磁头和磁记录和再现装置制造方法及图纸

一种磁头，包括：一读取头（３０），该读取头包括一读取元件（３１）和两层屏蔽（３２），读取元件（３１）被夹在这两层屏蔽（３２）之间；一书写头（４０），该书写头包括一主极（４１）、一回复轭（４２）和一励磁线圈（４３），其中，每个屏蔽（３２）和回复轭（４２）中的至少一个的底表面面积至少是顶表面面积的１．２倍。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种磁头和一种磁记录和再现装置。
技术介绍
当前在硬盘驱动器(HDD)中所用的磁头具有一读取头，该读取头包括一读取元件，例如一巨磁阻(GMR)和两层屏蔽，这两层屏蔽把读取元件夹在中间；一书写头，该书写头包括一主极、一回复轭和一励磁线圈。其它一些已知结构中，具有用于书写头的一附加的屏蔽。在这些元件中，例如，主极通常被加工成具有复杂的形状，以便提高书写效率。然而，并未专门地考虑这些屏蔽或回复轭的形状，从而，屏蔽和回复轭的被加工成矩形，这是因为矩形形状容易加工的缘故。然而，如果存在外部游离场的话，磁性薄膜例如所说的屏蔽就会象一根天线一样能收集磁通量。这些磁通量会删除记录在介质上的磁信号，这是非常不利的。尤其是，如果象垂直记录系统中那样，介质包括一柔软下层，那么，在该介质中就会形成磁通路，从而会使上述问题更加突出。为了解决这个问题，一种已知的磁头采用了这样一种结构，在这种结构中，屏蔽的一端面从主极的空气承载表面凹入，以便阻止磁通量从屏蔽流入到柔软下层(见日本专利申请KOKAI，NO.2003-45008)。然而，在具有这种结构的磁头中，屏蔽凹入量的增大，会使屏蔽效果降低，这就显著影响了对外部磁场的抵抗。这使得端部位置处的误差非常严重，从而会导致制造方面的问题。
技术实现思路
根据本专利技术一个方面的一种磁头，它包括一读取头，该读取头包括一读取元件和两层屏蔽，读取元件被夹在这两层屏蔽之间；一书写头，该书写头包括一主极、一回复轭和一励磁线圈，其中，每个屏蔽和回复轭中的至少一个其底表面面积至少是顶表面面积的1.2倍。根据本专利技术另一方面的一种磁记录和再现装置，包括上述磁头和一垂直的磁记录介质，该磁记录介质在一非磁性基底上设置有一柔软下层和一垂直的磁记录层。附图说明图1是沿着根据本专利技术一实施例的磁记录和再现装置的一轨道剖开的剖面图；图2是用于解释本专利技术原理的示意图；图3是根据本专利技术例1的一磁头中所包括的一屏蔽的立体示意图；图4是一个图表，用于表示根据本专利技术的磁头中所包括的屏蔽的(底表面宽度/顶表面宽度)比率与对外部磁场抵抗性之间的相互关系；图5是根据本专利技术例2中的磁头中所包括的屏蔽的前视图；图6是根据本专利技术例3中的磁头所包括的屏蔽的前视图；图7是根据本专利技术例4的磁头中所包括的屏蔽的前视图；图8是根据本专利技术例5的磁头中所包括的屏蔽的立体示意图；图9是沿着根据本专利技术另一实施例的磁记录和再现装置的一轨道剖开的剖面图。具体实施例方式下面将参照附图来描述本专利技术的实施例。图1是沿着根据本专利技术一实施例的磁记录和再现装置的一轨道剖开的剖面图。如图1所示，磁记录和再现装置具有一垂直的磁记录介质10和一磁头20，磁头20位于垂直的磁记录介质10的上方。垂直的磁记录介质10具有一柔软下层12和一垂直的磁记录层13，该垂直的磁记录层13被设置在一非磁性的基底11上。在非磁性层11和柔软下层12之间可以设置一附加的下层，在柔软下层12和垂直的磁记录层13之间可以设置一中间层。总的来说，在垂直的磁记录层13上设置一保护层，并把润滑剂涂敷到该保护层上。磁头20包括一读取头30和一书写头40。读取头30包括一读取元件31，它由由一巨磁阻(GMR)元件和两层屏蔽32，32组成，这两层屏蔽把读取元件31夹在中间。书写头40包括一主极41；一回复轭42，与主极41以磁性方式连接；一励磁线圈43，用于对主极41进行励磁。屏蔽32不从主极41的空气承载表面凹入。在根据本专利技术实施例的磁头中，每个屏蔽32和回复轭42中的至少一个具有这样的底表面，即该底表面的面积至少是顶表面面积的1.2倍。满足这个条件的磁头能提高对外部磁场的抵抗性。优选地是，每个屏蔽32和回复轭42都满足这个条件。在下面的描述中，将分别描述屏蔽的结构和作用，但是，对回复轭也将作类似的描述。参照图2，下面将描述具有底面积是顶面积的1.2倍的屏蔽的磁头的作用。图2表示出了柔软下层12，被包括在垂直的磁记录介质中；屏蔽32，被设置在柔软下层12的上方。屏蔽32的高度由h表示。屏蔽32周围的虚线表示一个球形区域F，在该球形区域F中，具有流入屏蔽的磁通量。图2中，区域F的体积与屏蔽32的表面积有关。随着距所说介质的柔软下层12的距离的增大，屏蔽32聚集磁通量的能力提高，因此，屏蔽32的顶表面是一个起最深刻作用的部分。从区域F流入屏蔽32的磁通量从屏蔽32的底表面流到柔软下层12。因此，屏蔽32的底表面中的平均磁场与屏蔽32的底表面积成反比。也就是说，形成下述的相互关系(屏蔽的底表面中的平均磁场)∝(区域F的体积)/(屏蔽的底表面积)。区域F的体积基本上与屏蔽的整个表面积有关。因此，可以知道，通过减小屏蔽的高度或宽度，就可以增大对外部磁场的抵抗性。然而，由于减小传统的具有矩形形状的屏蔽的宽度也会使底表面积减小，因此，这个措辞是无效的。可以减小屏蔽的高度，这与底面积没有关系。然而，减小屏蔽的高度也会对屏蔽作用产生限制。在这个方面，专利技术人注意到，在上述关系中，区域F的体积与屏蔽的顶表面积相互关联。于是，专利技术人发现通过减小(屏蔽的顶表面积)/(屏蔽的底表面积)的比率，就能提高对外部磁场的抵抗性。于是，专利技术人便完成了本专利技术。也就是说，通过减小屏蔽的的顶表面积与屏蔽的底表面积的比，就可以减小从区域F流入到屏蔽内的磁通量。此外，还可以减小从屏蔽的底表面流到柔软下层的磁通量。正如下面将要详细描述的那样，专利技术人已经发现，通过把屏蔽的底面积设定为顶表面积的至少1.2倍，就能显著提高对外部磁场的抵抗性。对于底表面积至少是顶表面积1.2倍的屏蔽或回复轭，可以具有各种不同的形状。图3表示出了根据本专利技术的例1的磁头中的所包括的屏蔽32的立体示意图。在图3所示的屏蔽32中，底表面的宽度Wb(沿着轨道宽度延伸的空气承载表面ABS的宽度)被设定为至少是顶表面宽度Wt的1.2倍，这样，就使得底表面积是顶表面积的至少1.2倍。图4表示出了根据例1中的屏蔽的底表面宽度与顶表面宽度的比率与与对外部磁场的抵抗性(被记录在介质内的磁信号开始被删除掉的外部磁场强度)之间的相互关系。如图4所示，随着底表面宽度与顶表面宽度的比率的增大，对外部磁场的抵抗性也就被提高。一旦底表面宽度与顶表面宽度的比率达到约1.2，对外部磁场的抵抗性就会呈现出被迅速提高。这是由于介质中的柔软下层饱和的缘故。当介质中的柔软下层饱和时，屏蔽的底表面中的磁场就显著地聚集在屏蔽的边缘，超出了屏蔽的底表面中的平均磁场降低对外部磁场的抵抗性。然而当底表面宽度与顶表面宽度的比率被设定成至少1.2时，柔软下层的饱和就会被减小，从而能提高对外部磁场的抵抗性。如果对外部磁场的抵抗性必须为约200Oe，那么，优选地是，底表面宽度与顶表面宽度的比率至少为1.5，更优选地是至少为2.0。假设底表面宽度为60微米，底表面宽度与顶表面宽度的比率至少为1.2相当于底表面宽度和顶表面宽度之间的差为20微米或更大。此外，更优选地是，底表面宽度与顶表面宽度之间的差为30微米或更大。此外，底表面宽度与顶表面宽度的比率至少为1.2相当于在屏蔽的底表面和侧表面之间的角度θ为60度或更小。图5表示出了根据本专利技术例2中的磁头所包括的屏蔽32的前视图。该屏蔽具有这样一边缘表面，即，该边缘表面是通过把底表面边缘本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种磁头，包括：一读取头（３０），该读取头包括一读取元件（３１）和两层屏蔽（３２），读取元件（３１）被夹在这两层屏蔽（３２）之间；一书写头（４０），该书写头包括一主极（４１）、一回复轭（４２）和一励磁线圈（４３），其 特征在于：每个屏蔽（３２）和回复轭（４２）中的至少一个的底表面面积至少是顶表面面积的１．２倍。

【技术特征摘要】
JP 2004-9-30 2004-2865391.一种磁头，包括一读取头(30)，该读取头包括一读取元件(31)和两层屏蔽(32)，读取元件(31)被夹在这两层屏蔽(32)之间；一书写头(40)，该书写头包括一主极(41)、一回复轭(42)和一励磁线圈(43)，其特征在于每个屏蔽(32)和回复轭(42)中的至少一个的底表面面积至少是顶表面面积的1.2倍。2.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于每个屏蔽(32)和回复轭(42)中的至少一个的底表面宽度至少是顶表面宽度的1.2倍。3.根据权利要求2所述的磁头，其特征在于每个屏蔽(32)和回复轭(42)中的至少一个的底表面宽度和顶表面宽度之间的差为20微米或更大。4.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于每个屏蔽(32)和回复轭(42)中的至少一个的底表面和侧表面之间的角度为60度或更小。5.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于每个屏蔽(32)和回复轭(42)中的至少一个的底表面边缘的附近部分被部分地除去，以便形成一边缘表面，并且底表面和边缘表面之间的角度为160度或更大。6.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于每个屏蔽(32)和回复轭(42)中的至少一个的侧表面相对于一条连接底表面的一端与顶表面的一端的脊状直线而言被加工成凹形。7.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于每个屏蔽(32)和回复轭(42)中的至少一个的底表面厚度至少是顶表面厚度的1.2倍。8.根据权利要求1所述的磁头，其特征在于还包括一书写头屏蔽(45)，并且该书写头屏蔽(45)的底表面面积至少是顶表面面积的1.2倍。9.一种磁记录和再现装置，包括一磁头(20)，所述磁...

【专利技术属性】
技术研发人员：高岸雅幸，山本耕太郎，田口知子，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]