【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于用光学或电学方式记录、消除、改写、再生信息的信息记录介质及其制造方法和其记录再生方法。
技术介绍
采用激光束记录、消除、改写、再生信息的信息记录介质,有相变形信息记录介质,利用其记录层在晶相和非晶相之间发生可逆性相变的现象,向相变形信息记录介质上述录、消除、改写、再生信息。一般情况下,在记录信息时,由于激光束照射,记录层熔融后,急剧冷却,使被照射部分,变成了非晶相,从而记录了信息。消除信息时,照射使用比记录时功率低的激光束,使记录层升温后,缓慢冷却,被照射部分,变成了晶相,从而消除了以前的信息。因此,用相变形信息记录介质,通过调制照射在记录层上的激光束的功率的高低,可以一边消除被记录的信息,一边记录新的信息,或者改写信息(例如,参照角田义人等,[光盘存储的基础和应用],电子信息通信学会编,1995年,第2章)。近几年以来,已经研制出各种各样的实现信息记录介质大容量化的技术。例如,由于采用短波长的青紫光激光,使激光束入射侧的衬底厚度变薄,又由于使用孔径数NA大的透镜,使激光束的光点的直径更小,从而实现高密度记录。这样的技术已经被探讨;另外,使用 ...
【技术保护点】
一种具有第1信息层和第2信息层的信息记录介质,其特征在于: 所述第1信息层,包括因激光照射而导致的晶相和非晶相之间发生可逆性相变的第1记录层, 所述第2信息层,包括因所述激光照射而导致的晶相和非晶相之间发生可逆性相变的第2记录层, 所述第1记录层由第1材料形成, 所述第2记录层由第2材料形成, 所述第1材料和所述第2材料不同, 所述第1信息层比所述第2信息层被配置在所述激光束的入射侧, 所述第2材料的熔点比所述第1材料的熔点低, 还具有在所述第1信息层和第2信息层之间配置的光学分离层, 所述第1信息层,还包括第1衬底、第 ...
【技术特征摘要】
JP 2000-8-31 263414/001.一种具有第1信息层和第2信息层的信息记录介质,其特征在于所述第1信息层,包括因激光照射而导致的晶相和非晶相之间发生可逆性相变的第1记录层,所述第2信息层,包括因所述激光照射而导致的晶相和非晶相之间发生可逆性相变的第2记录层,所述第1记录层由第1材料形成,所述第2记录层由第2材料形成,所述第1材料和所述第2材料不同,所述第1信息层比所述第2信息层被配置在所述激光束的入射侧,所述第2材料的熔点比所述第1材料的熔点低,还具有在所述第1信息层和第2信息层之间配置的光学分离层,所述第1信息层,还包括第1衬底、第1下侧保护层、第1上侧保护层和第1反射层,所述第2信息层,还包括第2下侧保护层、第2上侧保护层、第2反射层和第2衬底,所述第1衬底、所述第1下侧保护层、所述第1记录层、所述第1上侧保护层、所述第1反射层、所述光学分离层、所述第2下侧保护层、所述第2记录层、所述第2上侧保护层、所述第2反射层及所述第2衬底,按此顺序从激光束入射侧开始配置,还包括在所述第1反射层和所述光学...
【专利技术属性】
技术研发人员:西原孝史,儿岛理惠,山田升,
申请(专利权)人:松下电器产业株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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