光记录方法和光记录介质技术

一种光学信息记录介质，含有比Ｓｂ↓［７０］Ｔｅ↓［３０］共晶点近旁过量的Ｓｂ，具有通过光束的照射而在光学性质互不相同的晶态和非晶态之间可逆地作相变的记录层而构成，其特征在于，该晶态是由基本上为六角形结晶单相组成的多晶体。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种光记录方法和一种光记录介质。
技术介绍
近年来，随着信息量的增加，对能够高速度高密度写入和检索大量数据的记录介质的需求也在不断增加。现在越来越期望光盘能满足这种要求。光盘分两类只允许用户记录数据一次的一次写入式光盘，以及允许用户根据其需要多次记录和擦除数据的可重写光盘。可重写光盘的例子包括利用磁光效应的磁光盘以及利用使可逆晶体状态改变来改变反射率的相变类记录介质。录写光盘的原理就是把记录功率(recording power)加到记录层上以把该记录层的温度提高到或高于一个预定临界温度，从而引起物理或化学变化来进行数据记录。该原理适用于以下的所有介质利用形成凹坑或变形的一次写入式介质、利用在居里点附近磁反转的磁光介质、以及利用记录层的非晶态与晶体状态间的相变的相变介质。另外，利用相变记录介质的一束光重写(1-beam overwrite)能力(擦除与写入同时进行)已经开发了与CD和DVD(可重写CD和CD-RW)及可重写DVD兼容的可重写紧致盘。近年来的所有这些光记录介质几乎都采用了一种标记(mark)长度记录法，该方法适合于提高记录密度。标记长度记录是一种既改变标记长度又改变空白(space)长度来记录数据的方法。与仅仅改变空白长度的标记位置记录法相比，该方法更适于提高记录密度，可把记录密度提高1.5倍。但是，为了准确检索数据则需要严格检测标记的时间长度，因而需要准确控制标记边缘的形状。另一个困难就是需要形成从长标记到短标记的多种不同长度的标记。在下面的描述中，标记的空间长度被称为标记长度，标记的时间长度被称为标记时间长度。在参考时钟周期确定以后，标记长度与标记时间长度一一对应。在标记长度记录中，当写入一个nT标记(标记时间长度为nT的一个标记，其中T是数据的参考时钟周期，n是一个自然数)时，仅仅照射时间长度为nT或长度被精确调节的方波的记录功率将会在每个标记的前后端产生不同的温度分布，进而特别使后端部分积热而加宽，从而形成几何形状不对称的标记。这会增加准确控制标记长度并消除标记边缘差异的难度。为了使从短标记到长标记的标记形状一致，已经采取了各种措施，如分割记录脉冲以及使用空闲(off)脉冲。例如，在相变介质中采用以下的技术。也就是分割记录脉冲来调节非晶态标记的几何形状(JP-A 62-259229，JP-A63-266632)。这种方法还被用在不重写的一次写入式介质中。另外，空闲脉冲作为一种标记形状补偿措施也被广泛地采用(JP-A 63-22439等)。其它被推荐使用的方法包括仔细地使记录脉冲的后沿减弱以便调节标记长度和标记时间长度的方法(JP-A 7-37252)；变换记录脉冲照射时间的方法(JP-A 8-287465)；在多脉冲记录方法中区分在标记写操作期间与在空白写操作期间的偏置功率值的方法(JP-A 7-37251)；以及根据线速度控制冷却时间的方法(JP-A 97176)。基于上述脉冲分割法的记录方法也被用在磁光记录介质和一次写入式光记录介质中。在磁光及一次写入式介质中，这种方法的目的就是防止局部加热。在相变介质中，这种方法还具有防止再结晶的作用。标记长度调制记录的常见例子包括使用EFM(8-14调制)的CD兼容介质、使用作为8-16调制变型的EFM+调制的DVD兼容介质、以及使用(1，7)-RLL-NRZI(行程长度受限不归零码反转)调制的磁光记录介质。EFM调制提供3T-11T的标记；EFM+调制提供3T-14T的标记；而(1，7)-RLL-NRZI调制提供2T-8T的标记。当然，EFM+调制和(1，7)-RLL-NRZI调制被认为是用于高密度标记长度调制记录的调制方法。作为用于诸如CD这样的标记长度调制记录介质的记录脉冲分割方案，以下的方法被广泛使用。即，当一个将被记录的标记具有时间长度nT时(T是参考时钟周期，n是一个大于等于2的自然数)，时间(n-η)T被分成α1T，β1T，α2T，β2T，…，αmT，βmT (其中∑αi+∑βi＝n-η；η是一个从0至2的实数；m是一个满足m＝m-k的数；而k为1或2)。在作为记录脉冲部分的时间周期αiT(1≤i≤m)，照射的是记录功率为Pw的记录光。在作为空闲脉冲部分的时间周期βiT(1≤i≤m)，照射的是具有小于Pw的偏置功率Pb的记录光。图2是表示在这种记录方法中使用的记录光的功率模式的示意图。为了形成图2(a)所示长度的标记，使用图2(b)所示的模式。为了使进行标记长度调制的标记形成nT的长度(T是参考时钟周期；n是一个标记长度，它是一个可在标记长度调制记录中使用的整数)，(n-η)T被分成m＝n-k(k是1或2)个记录脉冲(在图2(b)的情况下，k＝1和η＝0.5)，而且各个记录脉冲宽度被设置为αiT(1≤i≤m)，它们每个之后都有空闲脉冲部分βiT(1≤i≤m)。在记录期间的αiT(1≤i≤m)部分，照射记录功率为Pw的记录光，而在βiT(1≤i≤m)部分，照射偏置功率Pb(Pb＜Pw)。此时，为了确保在标记长度检测期间获得精确的nT标记，∑αi+∑βi可设置为略微小于n，并进行以下的设置∑αi+∑βi＝n-η(η是一个实数，0.0≤η≤2.0)。也就是说，在传统技术中，当照射用来形成nT标记的记录光被分割时，记录脉冲被分成m段(m＝n-k，其中k为1或2)，m通过n均匀地减去k来获得(如JP-A 9-282661所述)，随后，从记录脉冲的分割数m中减去一个预定的数以便精确控制标记时间长度(以下把这种脉冲分割方案称作“n-k分割”方案)。通常，参考时钟周期T随着密度或速度的增加而减小。例如，T在以下的情况下减小。(1)当为了增加记录容量而提高记录密度时随着标记长度和标记时间长度的减小，密度随之增加。在这种情况下需要增加时钟频率来减小参考时钟周期T。(2)当为了增加数据传送速率而提高记录线速度时在可记录CD和DVD的高速记录时，通过增加时钟频率来减小参考时钟周期T。例如，在诸如可重写致密盘这样的基于CD的介质中，在1倍速操作期间(线速度是1.2-1.4m/s)的参考时钟周期T是231纳秒；但在10倍速操作期间，参考时钟周期T变得非常短，为23.1纳秒。在基于DVD的介质中，在1倍速操作期间(3.5m/s)的参考时钟周期T是38.2纳秒，而在2倍速操作期间则为19.1ns。从(1)和(2)可以看出，在高数据传送速率的大容量光盘和CD及DVD中，参考时钟周期T非常短。因此，记录脉冲部分αiT和空闲脉冲部分βiT也会变得非常短。在这种环境下会出现以下的问题。(问题a)记录脉冲部分αiT相对于照射光尤其是激光的前/后沿速度来说太短以至于不能跟得上。上升时间指的是诸如激光这样的照射光的投射功率达到一个设定值所用的时间，下降时间指的是诸如激光这样的照射光的投射功率从该设定值下降到完全空闲电平所用的时间。目前，上升和下降时间分别需要至少2-3纳秒。因此，当脉冲宽度小于15ns时，光实际投射达到需要的功率所用的时间是几纳秒。另外，当脉冲宽度小于五纳秒时，投射的功率在达到设定值之前下降，这样，记录层的温度不会充分升高，从而不能产生预定的标记尺寸。根据把光照射到衬底/薄膜表面的方法，或者根据其它记录方法，通过提高光源的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种包括一个记录层的光数据记录层，记录层中包含在Ｓｂ↓［７０］Ｔｅ↓［３０］的低共熔点的过量Ｓｂ，Ｓｂ↓［７０］Ｔｅ↓［３０］经历在光学性能互不相同的晶态和非晶态之间的可逆相变，其中的晶态是一个基本上由单相组成的六角形多晶体。

【技术特征摘要】
JP 1999-5-19 138067/99;JP 2000-3-17 76514/001.一种包括一个记录层的光数据记录层，记录层中包含在Sb70Te30的低共熔点的过量Sb，Sb70Te30经历在光学性能互不相同的晶态和非晶态之间的可逆相变，其中的晶态是一个基本上由单相组成的六角形多晶体。2.根据权利要求1的光学数据记录介质，其中记录介质具有一个由MzGey(SbxTe1-x)1-y-z合金制成的记录层，其中Z是不小于0但不大于0.3；X不小于0.8；而M是至少下列元素之一In，Ga，Si，Sn，Pb，Pd，Pt，Zn，Au，Ag，...

【专利技术属性】
技术研发人员：信国奈津子，堀江通和，
申请(专利权)人：三菱化学媒体株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]