一种MOCVD设备的喷淋结构制造技术

一种MOCVD设备的喷淋结构，包括反应室、上进气喷淋头、下进气喷淋头及可旋转载物台；反应室的顶板中部设有混合气体进气口；上进气喷淋头设在反应室内部，上进气喷淋头位于混合气体进气口下方；下进气喷淋头设在反应室内部，下进气喷淋头位于上进气喷淋头下方；可旋转载物台设在反应室内部，可旋转载物台位于下进气喷淋头下方；上进气喷淋头与反应室顶板之间构成混合气体初混腔；下进气喷淋头与上进气喷淋头之间构成混合气体精混腔；下进气喷淋头下方的反应室内部空间构成反应腔；上进气喷淋头圆盘上均布有若干进气通孔，下进气喷淋头圆盘上均布有若干出气通孔，进气通孔及出气通孔均采用锥孔结构，进气通孔大口端朝上，出气通孔大口端朝下。口端朝下。口端朝下。

【技术实现步骤摘要】
一种MOCVD设备的喷淋结构


[0001]本专利技术属于气相外延生长
，特别是涉及一种MOCVD设备的喷淋结构。

技术介绍

[0002]金属有机化合物化学气相沉淀技术(Metal
‑
organic Chemical Vapor Deposition，简称MOCVD)是最常见的应用于半导体领域的薄膜生长技术之一，具有适用范围广泛、适合于生长各种异质结构材料、可以生长超薄外延层并获得很陡的界面过渡、生长易于控制、可以生长纯度很高的材料、可以进行大规模生产等特点。
[0003]公告号为CN210001931U的中国专利，公开了一种喷淋头装置及MOCVD设备，为了达到进气均匀的目的，该专利将旋转轴与喷淋盘焊接在一起，并在喷淋盘上方开口为旋转轴留位置，但这种结构容易出现气体泄漏，由于MOCVD技术中的气源大都具有毒性，一旦发生气体泄漏，必然存在人员中毒的风险。
[0004]公告号为CN10460747A的中国专利，公开了一种MOCVD设备的喷淋头，为了解决反应物过早地受热反应，改进了传统的送气管道系统的结构，但是这本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种MOCVD设备的喷淋结构，其特征在于：包括反应室、上进气喷淋头、下进气喷淋头及可旋转载物台；在所述反应室的顶板中部设置有混合气体进气口；所述上进气喷淋头设置在反应室内部，上进气喷淋头位于混合气体进气口正下方；所述下进气喷淋头设置在反应室内部，下进气喷淋头位于上进气喷淋头正下方；所述可旋转载物台设置在反应室内部，可旋转载物台位于下进气喷淋头正下方。2.根据权利要求1所述的一种MOCVD设备的喷淋结构，其特征在于：所述上进气喷淋头及下进气喷淋头在反应室内部的高度位置可调。3.根据权利要求2所述的一种MOCVD设备的喷淋结构，其特征在于：所述上进气喷淋头采用圆盘形结构，上进气喷淋头与反应室顶板之间的空间构成混合气体初混腔。4.根据权利要求3所述的一种MOCVD设备的喷淋结构，其特征在于：所述下进气喷淋头采用圆盘形结构，下进气喷淋头与上进气喷淋头之间的空间构成混合气体精混腔。5.根据权利要求4所述的一种MOCVD设备的喷淋结构，其特征在于：所述下进气喷淋头下方的反应室内部空间构成反应腔。6.根据权利要求5所述的一种MOCVD设备的喷淋结构，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜广煜，万亿，陈志立，梁帅，倪岩松，
申请(专利权)人：东北大学，
类型：发明
国别省市：