磁记录介质和磁记录方法技术

本发明专利技术提供一种磁记录介质、磁记录设备和磁记录方法。该磁记录介质包括：衬层１２，该衬层包含第一磁性层１２ａ和形成在第一磁性层１２ａ之上的第二磁性层１２ｃ，该第二磁性层１２ｃ是铁磁性的并且在与第一磁性层１２ａ相反的方向上被磁化，和第三磁性层１２ｅ，形成在第二磁性层１２ｃ之上并且在与第二磁性层１２ｃ相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层１６，形成在衬层１２之上，用于记录磁信息。在第一磁性层１２ａ和第二磁性层１２ｃ之间以及在第二磁性层１２ｃ和第三磁性层１２ｅ之间各形成反铁磁性的交换互联通路。利用本发明专利技术，在记录信息时使用低的磁化强度也不会失败，并且能产生高的信号输出，而且能抑制介质噪声。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种磁记录介质和用于在该磁记录介质中记录的磁记录方法，尤其涉及一种在垂直磁记录中使用的磁记录介质和用于在该磁记录介质中记录的磁记录方法。
技术介绍
属于磁记录设备的硬盘设备已广泛用于计算机和外部存储媒体中，例如各种各样的便携式信息终端，举例来说，移动个人计算机，游戏机，数码相机，汽车导航系统等。近来，可被制为比传统的纵向记录介质两倍或更多的矫顽力的垂直磁记录介质引人注目。该垂直磁记录是一种磁场记录模式，其中，磁畴(magneticdomain)形成为垂直于记录介质的表面，且相邻的记录位彼此反向平行。在该垂直磁记录中，记录是由单极磁头结构的磁头产生的强记录磁场执行。鉴于此，在作为磁性记录层的垂直磁化膜下面，形成作为单极磁头产生的磁场的出口的衬层(backing layer)。因此，从记录头产生的记录磁场通过该衬层循环，从而形成该磁通量的闭合磁路。该衬层的使用使得利用更强的磁头磁场进行记录变得可能，并且与没有衬层及使用纵向记录介质的垂直记录介质相比，具有两倍或更多的矫顽力。使用了衬层的垂直磁记录介质公布于例如参考文件1(日本出版的未审专利申请No.2002-298326)、参考文件2(日本出版的未审专利申请No.2003-346315)以及参考文件3(日本出版的未审专利申请No.2004-127403)中，其他相关联的技术公布在参考文件4(日本出版的未审专利申请No.2001-084658)中。记录层是由垂直磁化膜组成，而衬层是由纵向磁化膜组成。衬层要比记录层厚一点。因此，由于在记录层这一垂直磁化膜和衬层这一纵向磁化膜之间存在磁交互作用等，在衬层中往往产生垂直磁分量。当在衬层产生垂直磁分量时，即使在读取中检测到这些成分，也会引起介质噪声。为了阻隔记录层和衬层之间的交互作用，在他们之间置入一层称为中间层的非磁性层。然而，当中间层太厚时，来自磁头的磁通量不能到达衬层，从而使得记录变得困难。另一方面，当中间层太薄时，不能充分地阻隔记录层和衬层之间的磁交互作用，作为结果产生的波动会引起介质噪声。当衬层具有反向磁化区域(magnetized domain)时，形成180度的磁畴墙，使流经此处的漏通量变成了敏锐噪声并复合到读取信号中，而这往往会增加介质噪声。一种允许高记录密度并减少介质噪声的方法为热辅助记录。该热辅助记录利用记录层的磁特性随温度变化的性质。发出激光束，以加热记录层的记录区域，由此降低该记录区域的矫顽力(Hc)。然而，结果是，记录的磁畴变宽，而限制了线性密度和轨迹密度，因为记录区域和记录的磁场的分布(锐度)依赖于激光束的光强分布(＝热分布)，而且还成为介质噪声的又一因素。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种磁记录介质，该介质在记录信息时使用低的磁化强度也不会失败，并且能产生高的信号输出，而且能抑制介质噪声，本专利技术还提供一种用于在该介质中记录的磁记录方法。根据本专利技术的一个方案，提供一种磁记录介质，包括衬层，包含第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，第二磁性层是铁磁性的并且在与第一磁性层相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层，形成在衬层之上，用于记录磁信息；在第一磁性层和第二磁性层之间形成的反铁磁性的交换互联通路(exchange interconnection)。根据本专利技术的另一方案，提供一种磁记录设备，包含磁记录介质，包含衬层，该衬层包含第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层是铁磁性的并且在与第一磁性层相反的方向上被磁化；和垂直磁性记录层，用于记录形成在衬层之上的磁信息；在第一磁性层和第二磁性层之间形成的反铁磁性的交换互联通路。磁头，置于磁记录介质的垂直磁性记录层侧，用于在磁记录介质的规定记录区域内记录磁信息，以及从磁记录介质的规定记录区域中读取磁信息；和光源，用于在磁信息被写入磁记录介质中时，照射光到该磁记录介质中的记录区域，以控制该区域的温度。根据本专利技术的另一方案，提供一种磁记录方法，用于在磁记录介质中记录，该磁记录介质包括衬层，该衬层包含第一磁性层和形成在第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层在第一温度变成在与第一磁性层相反的方向被磁化的纵向磁化膜，并在高于第一温度的第二温度变成垂直磁化膜；以及垂直磁性记录层，形成于衬层之上，用于记录磁信息，该方法包括将记录区域的温度提升到第二温度，以将该记录区域的第二磁性层从纵向磁化膜改变到垂直磁化膜，并将记录磁场施加到该记录区域，以将对应于该记录磁场的规定的磁信息记录在该记录区域的垂直磁性记录层中。根据本专利技术，衬层由第一磁性层和在与第一磁性层相反的方向上被磁化的铁磁性材料的第二磁性层组成，因此在第一磁性层和第二磁性层之间形成了反铁磁性的交换互联通路，由此在衬层中组成闭合磁路。这样，可减少在读取时来自衬层的漏磁场，同时抑制条形磁畴的产生，并且降低介质噪声。第二磁性层在读取温度变成纵向磁化膜，并且在记录温度变成垂直磁化膜，由此获得在读取时前面所述的反铁磁性的交换互联通路的效果，并且在记录时记录磁场能够集中在记录区域中，并且能够增加记录磁场的灵敏度。这样，记录磁场梯度可变得敏锐，由此可减少在相邻的磁畴之间的过渡噪声。第二磁性膜变成垂直磁化膜以由此起到在该记录磁场中拉(draw)作用，从而可降低记录磁化强度或者用于降低用于提高温度的激光强度，进而降低电能的消耗。在与第二磁性层相反的方向上被磁化的第三磁性层形成在第二磁性层之上，由此在第二磁性层与第三磁性层之间形成反铁磁性的交换互联通路，从而抑制漏磁场的增加，且增加衬层(第三磁性层)表面的饱和磁化强度。进而，因影像反射效应(image reflection effect)引起的输出信号增强的效果得以加强。获得了降低介质噪声的效果，增加了信噪(S/N)比。第三磁性层具有在记录温度附近的Currie温度，由此减少记录过程中来自第三磁性层的磁场，以及禁止第三磁性层影响记录磁场。附图说明图1是根据本专利技术第一实施例的磁记录介质的截面图，显示了其结构。图2是根据本专利技术第一实施例的磁性记录介质的衬层的饱和磁化强度的温度特性曲线图。图3是根据本专利技术第一实施例的磁记录介质的衬层的磁各向异性的温度特性曲线图。图4是根据本专利技术第一实施例的磁记录介质的读取原理示意图。图5是根据本专利技术第一实施例的磁记录介质的记录原理示意图。图6是根据本专利技术第一实施例的磁记录介质的记录磁场的重写特性曲线图。图7是根据本专利技术第二实施例的磁记录设备的截面图，显示了其结构。图8是根据本专利技术第二实施例的改型的磁记录设备的截面图，显示了其结构。具体实施例方式第一实施例参照图1到图6，说明根据本专利技术第一实施例的。图1是根据本实施例的磁记录介质的截面图，图中显示了其结构。图2是根据本实施例的磁记录介质的衬层的饱和磁化强度的温度特性曲线图。图3是根据本实施例的磁记录介质的衬层的磁各向异性的温度特性曲线图。图4是根据本实施例的磁记录介质读取原理示意图。图5是根据本实施例的磁记录介质的记录原理示意图。图6是根据本实施例的磁记录介质记录磁场的重写特性曲线图。首先，参照图1，说明根据本实施例的磁记录介质的结构。衬层12形成在玻璃衬底10之上。从玻璃衬底10侧开始，衬层12包含第一磁性层12a即纵向磁化膜，第二磁性层12c当在室温下时本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁记录介质，其特征在于包括：衬层，包含第一磁性层和形成在该第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层是铁磁性的并且在与该第一磁性层相反的方向上被磁化；以及垂直磁性记录层，形成在该衬层之上，用于记录磁信息，反铁磁性的 交换互联通路，形成于该第一磁性层和该第二磁性层之间。

【技术特征摘要】
JP 2004-8-27 2004-2482941.一种磁记录介质，其特征在于包括衬层，包含第一磁性层和形成在该第一磁性层之上的第二磁性层，该第二磁性层是铁磁性的并且在与该第一磁性层相反的方向上被磁化；以及垂直磁性记录层，形成在该衬层之上，用于记录磁信息，反铁磁性的交换互联通路，形成于该第一磁性层和该第二磁性层之间。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该衬层还包含第三磁性层，该第三磁性层形成在该第二磁性层之上并且在与该第二磁性层相反的方向上被磁化，反铁磁性的交换互联通路，形成于该第二磁性层和该第三磁性层之间。3.如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该衬层满足关系式t1＞t2≥t3，其中t1为该第一磁性层的膜厚度，t2为该第二磁性层的膜厚度，以及t3为该第三磁性层的膜厚度。4.如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该第二磁性层在第一温度的饱和磁化强度Ms2和该第三磁性层在第一温度的饱和磁化强度Ms3满足关系式Ms2≤Ms3，以及该第二磁性层在高于该第一温度的第二温度的饱和磁化强度Ms2和第三磁性层在该第二温度的饱和磁化强度Ms3满足关系式Ms2≥Ms2。5.如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该第三磁性层满足关系式T2≈Tc3，其中T2为该磁信息被记录在该垂直磁性记录层中的温度，Tc3为该第三磁性层的Currie温度。6.如权利要求2所述的磁记录介质，其中，该第三磁性层在第一温度和在高于该第一温度的第二温度具有纵向磁各向异性。7.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该第一磁性层在第一温度和在高于该第一温度的第二温度具有纵向磁各向异性。8.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，该第二磁性层在第一温度具有纵向磁各向异性，并且在高于该第一温度的第二温度具有垂直磁各向异性。9.如权利要求8所述的磁记录介质，其中，该第二磁性层满足关系式Tcomp≤T2≤Tc2，其中T2为该第二温度，Tcomp为第二磁性层从纵向磁化膜改变为垂直磁化膜的温度，以及Tc2为第二磁性层的Currie温度。10.如权利要求6所述的磁记录介质，其中，该第一温度是记录在该垂直磁性记录层中的该磁信息被读取时的温度，以及该第二温度是该磁信息被记录在该垂直磁性记录层中时的温度。11.如权利要求7所述的磁记录介质，其中，该第一温度是记录在该垂直磁性记录层中的该磁信息被读取时的温度，以及该第二温度是该磁信息被记录在该垂直磁性记录层中时的温度。...

【专利技术属性】
技术研发人员：杉本利夫，稻村良作，
申请(专利权)人：富士通株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]