磁光记录介质及其制造方法技术

一磁光盘（１）顺包括有在主表面上存在有凸面和凹槽的一盘基（２）；第一介电层（３）；包含有在室温下具有垂直磁各向异性的第一磁层（４）、在室温下具有共面磁各向异性的第二磁层（５）、以及在室温下具有垂直磁各向异性的第三磁层（６）的一多层磁膜（１０）；第二介电层７；反射层８和保护层９，其中该层和膜是顺序层积在盘基（２）上所形成的。第二磁层（５）的磁饱和被设置为从８．８０×１０↑［－２］至１．７６×１０↑［－１］Ｗｂ／ｍ↑［２］。在此之下的第二磁层（５）的气压被设置为从０．６至３．０Ｐａ。第三磁层（６）包含１５ａｔｏｍ％至１７ａｔｏｍ％的Ｃｏ。（*该技术在2022年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁光记录介质及制造制造方法，尤其涉及适用于其中能够执行磁感应超清晰度再现的磁光盘、磁光带以及磁光卡的一种磁光记录介质及制造制造方法。
技术介绍
迄今，与实现磁光盘中的高密度记录标记相关，进一步增加了磁光盘的记录容量。为了如上所述地增加记录容量，使用的一种实现高密度记录的方法是降低记录标记的长度、缩窄轨迹间距和微型化记录凹坑。作为有效地实现这种高密度的手段，已经建议了一种能够再现小于激光束光点直径的记录标记的磁感应超级清晰度技术(MSR)(例如日本专利JP-A-2000-200448)。按照该MSR技术，在主磁层积薄膜包括第一磁层、第二磁层和第三磁层的情况中，通过使得该第二磁层具有在室温下的该激光束点的共面磁化，使在低温度部分中的这种磁化指向初始磁场方向，从而切断记录在第三磁层中的信息信号的转移。在中温部分中，由于执行垂直磁化，该信号转移得到该磁层的切换连接力的帮助。而且，在高温部分中，通过在居里温度Tc消除该磁化而切断到该第一磁层的转移，从而使小于该激光束光点直径的信号能够被再现。具体地说，在如图1所示的磁光盘100中，假设第一磁层是再现层101、第二磁层是中间层102而第三磁层是记录层103，当磁光盘100被转动并且用于再现的激光束照射在该磁层积薄膜之上时，将在该磁光盘100中引起温度分布。图1中的箭头表示当再现时该磁光盘的磁化状态。在已经引起温度分布状态的低温区中，当再现磁场大于作用于中间层102和记录层103之间的一部分上的切换连接力时，该中间层102的磁化方向将被对准到与再现磁场相同的方向。已经切换连接到中间层102的该再现层101的磁化方向被对准到与该再现磁场的相反的方向而与该记录标记无关。因此形成一前掩膜。在一高温区中，作用于在再现层101和中间层102之间部分上的切换连接力被切断，并且该再现层101的磁化方向对准到与该再现磁场相同的方向，使得形成一后掩膜。在中温区中，该切换连接力大于作用于在每一再现层101、中间层102和记录层103之间的再现磁场，使得该记录层103的磁化方向被转移到该再现层101。如上所述，当检测该磁光盘100的一磁光输出时，在该激光束点中的低温度区和高温区中形成掩膜。因此，只能从中温区再现磁光信号而不能再现已经形成掩膜的区域的磁信号。但是，为了实现如上所述的记录标记的微型化，读出信号中的幅度的突然降低将成为一个问题。因此，为了实现未来更高的密度，在该磁光盘中需要提高信号检测中的磁清晰度。在来自光拾取器照射的激光束的强度中存在一种变化。而且，由于磁感应超清晰度操作(MSR操作)对激光束的光强非常敏感，所以不仅需要改善磁清晰度，而且需要抑制抵消记录功率边缘的缩窄。因此，特别需要开发一种磁光记录介质的技术，使得即使在记录标记被微型化和轨迹间距缩窄的情况下，抵消该记录功率的边缘也不被缩窄，而且改进该磁清晰度以及满足再现所需求的光学特征。因此本专利技术的一个目的是提供一种具有高可靠性的，能够在执行记录和/或再现中保证大范围的激光束的功率裕量，使得记录在其上记录标记长度被微型化并且轨迹间距被缩窄的该磁光记录介质上的信息信号被再现的同时保持良好的信号特性，能够实现高记录密度，并且实现大容量的记录。
技术实现思路
为了实现上述目标，根据本专利技术的第一专利技术提供一种磁光记录介质，其中在一基片上提供顺序层积的在室温下具有垂直磁各向异性的第一磁层、在室温下具有共面磁各向异性的第二磁层以及在室温下具有垂直磁各向异性的第三磁层的一多层磁膜，并且能够通过将一激光束照射在该多层磁膜上而记录和/或再现一信息信号，其中该第二磁层的磁饱和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。在该第一专利技术中，该第二磁层的膜厚度通常等于或大于25nm并且等于或小于60nm，最好是等于或大于28nm并且等于或小于35nm。在该第一专利技术中，该第一磁层的磁饱和通常等于或小于8.80×10-2Wb/m2，并且最好等于或大于1.00×10-2Wb/m2。在该第一专利技术中，通常该多层的磁膜提供在该基片上的一主平面上，其上形成有凹和凸槽纹轨迹，并且该基片具有一平面环形状。在本专利技术的第二专利技术中提供一种磁光记录介质的制造方法，其中在一基片的主平面上提供顺序层积的在室温下具有垂直磁各向异性的第一磁层、在室温下具有共面磁各向异性的第二磁层以及在室温下具有垂直磁各向异性的第三磁层的一多层磁膜，并且能够通过将一激光束照射在该多层磁膜上而记录和/或再现一信息信号，其中在形成该第二磁层时的气压大于0.6Pa并且等于或小于3.0Pa。在该第二专利技术中，通常该第一磁层被形成使得该第一磁层的磁饱和等于或小于8.80×10-2Wb/m2，并且最好是等于或大于1.00×10-2Wb/m2。在该第二专利技术中，通常该第二磁层被形成作为一薄膜，使得该第二磁层的磁饱和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。在本专利技术中，通常在第三磁层中的Co的含量比等于或大于15atom％并且等于或小于17atom％。在本专利技术中，通常该多层的磁膜提供在该基片上的一主平面上，其上形成有凹和凸槽纹轨迹，并且该基片具有一平面环形状。而且，在该基片的一主平面上的槽纹轨迹的轨迹间距等于或大于0.47·λ/NAμm并且等于或小于0.83·λ/NAμm。在本专利技术中，通常该第二磁层中的居里温度小于该第一和第三磁层的居里温度的较小的一个。在本专利技术中，通常该第二磁层的形成使得膜厚度等于或大于30nm并且等于或小于60nm。通常，使用所谓的一种凸凹槽记录系统将本专利技术应用到一磁光记录介质，其中将信息信号记录在其上形成有凹和凸槽纹轨迹的一主平面上的凸面和凹槽上。但是，本专利技术也可以使用所谓的一种凸面记录系统应用到一种磁光记录介质，其中将信息信号记录在该凸面部分，或使用所谓的一种凹槽记录系统，将信息信号记录在凹槽上。通常，本专利技术被用于称为RAD(后孔检测Rear Aperture Detection)的再现方法，其中在该再现光点中的后部高温部分中检测信号。具体地说，使用一种双掩膜型RAD系统将本专利技术应用到一种磁光记录介质，其中在称为D-RAD的光点的前进方向中的正向和反向部分形成掩膜。根据该RAD系统，与其中光点的低温区C用作检测区的FAD系统相比较，由于具有的宽度小于该光点中的光点的宽度的一高温区成为该记录标记的检测区，所以在该检测区的轨迹方向中的宽度被缩窄，来自相邻轨迹的串扰较小，并且本专利技术对于实现高记录密度的贡献比例较大。根据如上所述构成的本专利技术，在提供有在室温下具有共面磁各向异性的第二磁层的该多层磁膜的该磁光记录介质中，当薄膜创建时该第二磁层的压力高于0.6Pa并且等于或低于3.0Pa，并且在室温下该第二磁层的磁饱和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。因此，能够在保证在一个足够大的范围中的该激光束记录功率裕量和再现功率裕量的同时改进抖动特性。附图说明图1是说明根据现有技术的磁感应超清晰度操作的示意图。图2是表示根据本专利技术一个实施例的磁光盘的截面示意图。图3是表示在根据本专利技术实施例的磁光盘的外缘部分的一凸面中的抖动相关记录功率裕量的曲线图。图4是表示在根据本专利技术实施例的磁光盘的外缘部分的一凹槽中的抖动本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁光记录介质，其中在一基片上提供顺序层积：在室温下具有垂直磁各向异性的第一磁层，在室温下具有共面磁各向异性的第二磁层，以及在室温下具有垂直磁各向异性的第三磁层的一多层磁膜，并且能够通过将一激光束照射在所述 的多层磁膜上而记录和／或再现一信息信号，其中所述的第二磁层的磁饱和大于８．８０×１０↑［－２］Ｗｂ／ｍ↑［２］并且小于１．７６×１０↑［－１］Ｗｂ／ｍ↑［２］。

【技术特征摘要】
JP 2001-6-29 199741/20011.一种磁光记录介质，其中在一基片上提供顺序层积在室温下具有垂直磁各向异性的第一磁层，在室温下具有共面磁各向异性的第二磁层，以及在室温下具有垂直磁各向异性的第三磁层的一多层磁膜，并且能够通过将一激光束照射在所述的多层磁膜上而记录和/或再现一信息信号，其中所述的第二磁层的磁饱和大于8.80×10-2Wb/m2并且小于1.76×10-1Wb/m2。2.根据权利要求1的磁光记录介质，其中在所述的第二磁层中的居里温度低于所述的第一磁层的居里温度和所述的第三磁层的居里温度。3.根据权利要求1的磁光记录介质，其中所述的第二磁层的膜厚度等于或大于25nm并且等于或小于60nm。4.根据权利要求1的磁光记录介质，其中所述的第一磁层的磁饱和等于或小于8.80×10-2Wb/m2。5.根据权利要求4的磁光记录介质，其中所述的第一磁层的磁饱和等于或大于1.00×10-2Wb/m2。6.根据权利要求1的磁光记录介质，其中在所述的第三磁层中的Co的含量比等于或大于15atom％并且等于或小于17atom％。7.根据权利要求1的磁光记录介质，其中所说多层磁膜提供在以所述的基片的凹凸槽纹轨迹形成的一主平面上。8.根据权利要求7的磁光记录介质，其中所说基片具有一平面环形。9.根据权利要求7的磁光记录介质，其中当假设把所述的信息信号记录到所述的磁光记录介质以及从所说磁光记录介质再现所述的信息信号的一种光学系统的数值孔径被设置为NA并且所述的激光束的波长被设置为λ时，在所述的基片的一主平面上的槽纹轨迹的轨迹间距等于或大于0.47·λ/NAμm并且等于或小于0.83·λ/NAμm。10.根据权利要求1的磁光记录介质，其中根据一种凸面/凹槽记录系统记录所说信息信号。11.一种磁光记录介质的制造方法，其中在一基片的主平面上提供顺序层积在室温下具有垂直磁各向异性的第一磁层，在室温下具有共面磁各向异性的第二...

【专利技术属性】
技术研发人员：和田丰，中山比吕史，
申请(专利权)人：索尼株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]