【技术实现步骤摘要】
一种化学机械研磨头
[0001]本专利技术涉及半导体生产
,具体涉及一种化学机械研磨头。
技术介绍
[0002]在半导体制造设备中,化学械研磨抛光(CMP)是非常重要的工艺。化学机械研磨工艺中,研磨区域的温度对工艺的影响非常重要,过热问题可能带来潜在的缺陷风险。为了克服化学机械研磨工艺过程中由于机械研磨产生的热量,达到控制晶圆表面温度的目的,目前现有的技术方案是在晶圆研磨平台下方安装冷却水回路,来控制研磨平台的温度。但该种重方案是对整个研磨平台进行冷却,由于实际热量产生主要集中在磨头和接触的硅片之间,因此冷却效果一般。针对现有的化学机械抛光设备在研磨平台进行冷却存在冷却效果不佳,无法实现对热量聚集的磨头进行快速、有效降温的问题。
技术实现思路
[0003]本专利技术的目的是克服现有技术的不足,提供一种化学机械研磨头,它通过在研磨头内设置冷却水路,可快速、有效的对研磨头进行冷却,改善化学机械研磨的缺陷。
[0004]本专利技术解决所述技术问题的方案是:
[0005]一种化学机械研磨头,包括 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨头,包括研磨部(1)、连接部(2)、进出水部(3)和隔离管(4),其特征在于:所述研磨部(1)呈圆台状,研磨部(1)上成型有上侧开口的凹止口(11),凹止口(11)的底面上成型有涡旋槽道(12),涡旋槽道(12)的底面中部固定有进水管(13),进水管(13)的下侧成型有与其相通的成型在研磨部(1)内部的进水通道(14),涡旋槽道(12)的底面外侧成型有多个与进水通道(14)相通的进水孔(15);所述连接部(2)成型有与凹止口(11)相配合的凸止口(21),凸止口(21)插套并固定在凹止口(11)内,所述凹止口(21)的下底面压靠在涡旋槽道(12)的上端面上;所述凸止口(21)的中部成型有与涡旋槽道(12)相通的出水管(22),出水管(22)与进水管(13)同轴心设置且位于进水管(13)的外侧;所述隔离管(4)插套在出水管(22)和进水管(13)之...
【专利技术属性】
技术研发人员:ꢀ七四专利代理机构,
申请(专利权)人:赣州市业润自动化设备有限公司,
类型:发明
国别省市:
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