用于体声波谐振器制作的方法技术

本申请涉体声波谐振器技术领域，公开一种用于体声波谐振器制作的方法，包括：提供待移除层，在待移除层从下往上依次形成谐振结构和牺牲层；在牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层，第一凸起和第二凸起均穿过牺牲层连接谐振结构；在截止边界层远离牺牲层的一侧形成谐振载体；移除待移除层；对谐振结构远离牺牲层的一侧进行刻蚀，并在刻蚀后的谐振结构上形成第一导通层和第二导通层；腐蚀第一凸起、第二凸起及谐振结构之间的牺牲层形成第一空腔。这样，能够对体声波谐振器进行双面制作，使得制作工艺更加灵活，且不需要在形成有空腔的衬底上制作谐振结构，从而便于体声波谐振器的制作。从而便于体声波谐振器的制作。从而便于体声波谐振器的制作。

【技术实现步骤摘要】
用于体声波谐振器制作的方法


[0001]本申请涉及体声波谐振器
，例如涉及一种用于体声波谐振器制作的方法。

技术介绍

[0002]目前，传统的薄膜体声波谐振器结构包括上电极、压电层和下电极，通常先在衬底上刻蚀出谐振器的空腔，再在空腔上制作下电极、压电层、上电极等，以至形成完整的谐振器。
[0003]在实现本专利技术实施例的过程中，发现相关技术中至少存在如下问题：现有的谐振器一定要先在衬底上刻蚀出空腔，然后在衬底的基础上制作谐振结构，而受衬底空腔的限制，谐振器的制作较为不便。

技术实现思路

[0004]为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。概括不是泛泛评述，也不是要确定关键／重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。
[0005]本专利技术实施例提供了一种用于体声波谐振器制作的方法，以便于体声波谐振器的制作。
[0006]在一些实施例中，用于体声波谐振器制作的方法，包括：提供待移除层，在待移除层从下往上依次形成谐振结构和牺牲层；在所述牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层，所述第一凸起和第二凸起均穿过所述牺牲层连接所述谐振结构；在所述截止边界层远离所述牺牲层的一侧形成谐振载体；移除所述待移除层；对所述谐振结构远离所述牺牲层的一侧进行刻蚀，并在刻蚀后的谐振结构上形成第一导通层和第二导通层；腐蚀所述第一凸起、所述第二凸起及所述谐振结构之间的牺牲层形成第一空腔。
[0007]本专利技术实施例提供的用于体声波谐振器制作的方法，可以实现以下技术效果：通过先在谐振结构的一侧制作牺牲层、截止边界层、谐振载体，再在谐振结构的另一侧制作导通层，然后在导通层制作完成后通过腐蚀牺牲层形成第一空腔。这样，能够对体声波谐振器进行双面制作，使得制作工艺更加灵活，且不需要在形成有空腔的衬底上制作谐振结构，从而便于体声波谐振器的制作。
[0008]以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。
附图说明
[0009]一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：图1是本专利技术实施例提供的一个用于体声波谐振器制作的方法的示意图；
图2是本专利技术实施例提供的一个待移除层的结构示意图；图3是本专利技术实施例提供的一个在待移除层上，从下往上依次淀积氮化铝层、上电极层、压电层、下电极层后的结构示意图；图4是本专利技术实施例提供的一个在下电极层沉积并刻蚀下电极边缘凸点层后的结构示意图；图5是本专利技术实施例提供的一个在下电极边缘凸点层沉积钝化层后的结构示意图；图6是本专利技术实施例提供的一个对钝化层、下电极边缘凸点层、下电极层进行刻蚀后的结构示意图；图7是本专利技术实施例提供的一个在谐振结构淀积并刻蚀牺牲层后的结构示意图；图8是本专利技术实施例提供的一个在牺牲层淀积截止边界层后的结构示意图；图9是本专利技术实施例提供的一个在截止边界层沉积第一键合层后的结构示意图；图10是本专利技术实施例提供的一个在第一键合层上键合第二衬底后的结构示意图；图11是本专利技术实施例提供的一个移除待移除层后的结构示意图；图12是本专利技术实施例提供的一个对氮化铝层和上电极层进行刻蚀后的结构示意图；图13是本专利技术实施例提供的一个对氮化铝层和压电层进行刻蚀后的结构示意图；图14是本专利技术实施例提供的一个形成导通层后的结构示意图；图15是本专利技术实施例提供的一个对第一空腔进行腐蚀后的结构示意图；图16是本专利技术实施例提供的一个滤波器的频率响应曲线示意图。
[0010]附图标记：100：第一衬底；110：氧化硅层；120：氮化铝层；130：上电极层；140：压电层；150：下电极层；160：下电极边缘凸点层；170：钝化层；180：牺牲层；190：截止边界层；200：第一键合层；210：第二衬底；220：第二导通层；230：第一导通层。
具体实施方式
[0011]为了能够更加详尽地了解本专利技术实施例的特点与
技术实现思路
，下面结合附图对本专利技术实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本专利技术实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。
[0012]本专利技术实施例的说明书和权利要求书及上述附图中的术语“第一”、“第二”等是用于区别类似的对象，而不必用于描述特定的顺序或先后次序。应该理解这样使用的数据在适当情况下可以互换，以便这里描述的本专利技术实施例的实施例。此外，术语“包括”和“具有”以及他们的任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。
[0013]除非另有说明，术语“多个”表示两个或两个以上。
[0014]本专利技术实施例中，字符“/”表示前后对象是一种“或”的关系。例如，A/B表示：A或B。
[0015]术语“和/或”是一种描述对象的关联关系，表示可以存在三种关系。例如，A和/或B，表示：A或B，或，A和B这三种关系。
[0016]结合图1所示，本专利技术实施例提供一种用于体声波谐振器制作的方法，包括：步骤S101，提供待移除层，在待移除层从下往上依次形成谐振结构和牺牲层；步骤S102，在牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层，第一凸起和第二凸起均穿过牺牲层连接谐振结构；步骤S103，在截止边界层远离牺牲层的一侧形成谐振载体；步骤S104，移除待移除层；步骤S105，对谐振结构远离牺牲层的一侧进行刻蚀，并在刻蚀后的谐振结构上形成第一导通层和第二导通层；步骤S106，腐蚀第一凸起、第二凸起及谐振结构之间的牺牲层形成第一空腔。
[0017]采用本专利技术实施例提供的用于体声波谐振器制作的方法，通过先在谐振结构的一侧制作牺牲层、截止边界层、谐振载体，再在谐振结构的另一侧制作导通层，然后在导通层制作完成后通过腐蚀牺牲层形成第一空腔。这样，能够对体声波谐振器进行双面制作，使得制作工艺更加灵活，且不需要在形成有空腔的衬底上制作谐振结构，从而便于体声波谐振器的制作。
[0018]结合图2至图6所示，可选地，待移除层包括第一衬底100以及在第一衬底上形成的氧化硅层110，在待移除层上形成谐振结构，包括：在氧化硅层110上从下往上依次淀积氮化铝层120、上电极层130、压电层140、下电极层150；在下电极层150远离压电层140的一侧沉积下电极边缘凸点层160，并刻蚀下电极边缘凸点层160暴露出下电极层150；在下电极边缘凸点层160及暴露出的下电极层150上沉积钝化层170；刻蚀钝化层170、下电极边缘凸点层160和下电极层150暴露出压电层140。
[0019]可选地，第一衬底由硅、碳硅、氧化铝、石英或玻璃制成。
[0020]在一些实施例中，通过CVD（Chemical Vapor Deposition ，化学气相沉积）工艺在第一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于体声波谐振器制作的方法，其特征在于，包括：提供待移除层，在所述待移除层从下往上依次形成谐振结构和牺牲层；在所述牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层，所述第一凸起和第二凸起均穿过所述牺牲层连接所述谐振结构；在所述截止边界层远离所述牺牲层的一侧形成谐振载体；移除所述待移除层；对所述谐振结构远离所述牺牲层的一侧进行刻蚀，并在刻蚀后的谐振结构上形成第一导通层和第二导通层；腐蚀所述第一凸起、所述第二凸起及所述谐振结构之间的牺牲层形成第一空腔。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述待移除层包括第一衬底以及在所述第一衬底上形成的氧化硅层，在所述待移除层上形成谐振结构，包括：在所述氧化硅层上从下往上依次淀积氮化铝层、上电极层、压电层、下电极层；在所述下电极层远离所述压电层的一侧沉积下电极边缘凸点层，并刻蚀所述下电极边缘凸点层暴露出所述下电极层；在所述下电极边缘凸点层及暴露出的下电极层上沉积钝化层；刻蚀所述钝化层、所述下电极边缘凸点层和所述下电极层暴露出所述压电层。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述牺牲层上形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层，包括：在所述牺牲层上进行刻蚀形成第一通孔和第二通孔；所述第一通孔和第二通孔均暴露出所述谐振结构；在带有第一通孔和第二通孔的牺牲层上淀积截止边界层，形成带有向下的第一凸起和向下的第二凸起的截止边界层。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述截止边界层远离所述牺牲层的一侧形成谐振载体...

【专利技术属性】
技术研发人员：ꢀ七四专利代理机构，
申请(专利权)人：深圳新声半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：