100度。
[0007]本申请实施方式提供的晶硅切割方法,通过在辅材板中采用邵氏硬度为85度至95度的第一材料板,或者通过在粘胶层中采用邵氏硬度为80度至100度的第二粘胶层,或者通过同时在辅材板中采用邵氏硬度为85度至95度的第一材料板和在粘胶层中采用邵氏硬度为80度至100度的第二粘胶层,来达到使第一材料板的邵氏硬度和/或第二粘胶层的邵氏硬度接近晶硅体的邵氏硬度,从而减缓在切割过程中由于出现硬度的突变而引起金刚线的线弓现象,也就无需在金刚线进入晶硅体切割的收尾阶段时降低晶硅体的下降速度,进而提高了晶硅的切割效率。
附图说明
[0008]一个或多个实施例通过与之对应的附图中的图片进行示例性说明,这些示例性说明并不构成对实施例的限定,附图中具有相同参考数字标号的元件表示为类似的元件,除非有特别申明,附图中的图不构成比例限制。
[0009]图1是硅棒在切片加工时的示意图;图2是金刚线在切割至硅棒收尾阶段时、出现线弓现象的示意图;图3是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第一种晶硅体切片结构的爆炸图;图4是图3所示晶硅体切片结构中辅材板的结构示意图;图5是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第二种晶硅体切片结构的爆炸图;图6是图5所示晶硅体切片结构中粘胶层的结构示意图;图7是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第三种晶硅体切片结构的爆炸图;图8是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第四种晶硅体切片结构的爆炸图;图9是图8所示晶硅体切片结构中辅材板的结构示意图;图10是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第五种晶硅体切片结构的爆炸图;图11是本申请实施例提供的晶硅切割方法采用的第六种晶硅体切片结构的爆炸图。
具体实施方式
[0010]为使本申请实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合附图对本申请的各实施方式进行详细的阐述。然而,本领域的普通技术人员可以理解,在本申请各实施方式中,为了使读者更好地理解本申请而提出了许多技术细节。但是,即使没有这些技术细节和基于以下各实施方式的种种变化和修改,也可以实现本申请所要求保护的技术方案。以下各个实施例的划分是为了描述方便,不应对本申请的具体实现方式构成任何限定,各个实施例在不矛盾的前提下可以相互结合相互引用。
[0011]目前硅棒在采用金刚线(即金刚石切割线)进行切割时,首先将辅材板通过胶材粘接在硅棒(即晶硅体)上,其次将硅棒经辅材板固定在切片机台的内部顶端,控制硅棒下降经过高速旋转的金刚线,即可进行硅棒的切片过程。
[0012]如图1所示,金刚线400缠绕在主辊500上,并在主辊500的带动下沿图1中箭头A所示方向行进,而硅棒300则在沿图1中箭头B所示方向下降的过程中挤压金刚线400,从而在金刚线400的作用下进行切割以产出硅片。
[0013]但是如图2所示,金刚线400在切割至粘胶层200和辅材板100的时候,即进入硅棒300切割的收尾阶段时,金刚线400会出现越来越明显的线弓现象,即金刚线400会由直线形状变成弧线形状,而且弧形形状的弯曲程度在加剧。金刚线400之所以在进入硅棒300切割的收尾阶段,会出现线弓现象的加剧,是因为目前辅材板100和胶材的硬度远小于硅棒300
的硬度,导致金刚线400在硅棒300两侧处切割到粘胶层200和辅材板100的时候,金刚线400在硅棒300两侧处受到的切割阻力瞬间减小,金刚线400在硅棒300两侧处受到的切割阻力越小,则金刚线400的线弓现象越明显,此时金刚线400往上拉的力也就越大,造成硅片的不良也越严重。另外,在硅棒300两侧都已切透时,中间部位还有较大的距离没有切透,随着硅棒300的继续下降,金刚线400继续切割,当金刚线400切割至硅棒300最后中间的一点未切透时,此时金刚线400线弓程度达到最大值,金刚线400往上拉的力达到最大,这种情况下,容易出现硅棒300中间的最后一点不是切透的,而是被金刚线400硬拉上去的,这就容易导致产出的硅片在该部位出现崩边的不良情况,同时也会降低金刚线400的使用寿命。
[0014]因此,当前为了解决硅片的不良问题,在金刚线400快到硅棒300切割的收尾阶段时,必须降低硅棒300的下降速度来防止金刚线400的线弓程度过大,以保证硅片品质良率,但如此一来,硅棒300切割时间较长,会严重影响硅棒300的切割效率,例如图1中所示的硅棒300在一种具体的情形下,完成主体部分的切割耗时达到75分钟,但是收尾阶段的切割时间却达到了25分钟,即硅棒300收尾阶段的切割时间达到了主体部分的切割时间的1/3。
[0015]而本申请实施例通过增加辅材板100和/或粘胶层200的硬度,使二者中的至少一者的硬度接近硅棒300的硬度,这样,金刚线400在硅棒300两侧切割到粘胶层200和辅材板100时,不会出现所受阻力发生突变的情况,从而减缓因为辅材板100和粘胶层200的硬度与硅棒300的硬度差距较大而引起金刚线400的线弓现象加剧,从而也就无需降低硅棒300在收尾阶段中的下降速度,进而提高硅棒300的切割效率。例如同样是图1所示的硅棒300,在增加辅材板100和/或粘胶层200的硬度后,其收尾阶段的切割过程可以仅用5分钟便完成,切割时间降低了4/5,这极大地提高了晶硅的切割效率。
[0016]需要说明的是,此处增加辅材板10本文档来自技高网
...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种晶硅切割方法,其特征在于,在切割晶硅体之前,包括如下步骤:将辅材板通过粘胶层固定在所述晶硅体上;其中,所述辅材板包括层叠设置的第一材料板和第二材料板,所述第一材料板与所述粘胶层固定,所述第一材料板的邵氏硬度为85度至95度,所述第一材料板的厚度为0.1毫米至7毫米;和/或所述粘胶层包括位于同一平面上的第一粘胶层和两个第二粘胶层,两个所述第二粘胶层沿第一方向相对设置在所述第一粘胶层的两侧,两个所述第二粘胶层的邵氏硬度为80度至100度。2.根据权利要求1所述的晶硅切割方法,其特征在于:所述第一材料板的邵氏硬度大于等于所述第二材料板的邵氏硬度。3.根据权利要求1所述的晶硅切割方法,其特征在于:所述第一材料板和所述第二材料板的厚度之和为10毫米至25毫米。4.根据权利要求3所述的晶硅切割方法,其特征在于:所述第一材料板和所述第二材料板的厚度之和为18毫米至25毫米。5.根据权利要求1所述的晶硅切割方法,其特征在于:所述辅材板还包括第三材料板,所述第三材料板层叠设在所述第二材料板远离所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员:王朝成何家冰刘亮
申请(专利权)人:晶科能源股份有限公司
类型:发明
国别省市:

网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1