用于清洁等离子体室的设备制造技术

用于清洁处理室的系统和方法包含经由环绕喷头杆部的轴环而供应预活化清洁气体至处理室中，以对处理室进行清洁。在其他实施方案中，将清洁气体供应至轴环，并且将RF功率供应至喷头或基座以在处理室中产生等离子体，从而对处理室进行清洁。在还有的其他实施例中，将惰性气体供应至轴环，将预活化清洁气体供应至喷头杆部，并且将RF功率供应至喷头或基座以在处理室中产生等离子体，以对处理室进行清洁。以对处理室进行清洁。以对处理室进行清洁。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于清洁等离子体室的设备
相关申请的交叉引用
[0001]本公开内容是于2019年3月11日申请的美国专利申请No.62/816,820的PCT国际申请。上述引用的申请通过引用合并于此。


[0002]本公开内容总体上涉及衬底处理系统，更具体而言，涉及通过经由喷头上方的辅助清扫轴环导入清洁气体而对等离子体室进行清洁。

技术介绍

[0003]这里提供的背景描述是为了总体呈现本公开的背景的目的。当前指定的专利技术人的工作在其在此
技术介绍
部分以及在提交申请时不能确定为现有技术的说明书的各方面中描述的范围内既不明确也不暗示地承认是针对本公开的现有技术。
[0004]衬底处理系统可用于执行衬底处理，例如在诸如半导体晶片的类的衬底上沉积或蚀刻膜。衬底处理系统通常包含其中设置有衬底支撑件(如基座、板等)的处理室。衬底在进行处理期间被设置于衬底支撑件上。可以在处理室中设置气体扩散装置(例如喷头)，以根据需要而输送和分配处理气体以及清扫气体。

技术实现思路

[0005]一种用于清洁处理室的系统包含喷头、轴环、气体源、等离子体产生器和控制器。所述喷头被设置在所述处理室中的基座上方。所述喷头喷头包含杆部和头部。所述杆部被连接至所述处理室的顶板，并在设置于所述基座上的衬底的处理期间接收处理气体。所述头部包含多个通孔以在所述衬底的处理期间使所述处理气体分散。所述轴环环绕所述喷头的所述杆部、限定空腔、并且包含多个槽孔，所述多个槽孔从所述空腔向外延伸以在所述衬底的处理期间使清扫气体分散。所述气体源用于供应清洁气体。所述等离子体产生器位于所述处理室的外部，以从所述气体源接收所述清洁气体并用于产生等离子体。所述控制器响应于未在所述处理室中处理所述衬底而停止分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环。所述控制器将所述等离子体供应至所述轴环并经由所述槽孔而进入所述处理室中，以清洁所述喷头周围和所述处理室中的区域。
[0006]在另一特征中，在所述清洁期间所供应的所述清洁气体与在所述衬底的处理期间所供应的所述清扫气体不同。
[0007]在另一特征中，所述清洁气体包含卤素物质。
[0008]在另一特征中，所述清洁气体包含三氟化氮(NF3)或四氟乙烯(C2F4)。
[0009]在另一特征中，所述控制器被配置成供应所述等离子体持续预定时段。
[0010]在其他特征中，在所述处理室的所述清洁之前和之后，所述控制器被配置成：停止供应所述等离子体至所述轴环；并且分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环，以对所述衬底进行处理。
[0011]在还有的其他特征中，一种用于清洁处理室的系统包含喷头、轴环、气体源、RF产生器和控制器。所述喷头被设置在所述处理室中的基座上方。所述喷头包含杆部和头部。所述杆部被连接至所述处理室的顶板，并在设置于所述基座上的衬底的处理期间接收处理气体。所述头部包含多个通孔以在所述衬底的处理期间使所述处理气体分散。所述轴环环绕所述喷头的所述杆部、限定空腔、并且包含多个槽孔，所述多个槽孔从所述空腔向外延伸以在所述衬底的处理期间使清扫气体分散。所述气体源用于供应清洁气体。所述RF产生器供应RF功率。所述控制器响应于未在所述处理室中处理所述衬底而停止分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环。所述控制器将所述清洁气体供应至所述轴环并经由所述轴环的所述槽孔而进入所述处理室中。所述控制器将所述RF功率供应至所述喷头以在所述处理室中产生等离子体以清洁所述喷头周围和所述处理室中的区域。
[0012]在另一特征中，在所述清洁期间所供应的所述清洁气体与在所述衬底的处理期间所供应的所述清扫气体不同。
[0013]在另一特征中，所述清洁气体包含卤素物质。
[0014]在另一特征中，所述清洁气体包含三氟化氮(NF3)或四氟乙烯(C2F4)。
[0015]在另一特征中，所述控制器被配置成供应所述RF功率至所述喷头持续预定时段。
[0016]在另一特征中，所述控制器被配置成按顺序使所述处理室的所述顶板、所述处理室的侧壁以及所述基座接地。
[0017]在另一特征中，所述控制器被配置成使所述处理室的所述顶板、所述处理室的侧壁以及所述基座接地。
[0018]在其他特征中，在所述处理室的所述清洁之前和之后，所述控制器被配置成：停止供应所述清洁气体至所述轴环；并且分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环，以对所述衬底进行处理。
[0019]在还有的其他特征中，一种用于清洁处理室的系统包含喷头、轴环、气体源、等离子体产生器、RF产生器以及控制器。所述喷头被设置在所述处理室中的基座上方。所述喷头包含杆部和头部。所述杆部被连接至所述处理室的顶板，并在设置于所述基座上的衬底的处理期间接收处理气体。所述头部包含多个通孔以在所述衬底的处理期间使所述处理气体分散。所述轴环环绕所述喷头的所述杆部、限定空腔、并且包含多个槽孔，所述多个槽孔从所述空腔向外延伸以在所述衬底的处理期间使清扫气体分散。所述气体源供应清洁气体和惰性气体。所述等离子体产生器位于所述处理室的外部，以接收所述清洁气体并且产生第一等离子体。所述RF产生器供应RF功率。所述控制器响应于未在所述处理室中处理所述衬底而停止分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环。所述控制器将所述第一等离子体供应至所述喷头的所述杆部并且经由所述喷头的所述头部中的所述多个通孔而进入所述处理室中。所述控制器将所述惰性气体供应至所述轴环并经由所述轴环的所述槽孔而进入所述处理室中。所述控制器将所述RF功率供应至所述喷头以在所述处理室中产生第二等离子体以清洁所述喷头周围和所述处理室中的区域。
[0020]在另一特征中，在所述清洁期间所供应的所述清洁气体和所述惰性气体分别不同于在所述衬底的处理期间所供应的所述处理气体和所述清扫气体。
[0021]在另一特征中，所述清洁气体包含卤素物质。
[0022]在另一特征中，所述清洁气体包含三氟化氮(NF3)或四氟乙烯(C2F4)。
[0023]在另一特征中，所述惰性气体选自由氩(Ar)、分子氮(N2)和氦(He)所组成的群组。
[0024]在另一特征中，所述控制器被配置成将所述第一等离子体和所述惰性气体分别供应至所述喷头的所述杆部和所述轴环持续预定时段。
[0025]在另一特征中，所述控制器被配置成按顺序使所述处理室的所述顶板、所述处理室的侧壁以及所述基座接地。
[0026]在另一特征中，所述控制器被配置成使所述处理室的所述顶板、所述处理室的侧壁以及所述基座接地。
[0027]在其他特征中，在所述处理室的所述清洁之前和之后，所述控制器被配置成：停止将所述第一等离子体和所述惰性气体分别供应至所述喷头的所述杆部及所述轴环；并且分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环，以对所述衬底进行处理。
[0028]在还有的其他特征中，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种用于清洁处理室的系统，其包含：喷头，其被设置在所述处理室中的基座上方，其中所述喷头包含：杆部，其被连接至所述处理室的顶板，并在设置于所述基座上的衬底的处理期间接收处理气体；以及头部，其包含多个通孔以在所述衬底的处理期间使所述处理气体分散；轴环，其环绕所述喷头的所述杆部、限定空腔、并且包含多个槽孔，所述多个槽孔从所述空腔向外延伸以在所述衬底的处理期间使清扫气体分散；气体源，其用于供应清洁气体；等离子体产生器，其位于所述处理室的外部，以从所述气体源接收所述清洁气体并用于产生等离子体；以及控制器，其用于：响应于未在所述处理室中处理所述衬底而停止分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环；并且将所述等离子体供应至所述轴环并经由所述槽孔而进入所述处理室中，以清洁所述喷头周围和所述处理室中的区域。2.根据权利要求1所述的系统，其中在所述清洁期间所供应的所述清洁气体与在所述衬底的处理期间所供应的所述清扫气体不同。3.根据权利要求1所述的系统，其中所述清洁气体包含卤素物质。4.根据权利要求1所述的系统，其中所述清洁气体包含三氟化氮(NF3)或四氟乙烯(C2F4)。5.根据权利要求1所述的系统，其中所述控制器被配置成供应所述等离子体持续预定时段。6.根据权利要求1所述的系统，其中，在所述处理室的所述清洁之前和之后，所述控制器被配置成：停止供应所述等离子体至所述轴环；并且分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环，以对所述衬底进行处理。7.一种用于清洁处理室的系统，其包含：喷头，其被设置在所述处理室中的基座上方，其中所述喷头包含：杆部，其被连接至所述处理室的顶板，并在设置于所述基座上的衬底的处理期间接收处理气体；以及头部，其包含多个通孔以在所述衬底的处理期间使所述处理气体分散；轴环，其环绕所述喷头的所述杆部、限定空腔、并且包含多个槽孔，所述多个槽孔从所述空腔向外延伸以在所述衬底的处理期间使清扫气体分散；气体源，其用于供应清洁气体；RF产生器，其用于供应RF功率；以及控制器，其用于：响应于未在所述处理室中处理所述衬底而停止分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环；并且
将所述清洁气体供应至所述轴环并经由所述轴环的所述槽孔而进入所述处理室中，以及将所述RF功率供应至所述喷头以在所述处理室中产生等离子体以清洁所述喷头周围和所述处理室中的区域。8.根据权利要求7所述的系统，其中在所述清洁期间所供应的所述清洁气体与在所述衬底的处理期间所供应的所述清扫气体不同。9.根据权利要求7所述的系统，其中所述清洁气体包含卤素物质。10.根据权利要求7所述的系统，其中所述清洁气体包含三氟化氮(NF3)或四氟乙烯(C2F4)。11.根据权利要求7所述的系统，其中所述控制器被配置成供应所述RF功率至所述喷头持续预定时段。12.根据权利要求7所述的系统，其中所述控制器被配置成按顺序使所述处理室的所述顶板、所述处理室的侧壁以及所述基座接地。13.根据权利要求7所述的系统，其中所述控制器被配置成使所述处理室的所述顶板、所述处理室的侧壁以及所述基座接地。14.根据权利要求7所述的系统，其中，在所述处理室的所述清洁之前和之后，所述控制器被配置成：停止供应所述清洁气体至所述轴环；并且分别供应所述处理气体和所述清扫气体至所述喷头的所述杆部和所述轴环，以对所述衬底进行处理。15.一种用于清洁处理室的系统，其包含：喷头，其被设置在所述处理室中的基座上方，其中所述喷头包含：杆部，其被连接至所述处理室的顶板，并在设置于所述基...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿德里安，
申请(专利权)人：朗姆研究公司，
类型：发明
国别省市：