垂直磁化的磁盘设备制造技术

根据一个实施例，提供一种垂直磁化的磁盘设备，具有包括软底层（１２）和垂直磁记录层（１４）的磁盘（１０），和具有写元件和读元件的磁头，写元件包括主磁极（２１）、回磁极（２２）和励磁线圈（２３），读元件包括磁阻膜（２４）和设置为夹住该磁阻膜（２４）的一对屏蔽膜（２５，２６），其中由该磁阻膜（２４）读出的磁读取磁道宽度（ＭＲＷ）设置得比以最大频率记录的信号的磁写入磁道宽度（ＭＷＷ）窄。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术的一个实施例涉及一种垂直磁化的磁盘设备。
技术介绍
对磁盘设备来说，提高记录密度是永远的需求。一种提高记录密度的解决方案是减小记录磁道宽度，由此增加磁道密度。然而，随着磁道密度的增加，重写特性就变差了。因而，存在改善重写特性的需求。一般地，为了改善重写特性，有人提出垂直磁化的磁头，其除了包括主磁极和回磁极(return pole)之外，还包括设在主磁极的前侧(leadingside)的第三磁极，并且其间夹有一层非磁化膜(参见日本专利申请KOKAI公开2004-5826)。第三磁极具有减小因记录在主磁极的前侧的介质上的磁性导致的记录位置上的磁干扰的功能，从而防止重写特性的劣化。然而，在这个文献中，没有就重写特性进行详细的分析。因而不清楚在最恶劣的条件下重写特性是否得到增强。此外，这个垂直磁化的磁头额外地包括第三磁极，这使得其制造变得困难。这样的磁盘设备是已知的，其中磁写入磁道宽度(MWW)设为小于或者等于1.0μm，并且该磁写入磁道宽度(MWW)和磁读取磁道宽度(MRW)之差设在0.2μm到0.8μm的范围内(参见日本专利申请KOKAI公开号2002-150507)。该文献公开了采用这种设计能够获得良好的重写特性。然而，该文献采取纵向记录型磁盘设备并且不能应用到垂直记录型磁盘设备中。
技术实现思路
根据本专利技术的一个实施例，提供了一种垂直磁化的磁盘设备，包括包括软底层和垂直磁记录层的磁盘；和包括写元件和读元件的磁头，写元件包括主磁极、回磁极和励磁线圈，读元件包括磁阻膜和设置为夹住磁阻膜的一对屏蔽膜，其中由该磁阻膜读出的磁读取磁道宽度(MRW)设置得比用于以最大频率记录的信号的磁写入磁道宽度(MWW)窄。附图说明现在将参照附图描述实现本专利技术各个特征的一般性的结构。提供这些图以及相关描述是为了解释本专利技术的实施例，并不限制本专利技术的范围。图1是根据本专利技术一个实施例的磁盘设备的透视图；图2是根据本专利技术该实施例的磁盘的截面图；图3是根据本专利技术该实施例的磁头所包括的写元件和读元件的截面图；图4是显示在纵向记录和垂直记录中在重写(OW1)之后的磁道曲线的曲线图；图5是显示在纵向记录和垂直记录中在重写(OW2)之后的磁道曲线的曲线图；图6是显示MWW和MRW含义的视图；图7是显示在纵向记录和垂直记录中的记录密度和MWW之间关系的曲线图；图8是显示在垂直记录中OW2和误码率(BER)之间关系的曲线图；图9是显示Max OW2和双峰值宽度(DPW)的曲线图；图10是显示Max OW2和DPW之间关系的曲线图；和图11是显示磁盘的Hc和MWW之间关系的曲线图。具体实施例方式以下参照附图描述根据本专利技术的各个实施例。图1是根据本专利技术一个实施例的磁盘设备的透视图。在图1中，磁盘10安装在主轴51上。致动臂53可旋转地连接到设在磁盘10附近的枢轴52上。悬架54连接到致动臂53的远端部位。磁头滑动块55支承在悬架54的下表面上。包括写元件和读元件的磁头20设在磁头滑动块55的端面上，使之面对磁盘10。图2是根据本专利技术该实施例的磁盘的截面图。磁盘10具有结构软底层12、定向控制层13、垂直磁记录层14和保护层15以这个顺序层叠在非磁性基底11上。每层可以由多个膜组成。例如，这些膜可以由具有不同成分的材料形成。图3是根据本专利技术该实施例的磁头20所包括的写元件和读元件的截面图。写元件包括由高磁导率材料形成的主磁极21，其对磁盘10产生垂直磁场；设在主磁极21的背侧的回磁极22，其具有有效地闭合经由直接位于主磁极下面的软底层的磁路的功能；和盘绕在包括主磁极21和回磁极22在内的磁路周围的励磁线圈23。或者回磁极22可以设置在主磁极21的前侧。读元件包括磁阻膜24，和屏蔽膜25和26，它们设置在磁阻膜24的背侧和前侧，以便夹住磁阻膜24。由读元件读出的信号经过内置信号处理系统处理。下面将描述磁盘设备的重写(OW)特性。对OW特性作如下定义当首先写入具有一定频率的记录图案A且然后在该记录图案A上重写具有与记录图案A频率不同的频率的记录图案B时，将OW特性表示为重写之前和之后信号图案A的振幅之差。OW特性是评估磁头的记录性能的一个指标。这里，“OW1”指的是用高频(HF)记录图案重写低频(LF)记录图案的情形，而“OW2”指的是用低频(LF)记录图案重写高频(HF)记录图案的情形。图4和图5示出第一信号在由别的信号重写后第一信号的磁道曲线的例子。图4示出在用950kFCI的记录图案重写80kFCI的记录图案的情形(OW1)中残留的未擦除的80kFCI的记录图案的输出的磁道曲线。该纵坐标表示的是经80kFCI的记录图案的初始输出的峰值归一化的输出。图5在用60kFCI的记录图案重写470kFCI的记录图案的情形(OW2)中未擦除的470kFCI的记录图案的输出的磁道曲线。该纵坐标表示的是经470kFCI的记录图案的初始输出的峰值归一化的输出。图4和图5中每一幅都示出了在纵向记录和垂直记录中所获得的结果。下面在这里描述磁写入磁道宽度(MWW)和磁读取磁道宽度(MRW)的含义。图6示出以例如80kFCI的记录密度所记录的信号的读输出(readoutput)波形，该读输出波形是通过沿横跨磁道方向扫描该读磁头所读出的。MWW定义为读输出波形的在读输出峰值的50％处的宽度。MRW定义为在该读输出从20％上升到80％(或者从80％下降到20％)范围内读输出波形的宽度。图7示出在纵向记录和垂直记录情况下记录密度和MWW之间的关系。MWW以采取80kFCI的记录图案的MWW为一而归一化。参照图4，图5和图7描述纵向记录和垂直记录在OW特性方面的差别。1.纵向记录如图7所示，在纵向记录中，MWW随着记录密度变高而减小。如图4所示，在纵向记录的OW1下，用具有窄MWW的HF图案重写具有宽MWW的LF图案，结果在第一LF图案的边缘残留有未擦除分量。相反，如图5所示，在纵向记录的OW2下，当用具有宽MWW的LF图案重写具有窄MWW的HF图案时几乎不会出现未擦除分量。因而，在纵向记录中在重写之后残留的未擦除分量的大部分为LF分量，并且在离开磁道中心的位置产生边缘噪音。2.垂直记录如图7所示，在垂直记录中，象纵向记录一样，MWW随着记录密度变高而减小。此外，在垂直记录中MWW对记录密度的依赖性与纵向记录中的情形基本相同。然而，如图4和图5所示，垂直记录中的重写特性在OW2下而非在OW1下劣化。重写特性在OW2下劣化的原因如下。即，在垂直记录中，更稳定的静磁耦合出现于HF图案中，这使得擦除HF图案变得困难，并且磁场强度在磁道边缘比在磁道中心更弱。因而，在垂直记录中在重写后残留的大部分未擦除分量是HF分量。另外，由于HF分量的MWW窄，因此在磁道中心附近的位置出现边缘噪音。如上所述，在垂直记录的情形中，OW特性在用HF图案重写LF图案的OW2下劣化，并且留有HF分量的边缘噪音。边缘噪音形成双峰值。为了改善OW特性，有必要设计MRW，使之不读出边缘噪音。这种设计原理在垂直记录中不同于在纵向记录中的原理。本专利技术的实施例提供一种垂直磁化的磁盘设备，其中MRW设置得比以最大频率(1T)记录的信号的MWW要小，因此防止因边缘噪音导致的误码率(BER)的劣化，该边缘噪音是因未本文档来自技高网...

【技术保护点】
垂直磁化的磁盘设备，包括：包括软底层（１２）和垂直磁记录层（１４）的磁盘（１０）；和包括写元件和读元件的磁头，该写元件包括主磁极（２１）、回磁极（２２）和励磁线圈（２３），该读元件包括磁阻膜（２４）和设置为夹住该磁阻膜（２４）的一对屏蔽膜（２５，２６），其特征在于，将由该磁阻膜（２４）读出的磁读取磁道宽度（ＭＲＷ）设置得比用于以最大频率记录的信号的磁写入磁道宽度（ＭＷＷ）窄。

【技术特征摘要】
JP 2005-3-17 077783/20051.垂直磁化的磁盘设备，包括包括软底层(12)和垂直磁记录层(14)的磁盘(10)；和包括写元件和读元件的磁头，该写元件包括主磁极(21)、回磁极(22)和励磁线圈(23)，该读元件包括磁阻膜(24)和设置为夹住该磁阻膜(24)的一对屏蔽膜(25，26)，其特征在于，将由该磁阻膜(24)读出的磁读取磁道宽度(MRW)设...

【专利技术属性】
技术研发人员：中洋之，
申请(专利权)人：株式会社东芝，
类型：发明
国别省市：JP[日本]