光学读取头取样介面系统技术方案

一种光学读取头取样介面系统，包含光学读取头、Ｐ型金氧半导体（ＰＭＯＳ）、提升电压电路以及取样保持电路。光学读取头输出一读片电压与一烧录电压之一。ＰＭＯＳ以栅极接收栅极电压，使ＰＭＯＳ为导通状态，将读片电压传送到取样保持电路，另内部基底部分接收控制电压。提升电压电路用以提高该栅极电压到大于该控制电压，使ＰＭＯＳ由导通状态切换到隔离状态，以阻隔该烧录电压。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种介面电路系统，特别是指一种取样介面电路，在不同工作电压的芯片或电路之间，提供一个信号取样与保持的功能，并可在高压操作时，保护较低工作电压的芯片或电路。
技术介绍
当一信号经由一较高工作电压电路传送至一较低工作电压电路，在此二电路之间，必须有一介面电路，将此信号衰减至该较低工作电压电路所能容忍的范围。例如，一般光学读取头工作电压为5伏特，光驱控制芯片工作电压为3.3伏特。若将光学读取头输出的烧录电压(3.3伏特～5伏特)直接输入光驱控制芯片，则此光驱控制芯片在长时间工作后，其输入端3.3伏特制程的氧化层将会崩溃，造成芯片的永久毁损。已知技术如图1所示，光学读取头90有一电压输入101，其可为烧录电压及读片电压(1.4至2.8伏特)。利用第一分压电阻102及第二分压电阻103所组成的分压电路，将烧录电压衰减至3伏特以内以使光驱控制芯片100在可接受范围内，由于烧录电压经分压电路被控制在3伏特以下，所以可避免光驱控制芯片100输入端的氧化层发生崩溃。至于电压输入101产生的读片电压则透过光驱控制芯片输入端，如交换式运算放大器104，进行信号取样与保持作用，产生一电压本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种光学读取头取样介面系统，其特征在于，包含：一光学读取头，输出一读片电压与一烧录电压之一；一Ｐ型金氧半导体ＰＭＯＳ，具有一第一源／漏极接收该读片电压与该烧录电压之一，一栅极接收一栅极电压，用以使该ＰＭＯＳ的一第二源／漏极与 该第一源／漏极为导通状态，一内部基底部分接收一控制电压；一提升电压电路，连接至该ＰＭＯＳ的栅极，用以提高该栅极电压到大于该控制电压，使该第一源／漏极与该第二源／漏极由导通状态切换到隔离状态，以阻隔该烧录电压；以及一取样保持电 路，连接至该第二源／漏极，对该读片电压进行取样保持。

【技术特征摘要】
1.一种光学读取头取样介面系统，其特征在于，包含一光学读取头，输出一读片电压与一烧录电压之一；一P型金氧半导体PMOS，具有一第一源/漏极接收该读片电压与该烧录电压之一，一栅极接收一栅极电压，用以使该PMOS的一第二源/漏极与该第一源/漏极为导通状态，一内部基底部分接收一控制电压；一提升电压电路，连接至该PMOS的栅极，用以提高该栅极电压到大于该控制电压，使该第一源/漏极与该第二源/漏极由导通状态切换到隔离状态，以阻隔该烧录电压；以及一取样保持电路，连接至该第二源/漏极，对该读片电压进行取样保持。2.如权利要求1所述的光学读取头取样介面系统，其中该该烧录电压大于该读片电压。3.如权利要求1所述的光学读取头取样介面系统，其中该烧录电压为3.3至5伏特，该读片电压为1.4至2.8伏特。4.如权利要求1所述的光学读取头取样介面系统，更包括一电阻一端连接于该内部基底部分，该电阻的另一端接收一工作电压。5.如权利要求4所述的光学读取头取样介面系统，其中该工作电压为3.3伏特。6.如权利要求1所述的光学读取头取样介面系统，更包括一取样电路，根据该读片电压与该烧录电压，产生一取样信号，用以控制该取样保持电路进行取样与提升电压电路阻隔该烧录电压。7.如权利要求6所述的光学读取头取样介面系统，其中该提升电压电路经由该取样信号控制一电容，以提高该P型金氧半导体的栅极电压到大于该控制电压。8.如权利要求7所述的光学读取头取样介面系统，其中该提升电压电路更包括一反向信号产生器，接收该取样信号，并产生一反向取样信号到该电容之一端，以及一逻辑传输电路，连接该电容的另一端与该PMOS的栅极，并接收一基准电压与该反向取样信号。9.如权利要求7所述的光学读取头取样介面系统，其中该逻辑传输电路包括一第一NMOS与一第二NMOS串联于该PMOS的栅极与一低电压之间，一第一PMOS连接于该PMOS的栅极与该电容的另一端之间，一第三NMOS连接于该电容的另一端与该基准电压之间，该第三NMOS栅极与第一PMOS栅极相连，一第二PMOS连接于该第一NMOS栅极与第一PMOS栅极之间，一第四NMOS连接于该第一PMOS栅极与该基准电压之间，该第二PMOS与第四NMOS的栅极接收该反向取样信号以及一反向器，输入端接收该反向取样信号，输出端连接到该第二NMOS的栅极。10.如权利要求1所述的光学读取头取样介面系统，其中该取样保持电路，为一交换式运算放大器SOP。11.一种光学读取头取样介面系统，其特征在于，包含一光学读取头，输出一读片电压与一烧录电压之一；一P型金氧半导体PMOS，具有一第一源/漏极接收该读片电压与该烧录电压之一，一栅极接收一栅极电压，用以控制该PMOS的一第二源/漏极与该第一源/漏极为导通状态，一内部基底部分连接到该第一源/漏极；一电压调整电路，连接至该PMOS的栅极，并接收一取样信...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘智民，
申请(专利权)人：威盛电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]