【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种磁头和该磁头的制造方法,更具体地,本专利技术涉及一种以写入头的独特结构为特征的磁头和该磁头的制造方法。
技术介绍
在图4中示出了磁盘驱动单元的传统磁头的读取头8和写入头10的结构。在读取头8中,MR(磁电阻)元件5夹在下屏蔽层6和上屏蔽层7之间;在写入头10中,写间隙(write-gap)11夹在下磁极12和上磁极13之间。写入头10包括上磁极13;下磁极层16;后间隙部15,其连接上磁极13和下磁极层16;和记录线圈14,其缠绕在后间隙部15上。在写间隙11中产生磁场的磁路由下磁极12、下磁极层16、后间隙部15和上磁极13组成。在图4示出的磁头中,两个线圈14层叠。图3A-图3F示出了形成包含在磁头的写入头10中的记录线圈14和磁极的传统工艺。在图3A中,将绝缘层18形成在下磁极层16上,并将线圈14形成在绝缘层18上,以使线圈14与下磁极层16电绝缘。绝缘层18由氧化铝或SiO2制成。将铜晶种(seed)层20(用于在电解电镀时作为电力馈送层)形成在其上已形成有绝缘层18的基板上。将包括与线圈14相对应的开槽部分的光刻胶图案形成在晶种层 ...
【技术保护点】
一种制造磁头的方法,所述磁头包括通过电解电镀而形成的记录线圈、下磁极和后间隙部,所述方法包括以下步骤:为形成所述记录线圈,在下层上形成用于电镀的晶种层;利用所述晶种层作为电力馈送层,通过电解电镀在所述晶种层上形成所述记录线圈;为形成所述下磁极和所述后间隙部,对所述晶种层上的光刻胶进行构图;利用所述光刻胶作为掩模去除所述晶种层的暴露部分;暴露所述下层的将形成所述下磁极和所述后间隙部的部分;以及利用所述晶种层作为所述电力馈送层,通过电解电镀在所述下层中形成所述下磁极和所述后间隙部。
【技术特征摘要】
JP 2006-6-9 2006-1607601.一种制造磁头的方法,所述磁头包括通过电解电镀而形成的记录线圈、下磁极和后间隙部,所述方法包括以下步骤为形成所述记录线圈,在下层上形成用于电镀的晶种层;利用所述晶种层作为电力馈送层,通过电解电镀在所述晶种层上形成所述记录线圈;为形成所述下磁极和所述后间隙部,对所述晶种层上的光刻胶进行构图;利用所述光刻胶作为掩模去除所述晶种层的暴露部分;暴露所述下层的将形成所述下磁极和所述后间隙部的部分;以及利用所述晶种层作为所述电力馈送层,通过电解电镀在所述下层中形成所述下磁极和所述后间隙部。2.根据权利要求1所述的方法,其中,在所述构图步骤中,将所述光刻胶施加到所述晶种层的这样的一部分,该部分覆盖所述下层并且可电连接到电镀装置的电极。3.根据权利要求1所述的方法,该...
【专利技术属性】
技术研发人员:小野藤英,伊藤隆司,
申请(专利权)人:富士通株式会社,
类型:发明
国别省市:JP[日本]
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