用于处理基板的方法技术

提供了一种调节膜应力的方法。在一实施例中，通过在第一步骤中顺序且交替地供应第一反应物和第二反应物来在基板上形成第一膜，并且通过在第二步骤中向第一膜供应第三反应物来将第一膜转化为第二膜。通过控制第一步骤和第二步骤的比率来调节第二膜的膜应力。二步骤的比率来调节第二膜的膜应力。二步骤的比率来调节第二膜的膜应力。

【技术实现步骤摘要】
用于处理基板的方法


[0001]本公开提供了一种用于处理基板的方法，更具体地，一种用于调节在基板上形成的膜的应力的方法。

技术介绍

[0002]基板和在其上形成的膜可能会在高温过程中进行热处理，从而产生应力。这可能会导致基板变形，比如翘曲或裂纹，或者膜剥离或器件性能下降。图1示出了膜的应力可能如何引起膜的剥离或者基板的破裂或变形。

技术实现思路

[0003]本公开提供了一种用于处理基板的方法。更具体地，本公开提供了一种用于调节膜的应力的方法。
[0004]根据一实施例，可以通过在第一步骤中顺序且交替地供应第一反应物和第二反应物来在基板上形成第一膜。可以通过在第二步骤中供应第三反应物来将第一膜转化为第二膜。第二反应物可被活化。第三反应物可被活化并且对第一膜具有反应性。可以通过控制第一步骤和第二步骤的循环比率来调节第二膜的应力。
[0005]根据另一实施例，可以通过在第一步骤中顺序且交替地供应第一反应物和第二反应物，在具有作为硬掩模的图案的基板上形成第一膜。可以通过在第二步骤中供应第三反应物来将第一膜转化为第二膜。第本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于调节膜应力的方法，包括：将基板装载到基板支撑件上；在第一步骤中，在基板上形成第一膜，该第一步骤包括：供应第一反应物；以及供应第二反应物，其中，顺序且交替地供应所述第一反应物和第二反应物；通过在第二步骤中向第一膜供应第三反应物来将第一膜转化为第二膜，其中，第一步骤与第二步骤的循环比率大于5以调节第二膜的应力。2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二反应物由射频功率活化。3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二反应物是Ar和He中的至少一个或它们的混合物。4.根据权利要求3所述的方法，其中，所述第二反应物使所述第一膜致密化；并且所述第一膜包括所述第一反应物的片段。5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第三反应物由射频功率活化，并且与所述第一膜发生化学反应。6.根据权利要求1所述的方法，其中，将所述第一步骤重复至少一次，并且将所述第二步骤重复至少一次，其中，所述第一步骤和第二步骤被顺序地重复至少一次。7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一反应物是含硅气体。8.根据权利要求1的方法，其中，所述第二反应物是Ar和He中的至少一个或它们的混合物。9.根据权利要求1的方法，其中，所述第三反应物是含氧气体。10.根据权利要求7所述的方法，所述含硅气体是以下中的至少一个：DIPAS,SiH3N(iPr)2；TSA,(SiH3)3N；DSO,(SiH3)2；DSMA,(SiH3)2NMe；DSEA,(SiH3)2NEt；DSIPA,(SiH3)2N(iPr)；DSTBA,(SiH3)2N(tBu)；DEAS,SiH3NEt2；DTBAS,SiH3N(tBu)2；BDEAS,SiH2(NEt2)2；BDMAS,SiH2(NMe2)2；BTBAS,SiH2(NHtBu)2；BITS,SiH2(NHSiMe3)2；TEOS,Si(OEt)4；SiCl4；HCD,Si2Cl6；3DMAS,SiH(N(Me)2)3；BEMAS,SiH2[N(Et)(Me)]2；AHEAD,Si2(NHEt)6；TEAS,Si(NHEt)4；Si3H8；DCS,SiH2Cl2；SiHI3；SiH2I2或它们的混合物。11.根据权利要求9所述的方法，其中，所述含氧气体是O2,O3,CO
2,
H2O,NO2和N2O中的至少一个或它们的混合物。12.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二膜包括氧化硅。13.根据权利要求4所述的方法，其中，所述第一反应物的片段是硅、碳、氮、氯、碘、氢和烷基中的至少一个或它们的混合物。14.根据权利要求1所述的方法，其中，随着所述第一步骤与所述第二步骤的循环比率增加，所述第二膜的拉应力增加。15.根据权利要求1所述的方法，其中，随着所述第一步骤与所述第二步骤的循环比率减小，所述第二膜的压应力增加。16.根据权利要求5所述的方法，其中，以具有10至75％的占空比的脉冲供应射频功率。17.根据权利要求1所述的方法，其中，所述基板包括图案，并且所述第二膜是形成在所述图案上的硬掩模，其中，所述第一步骤和所述第二步骤在50℃或以下进行。
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【专利技术属性】
技术研发人员：李承泫，崔丞佑，金显哲，具盻炫，
申请(专利权)人：ASMIP私人控股有限公司，
类型：发明
国别省市：