滤波器芯片封装结构及用于滤波器芯片封装的方法技术

本申请涉及体声波谐振器技术领域，公开一种滤波器芯片封装结构，包括：滤波器晶圆和滤波器盖体；通过在滤波器盖体上设置有第一通孔、第二通孔，第一金属层位于第一通孔内的部分被限定成第一凹槽，第二金属层位于第二通孔内的部分被限定成第二凹槽；第一凹槽内填充有第一金属填充层，第二凹槽内填充有第二金属填充层；第一金属层穿过第一通孔连接滤波器晶圆；第二金属层穿过第二通孔连接滤波器晶圆；在第一金属填充层上设置有第一焊锡凸点；在第二金属层上设置有第二焊锡凸点。这样，由于滤波器盖体设置的通孔被金属填充层填满，使得通孔的导热能力更好，从而散热效果更好。本申请还公开一种用于滤波器芯片封装的方法。还公开一种用于滤波器芯片封装的方法。还公开一种用于滤波器芯片封装的方法。

【技术实现步骤摘要】
滤波器芯片封装结构及用于滤波器芯片封装的方法


[0001]本申请涉及体声波谐振器
，例如涉及一种滤波器芯片封装结构及用于滤波器芯片封装的方法。

技术介绍

[0002]随着通信技术的不断发展，对滤波器的要求越来越高，常用的滤波器器件有体声波滤波器和表面声波滤波器。在滤波器的制造过程中，需要对滤波器晶圆进行封装，但现有的滤波器晶圆封装结构的散热效果较差，亟待解决。

技术实现思路

[0003]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。所述概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[0004]本专利技术实施例提供一种滤波器芯片封装结构及用于滤波器芯片封装的方法，以能提升滤波器晶圆封装结构的散热效果。
[0005]在一些实施例中，滤波器芯片封装结构，包括：滤波器晶圆，与滤波器盖体连接；所述滤波器晶圆与所述滤波器盖体形成空腔；所述滤波器盖体，未与所述滤波器晶圆形成所述空腔的部分设置有第一通孔和第二通孔；第一金属层，位于所述第一通孔和所述第一通孔外围的所述滤波器盖体的表面上；所述第一金属层位于所述第一通孔内的部分被限定成第一凹槽；所述第一金属层穿过所述第一通孔连接所述滤波器晶圆；第二金属层，位于所述第二通孔和所述第二通孔外围的所述滤波器盖体的表面上；所述第二金属层位于所述第二通孔内的部分被限定成第二凹槽；所述第二金属层穿过所述第二通孔连接所述滤波器晶圆；第一金属填充层，位于所述第一凹槽内，在所述第一金属填充层上设置有第一焊锡凸点；第二金属填充层，位于所述第二凹槽内，在所述第二金属填充层上设置有第二焊锡凸点。
[0006]在一些实施例中，用于滤波器芯片封装的方法，包括：提供滤波器晶圆；在所述滤波器晶圆上形成带有第一通孔、第二通孔及第三凹槽的滤波器盖体；所述第一通孔和所述第二通孔均暴露出所述滤波器晶圆；所述滤波器晶圆通过所述第三凹槽形成空腔；在所述第一通孔内设置第一焊锡球；在所述第二通孔内设置第二焊锡球。
[0007]本专利技术实施例提供的滤波器芯片封装结构及用于滤波器芯片封装的方法，可以实现以下技术效果：通过在滤波器盖体上设置有第一通孔、第二通孔，第一金属层位于第一通孔内的部分被限定成第一凹槽，第二金属层位于第二通孔内的部分被限定成第二凹槽；第一凹槽内填充有第一金属填充层，第二凹槽内填充有第二金属填充层；第一金属层穿过第一通孔连接滤波器晶圆；第二金属层穿过第二通孔连接滤波器晶圆；在第一金属填充层上设置有第一焊锡凸点；在第二金属填充层上设置有第二焊锡凸点。这样，由于滤波器盖体设置的通孔被金属填充层填满，使得通孔的导热能力更好，从而提升滤波器芯片封装结构的
散热效果，进而有利于提高滤波器的工作功率。
[0008]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
[0009]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：图1是本专利技术实施例提供的一个滤波器芯片封装结构的剖面结构示意图；图2是本专利技术实施例提供的另一个滤波器芯片封装结构的剖面结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一个用于滤波器芯片封装的方法的示意图；图4是本专利技术实施例提供的一个第一衬底的剖面结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一个带有第四凹槽和第五凹槽的第一衬底的剖面结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的一个带有第四凹槽和第五凹槽以及键合层的第一衬底的剖面结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的一个将第一衬底通过键合层键合到滤波器晶圆后的剖面结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的一个减薄第一衬底后的剖面结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一个在减薄第一衬底后的键合层淀积待刻蚀金属层后的剖面结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的一个形成焊锡球后的剖面结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的一个滤波器输入输出功率曲线的示意图。
[0010]附图标记：600：第一衬底；610：键合层；620：第一金属层；630：第二金属层；640：第一金属填充层；650：第二金属填充层；660：第一焊锡凸点；670：第二焊锡凸点；680：第二衬底；690：下电极层；700：压电层；710：上电极层；720：第三衬底；730：第一电极；740：叉指换能器结构；750：第二电极。
具体实施方式
[0011]为了能够更加详尽地了解本专利技术实施例的特点与
技术实现思路
，下面结合附图对本专利技术实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本专利技术实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
[0012]本专利技术实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
[0013]本专利技术实施例中，术语“上”、“下”、“内”、“中”、“外”、“前”、“后”等指示的方位或位
置关系为基于附图所示的方位或位置关系。这些术语主要是为了更好地描述本专利技术实施例及其实施例，并非用于限定所指示的装置、元件或组成部分必须具有特定方位，或以特定方位进行构造和操作。并且，上述部分术语除了可以用于表示方位或位置关系以外，还可能用于表示其他含义，例如术语“上”在某些情况下也可能用于表示某种依附关系或连接关系。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解这些术语在本专利技术实施例中的具体含义。
[0014]另外，术语“设置”、“连接”、“固定”应做广义理解。例如，“连接”可以是固定连接，可拆卸连接，或整体式构造；可以是机械连接，或电连接；可以是直接相连，或者是通过中间媒介间接相连，又或者是两个装置、元件或组成部分之间内部的连通。对于本领域普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术实施例中的具体含义。
[0015]除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。
[0016]本专利技术实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。
[0017]术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。
[0018]需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术实施例中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。
[0019]结合图1所示，本专利技术实施例提供一种滤波器芯片封装结构，包括：滤波器晶圆和滤波器盖体滤波器晶圆，与滤波器盖体连接；滤波器晶圆与滤波器盖体形成空腔；滤波器盖体，未与滤波器晶圆形成空腔的部分设置有第一通本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种滤波器芯片封装结构，其特征在于，包括：滤波器晶圆，与滤波器盖体连接；所述滤波器晶圆与所述滤波器盖体形成空腔；所述滤波器盖体，未与所述滤波器晶圆形成所述空腔的部分设置有第一通孔和第二通孔；第一金属层，位于所述第一通孔和所述第一通孔外围的所述滤波器盖体的表面上；所述第一金属层位于所述第一通孔内的部分被限定成第一凹槽；所述第一金属层穿过所述第一通孔连接所述滤波器晶圆；第二金属层，位于所述第二通孔和所述第二通孔外围的所述滤波器盖体的表面上；所述第二金属层位于所述第二通孔内的部分被限定成第二凹槽；所述第二金属层穿过所述第二通孔连接所述滤波器晶圆；第一金属填充层，位于所述第一凹槽内，在所述第一金属填充层上设置有第一焊锡凸点；第二金属填充层，位于所述第二凹槽内，在所述第二金属填充层上设置有第二焊锡凸点。2.根据权利要求1所述的滤波器芯片封装结构，其特征在于，所述滤波器盖体形成有第三凹槽；所述滤波器盖体通过所述第三凹槽与所述滤波器晶圆形成所述空腔。3.根据权利要求2所述的滤波器芯片封装结构，其特征在于，所述滤波器盖体包括：第一衬底，通过键合层与所述滤波器晶圆连接；所述第一衬底设置有第三通孔与第四通孔；所述键合层，被限定为中空结构，所述键合层的中空部分被限定为所述滤波器盖体的第三凹槽；在所述第三凹槽外围的部分设置有第五通孔与第六通孔；所述第五通孔与所述第三通孔连通形成第一通孔；所述第六通孔与所述第四通孔连通形成第二通孔。4.根据权利要求1至3任一项所述的滤波器芯片封装结构，其特征在于，所述滤波器晶圆为体声波谐振器或表面声波谐振器。5.根据权利要求3所述的滤波器芯片封装结构，其特征在于，所述键合层由氧化硅、氮化硅或有机膜材料制成。6.根据权利要求3所述的滤波器芯片封装结构，其特征在于，所述第一衬底由硅、碳化硅、三氧化二铝和二氧化硅中的一种或多种制成。7.一种用于滤波器芯片封装的方法，其特征在于，包括：提供滤波器晶圆；在所述滤波器晶圆上形成带有第一通孔、第二通孔及第三凹槽的滤波器盖体；所述第一通孔和所述第二通孔均暴露出所述滤波器晶圆；所述滤波器盖体通过所述第三凹槽与所述滤波器晶圆形成空腔；在所述第一通孔内设置第一焊锡球；在所述第二通孔内设置第二焊...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：